5الثنائيات من الجيل السادس 650 فولت SiC Schottky MPS ™ لأفضل كفاءة في فئتها

Gen5 650V SiC Schottky MPS ™

دول, فيرجينيا, مايو 28, 2021 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لكربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه موصلات الطاقة, تعلن عن توافر الجيل الخامس (سلسلة GE ***) مقومات SiC Schottky MPS ™ التي تضع معيارًا جديدًا مع مؤشر أداء السعر المتفوق, تصاعد التيار الرائد في الصناعة وقوة الانهيار الجليدي, وتصنيع عالي الجودة.

"كانت GeneSiC واحدة من أوائل مصنعي SiC الذين قاموا بتوريد مقومات SiC Schottky تجاريًا في 2011. بعد أكثر من عقد من توريد مقومات SiC عالية الأداء وعالية الجودة في الصناعة, نحن متحمسون لإصدار الجيل الخامس من SiC Schottky MPS ™ (دمج بين- PiN- شوتكي) الثنائيات التي تقدم أداءً رائدًا في الصناعة في جميع الجوانب لتلبية أهداف الكفاءة العالية وكثافة الطاقة في تطبيقات مثل مزودات طاقة الخادم / الاتصالات وشواحن البطاريات. الميزة الثورية التي يصنعها جيلنا الخامس (سلسلة GE ***) تتميز ثنائيات SiC Schottky MPS ™ بين أقرانها بجهد داخلي منخفض (يُعرف أيضًا باسم جهد الركبة);إنه يتيح أقل خسائر توصيل الصمام الثنائي في جميع ظروف التحميل - وهو أمر بالغ الأهمية للتطبيقات التي تتطلب استخدامًا عالي الكفاءة للطاقة. على النقيض من ثنائيات SiC المنافسة الأخرى ، تم تصميمها أيضًا لتقديم خصائص منخفضة للركبة, ميزة إضافية لتصميمات الصمام الثنائي Gen5 هي أنها لا تزال تحافظ على هذا المستوى العالي من الانهيار الجليدي (UIL) الصلابة التي توقعها عملاؤنا من Gen3 من GeneSiC (سلسلة GC ***) و Gen4 (سلسلة GD ***) SiC Schottky MPS ™” قال د. سيدارث سوندارسان, نائب رئيس التكنولوجيا في GeneSiC Semiconductor.

المميزات –

  • جهد داخلي منخفض – أقل خسائر توصيل لجميع ظروف الحمل
  • شخصية متفوقة من الاستحقاق – QC x VF
  • أداء السعر الأمثل
  • تعزيز القدرة الحالية تصاعد
  • 100% انهيار ثلجي (UIL) تم اختباره
  • مقاومة حرارية منخفضة لتشغيل المبرد
  • الاسترداد الصفري للأمام والعكس
  • درجة الحرارة المستقلة التبديل السريع
  • معامل درجة الحرارة الموجب لـ VF

التطبيقات –

  • تعزيز الصمام الثنائي في تصحيح معامل القدرة (PFC)
  • مزودات طاقة الخادم والاتصالات
  • محولات الطاقة الشمسية
  • إمدادات طاقة غير منقطعة (يو بي إس)
  • شواحن بطارية
  • طليق / الصمام الثنائي المتوازي في العاكسات

GE04MPS06E - 650 فولت 4 أمبير TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E - 650 فولت 6 أمبير TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E - 650 فولت 8 أمبير TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E - 650 فولت 10 أمبير TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A - 650 فولت 4 أمبير TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A - 650 فولت 6 أمبير TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A - 650 فولت 8 أمبير TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06A - 650 فولت 10 أمبير TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE12MPS06A - 650 فولت 12 أمبير TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE2X8MPS06D - 650 فولت 2x8 أمبير TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

GE2X10MPS06D - 650 فولت 2 × 10 أمبير TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

جميع الأجهزة متاحة للشراء من خلال الموزعين المعتمدين – www.genesicsemi.com/sales-support

لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ أو الاتصال sales@genesicsemi.com

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.

GeneSiC يفوز بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لمحول مقوم ترانزستور متآلف قائم على SiC

دول, فيرجينيا, ديسمبر 5, 2019 — ص&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2019 ص&د 100 جائزة لتطوير تبديل مقوم ترانزستور متآلف قائم على SiC.

شركة GeneSiC Semiconductor, تم تكريم أحد المبتكرين الرئيسيين في أجهزة الطاقة القائمة على كربيد السيليكون بالإعلان عن حصوله على جائزة المرموقة 2019 ص&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2018. ص&اعترفت مجلة D Magazine بتكنولوجيا جهاز طاقة SiC للجهد المتوسط ​​من GeneSiC لقدرتها على دمج MOSFET و Schottky بشكل موحد على شريحة واحدة. تمكن هذه القدرات التي حققها جهاز GeneSiC بشكل حاسم الباحثين في مجال إلكترونيات الطاقة من تطوير أنظمة إلكترونية للطاقة من الجيل التالي مثل المحولات ومحولات DC-DC. سيسمح هذا بتطوير المنتجات داخل المركبات الكهربائية, البنية التحتية للشحن, الطاقة المتجددة وصناعات تخزين الطاقة. حجزت GeneSiC طلبات من العديد من العملاء من أجل عرض أجهزة إلكترونية للطاقة المتقدمة باستخدام هذه الأجهزة وتواصل تطوير عائلة منتجات السيليكون كربيد MOSFET. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&تم تطوير D على الإصدار المبكر لتطبيقات تحويل الطاقة من خلال وزارة الخارجية الأمريكية. للطاقة وبالتعاون مع مختبرات سانديا الوطنية.

مسابقة التكنولوجيا السنوية التي تديرها شركة R&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. تعترف هذه الجائزة بشركة GeneSiC كشركة عالمية رائدة في إنشاء المنتجات القائمة على التكنولوجيا والتي تحدث فرقًا في طريقة عملنا وحياتنا.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارةwww.genesicsemi.com.

650 فولت عالي القدرة, 1200الثنائيات V و 1700V SiC Schottky MPS ™ في حزمة SOT-227 ذات الوحدة الصغيرة

دول, فيرجينيا, مايو 11, 2019 — أصبحت GeneSiC شركة رائدة في السوق من حيث القدرة على التيار العالي (100 أ و 200 أ) ثنائيات SiC شوتكي في وحدة صغيرة SOT-227

أدخلت GeneSiC GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 و GC2X100MPS06-227; هي أعلى صمامات ثنائية شوتكي شوتكي 650 فولت و 1700 فولت, إضافة إلى مجموعة الوحدات الصغيرة الحالية من SiC Schottky diode 1200 فولت - GB2X50MPS12-227 و GB2X100MPS12-227. هذه الثنائيات SiC تحل محل الثنائيات فائقة السرعة القائمة على السيليكون, تمكين المهندسين من بناء دوائر تحويل بكفاءة أكبر وكثافة طاقة أعلى. من المتوقع أن تشمل التطبيقات أجهزة الشحن السريع للمركبات الكهربائية, محركات السيارات, إمدادات طاقة النقل, تصحيح الطاقة العالية وإمدادات الطاقة الصناعية.

بالإضافة إلى اللوحة الأساسية المعزولة لحزمة الوحدة النمطية الصغيرة SOT-227, تتميز هذه الثنائيات التي تم إصدارها حديثًا بانخفاض الجهد المنخفض, صفر الانتعاش إلى الأمام, صفر الانتعاش العكسي, سعة تقاطع منخفضة ويتم تصنيفها لدرجة حرارة تشغيل قصوى تبلغ 175 درجة مئوية. توفر تقنية الصمام الثنائي SiC Schottky من الجيل الثالث من GeneSiC صلابة الانهيار الجليدي الرائد في الصناعة والتيار المفاجئ (Ifsm) المتانة, إلى جانب تصنيع 6 بوصات عالي الجودة مؤهل للسيارات وتقنية تجميع منفصلة عالية الموثوقية.

هذه الثنائيات SiC هي بدائل مباشرة متوافقة مع الدبوس للديودات الأخرى المتوفرة في SOT-227 (وحدة صغيرة) صفقة. الاستفادة من خسائر الطاقة المنخفضة (عملية أكثر برودة) والقدرة على تبديل التردد العالي, يمكن للمصممين الآن تحقيق كفاءة تحويل أكبر وكثافة طاقة أكبر في التصميمات.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارةwww.genesicsemi.com.

تطلق GeneSiC أفضل أداء في الصناعة 1700V SiC Schottky MPS™ الثنائيات

دول, فيرجينيا, كانون الثاني 7, 2019 — تطلق GeneSiC حافظة شاملة من الجيل الثالث من الثنائيات 1700V SiC Schottky MPS ™ في حزمة TO-247-2

أدخلت GeneSiC GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 و GB50MPS17-247; أفضل أداء للصناعة من ثنائيات SiC 1700V المتوفرة في حزمة TO-247-2 عبر الفتحات الشهيرة. هذه الثنائيات 1700V SiC تحل محل ثنائيات الاسترداد فائقة السرعة القائمة على السيليكون وغيرها من الجيل القديم 1700V SiC JBS, تمكين المهندسين من بناء دوائر تحويل بكفاءة أكبر وكثافة طاقة أعلى. من المتوقع أن تشمل التطبيقات أجهزة الشحن السريع للمركبات الكهربائية, محركات السيارات, إمدادات طاقة النقل والطاقة المتجددة.

GB50MPS17-247 عبارة عن صمام ثنائي 1700V 50A SiC مدمج-PiN-schottky, الصمام الثنائي للطاقة SiC المنفصل الأعلى تصنيفًا حاليًا في الصناعة. تتميز هذه الثنائيات التي تم إصدارها حديثًا بانخفاض جهد أمامي منخفض, صفر الانتعاش إلى الأمام, صفر الانتعاش العكسي, سعة تقاطع منخفضة ويتم تصنيفها لدرجة حرارة تشغيل قصوى تبلغ 175 درجة مئوية. توفر تقنية الصمام الثنائي SiC Schottky من الجيل الثالث من GeneSiC صلابة الانهيار الجليدي الرائد في الصناعة والتيار المفاجئ (Ifsm) المتانة, مدمجًا مع مسبك 6 بوصات عالي الجودة مؤهل للسيارات وتقنية تجميع منفصلة متطورة عالية الموثوقية.

هذه الثنائيات SiC هي بدائل مباشرة متوافقة مع دبوس لثنائيات أخرى متوفرة في حزمة TO-247-2. الاستفادة من خسائر الطاقة المنخفضة (عملية أكثر برودة) والقدرة على تبديل التردد العالي, يمكن للمصممين الآن تحقيق كفاءة تحويل أكبر وكثافة طاقة أكبر في التصميمات.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارةwww.genesicsemi.com.