GeneSiC يفوز بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لأجهزة SiC في تطبيقات الطاقة الشمسية وطاقة الرياح المتصلة بالشبكة

دول, فيرجينيا, تموز 14, 2011 — ص&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2011 ص&د 100 جائزة لتسويق أجهزة كربيد السيليكون ذات معدلات الجهد العالي.

شركة GeneSiC Semiconductor, تم تكريم أحد المبتكرين الرئيسيين في أجهزة الطاقة القائمة على كربيد السيليكون الأسبوع الماضي بالإعلان عن حصوله على جائزة المرموقة 2011 ص&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2010. ص&مجلة D اعترفت بـ GeneSiC's Ultra-High Voltage SiC Thyristor لقدرته على تحقيق الفولتية والترددات التي لم يتم استخدامها من قبل في عروض إلكترونيات الطاقة. معدلات الجهد >6.5كيلو فولت, على التصنيف الحالي للدولة 80 أ وترددات التشغيل >5 kHz أعلى بكثير من تلك التي تم تقديمها سابقًا في السوق. تمكن هذه القدرات التي حققتها Thyristors من GeneSiC بشكل حاسم الباحثين في مجال إلكترونيات الطاقة من تطوير محولات مرتبطة بالشبكة, مرن

أنظمة نقل التيار المتردد (حقائق) وأنظمة DC ذات الجهد العالي (HVDC). سيسمح هذا بالاختراعات الجديدة وتطوير المنتجات في مجال الطاقة المتجددة, محولات الطاقة الشمسية, محولات طاقة الرياح, وصناعات تخزين الطاقة. الدكتور. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC لأشباه الموصلات "من المتوقع أن تفتح الأسواق الكبيرة في المحطات الفرعية الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح بعد أن يدرك الباحثون في مجال تحويل الطاقة فوائد SiC Thyristors بالكامل. يستخدم الجيل الأول من ثايرستور SiC أقل انخفاض موضّح للجهد في الحالة ومقاومات تفاضلية على الإطلاق تم تحقيقها في SiC Thyristors. نعتزم إطلاق الأجيال القادمة من SiC Thyristors المُحسَّنة من أجل إمكانية إيقاف التشغيل التي تتحكم فيها البوابة وقدرة الطاقة النبضية و >10تقييمات كيلو فولت. مع استمرارنا في تطوير حلول التعبئة والتغليف ذات الجهد العالي للغاية بدرجة الحرارة العالية, يتم تعبئة الثايرستور الحالي 6.5 كيلو فولت في وحدات مع جهات اتصال ملحومة بالكامل, يقتصر على درجات حرارة تقاطع 150 درجة مئوية ". منذ أن تم إطلاق هذا المنتج في أكتوبر 2010, حجزت GeneSiC طلبات من العديد من العملاء من أجل عرض أجهزة إلكترونية للطاقة المتقدمة باستخدام ثايرستور كربيد السيليكون. تواصل GeneSiC تطوير عائلة منتجات الثايرستور من كربيد السيليكون. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&تم تطوير D في الإصدار الأول لتطبيقات تحويل الطاقة من خلال دعم تمويل SBIR من وزارة الخارجية الأمريكية. من الطاقة. أكثر تطورا, يتم تطوير ثايرستور SiC المحسن بالطاقة النبضية بموجب عقد SBIR آخر مع ARDEC, الجيش الأمريكي. باستخدام هذه التطورات التقنية, الاستثمار الداخلي من GeneSiC والأوامر التجارية من عملاء متعددين, كان GeneSiC قادرًا على تقديم هذه الثايرستور UHV كمنتجات تجارية.

مسابقة التكنولوجيا السنوية التاسعة والأربعون التي تديرها شركة R&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. تعترف هذه الجائزة بشركة GeneSiC كشركة عالمية رائدة في إنشاء المنتجات القائمة على التكنولوجيا والتي تحدث فرقًا في طريقة عملنا وحياتنا.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارةwww.genesicsemi.com.

شبكات اقتحام الطاقة المتجددة GeneSiC أشباه الموصلات 1.5 مليون دولار من وزارة الطاقة الأمريكية

دول, فيرجينيا, شهر نوفمبر 12, 2008 – منحت وزارة الطاقة الأمريكية GeneSiC Semiconductor منحتين منفصلتين يبلغ مجموعهما 1.5 مليون دولار لتطوير كربيد السيليكون عالي الجهد (SiC) الأجهزة التي ستكون بمثابة عوامل تمكين رئيسية للرياح- وتكامل الطاقة الشمسية مع شبكة الكهرباء في البلاد.

"تثبت هذه الجوائز ثقة وزارة الطاقة في قدرات GeneSiC, فضلا عن التزامها بحلول الطاقة البديلة,"ملاحظات د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. "متكامل, تعد شبكة الطاقة الفعالة أمرًا بالغ الأهمية لمستقبل الطاقة في البلاد - وتعد أجهزة SiC التي نطورها ضرورية للتغلب على أوجه القصور في تقنيات السيليكون التقليدية ".

الجائزة الأولى هي منحة المرحلة الثانية من SBIR بقيمة 750 ألف دولار أمريكي لتطوير سريع, أجهزة ثنائية القطب كربيد عالية الجهد. والثاني هو منحة من المرحلة الثانية من STTR بقيمة 750 ألف دولار أمريكي لتطوير محولات SiC عالية الطاقة ذات بوابات بصرية.

كربيد السيليكون هو مادة من الجيل التالي من أشباه الموصلات مع القدرة على التعامل مع 10 أضعاف الجهد و 100 مرة من السيليكون الحالي, مما يجعلها مناسبة بشكل مثالي للتطبيقات عالية الطاقة مثل الطاقة المتجددة (الرياح والطاقة الشمسية) التركيبات وأنظمة التحكم في الشبكة الكهربائية.

خاصة, الجائزتان ل:

  • تطوير الترددات العالية, عدة كيلوفولت كاربيد - إيقاف تشغيل البوابة (GTO) أجهزة الطاقة. تشمل التطبيقات الحكومية والتجارية أنظمة إدارة الطاقة وتكييف السفن, صناعة المرافق, والتصوير الطبي.
  • تصميم وتصنيع الجهد العالي بالبوابات الضوئية, أجهزة تحويل SiC عالية الطاقة. يعد استخدام الألياف الضوئية لتبديل الطاقة حلاً مثاليًا للبيئات التي تعاني من التداخل الكهرومغناطيسي (EMI), والتطبيقات التي تتطلب جهدًا عاليًا للغاية.

تخدم أجهزة SiC التي تطورها GeneSiC مجموعة متنوعة من تخزين الطاقة, شبكة الكهرباء, والتطبيقات العسكرية, التي تحظى باهتمام متزايد حيث يركز العالم على حلول إدارة الطاقة الأكثر كفاءة وفعالية من حيث التكلفة.

مقرها خارج واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, تأثير الترانزستور الميدان (FETs) والأجهزة ثنائية القطب, وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. GeneSiC لديها عقود رئيسية / من الباطن من الوكالات الحكومية الأمريكية الكبرى, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.