ملاحظات طلب التقديم:
AN-10A قيادة ترانزستورات مفرق كربيد (SJT) مع برامج تشغيل بوابة السيليكون IGBT خارج الرف: Single-Level Drive Concep
مايو 2013 AN-10A قيادة ترانزستورات مفرق كربيد (SJT) مع برامج تشغيل بوابة السيليكون IGBT خارج الرف: مفهوم القيادة أحادي المستوى
AN-10B لتعليم قيادة السيارات تقاطع SiC الترانزستورات (SJT): مفهوم البوابة ذات المستويين
يونيو 2013 AN-10B لتعليم قيادة السيارات تقاطع SiC الترانزستورات (SJT): مفهوم البوابة ذات المستويين
لوحة تبديل النبض المزدوج
سبتمبر 2014 لوحة تبديل النبض المزدوج
لوحة تبديل النبض المزدوج
سبتمبر 2014 لوحة تبديل النبض المزدوج
لوحة تبديل النبض المزدوج
سبتمبر 2014 لوحة تبديل النبض المزدوج
مقالات فنية:
1200 فئة V 4H-SiC “ممتاز” تقاطع الترانزستورات مع المكاسب الحالية من 88 والقدرة على التبديل بسرعة فائقة
سبتمبر, 2011 1200 فئة V 4H-SiC “ممتاز” تقاطع الترانزستورات مع المكاسب الحالية من 88 والقدرة على التبديل بسرعة فائقة
200 V SiC "Super" Junction Transistors تعمل في 250 درجة مئوية مع فقد طاقة منخفض للغاية لتطبيقات تحويل الطاقة
نوفمبر, 2011 1200 V SiC "Super" Junction Transistors تعمل في 250 درجة مئوية مع فقد طاقة منخفض للغاية لتطبيقات تحويل الطاقة
استغلال درجة الحرارة المرتفعة التي تحملها SiC
فبراير, 2012 استغلال درجة الحرارة المرتفعة التي تحملها SiC
كربيد السيليكون “ممتاز” لوحة تبديل النبض المزدوج
أبريل, 2012 كربيد السيليكون “ممتاز” لوحة تبديل النبض المزدوج
استقرار الخصائص الكهربائية لترانزستورات التقاطع "الفائقة" المصنوعة من SiC في ظل التشغيل طويل الأمد للتيار المستمر والنبض في درجات حرارة مختلفة
مايو, 2012 استقرار الخصائص الكهربائية لترانزستورات التقاطع "الفائقة" المصنوعة من SiC في ظل التشغيل طويل الأمد للتيار المستمر والنبض في درجات حرارة مختلفة
