Siliziumkarbid (SiC) Geräte bieten im Vergleich zu ihren Gegenstück-Siliziumgeräten überlegene thermische Eigenschaften. In Anwendungen, bei denen die Betriebstemperatur die Einschränkungen von Siliziumgeräten überschreitet, Das Portfolio von GeneSiC mit bloßen Chips und Hochtemperaturgeräten ist eine ideale Lösung für den Dauerbetrieb in der Hochspannungsmotorsteuerung.
SiC Schottky MPS ™
| Artikelnummer | Stromspannung (V.) | Vorwärtsstrom (EIN) | Paket |
|---|---|---|---|
| GC50MPS06-CAL | 650 | 50 | Nackter Chip |
| GC15MPS12-CAL | 1200 | 15 | Nackter Chip |
| GC20MPS12-CAL | 1200 | 20 | Nackter Chip |
| GC50MPS12-CAL | 1200 | 50 | Nackter Chip |
| GC25MPS17-CAL | 1700 | 25 | Nackter Chip |
| GAP3SHT33-CAU | 3300 | 0.3 | Nackter Chip |
SiC-MOSFET
| Artikelnummer | Stromspannung (V.) | Auf Widerstand (mΩ) | Paket |
|---|---|---|---|
| G3R20MT12-CAL | 1200 | 20 | Nackter Chip |
| G3R30MT12-CAL | 1200 | 30 | Nackter Chip |
| G3R40MT12-CAL | 1200 | 40 | Nackter Chip |
| G3R75MT12-CAL | 1200 | 75 | Nackter Chip |
| G3R20MT17-CAL | 1700 | 20 | Nackter Chip |
| G3R45MT17-CAL | 1700 | 45 | Nackter Chip |
| G3R50MT33-CAL | 3300 | 50 | Nackter Chip |
| G3R100MT33-CAL | 3300 | 100 | Nackter Chip |
