تجميعات الجهد العالي للاستفادة من مقومات السعة المنخفضة هذه التي توفر تيارات استرداد عكسي صفرية مستقلة عن درجة الحرارة في عبوات معزولة
شلالات نهر اللص / دالاس, فرجينيا., مايو 28, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة عن التوافر الفوري لـ 3300 مقومات شوتكي V / 0.3 أمبير SiC – GAP3SLT33-220FP. هذا المنتج الفريد يمثل أعلى معدل جهد كهربائي SiC في السوق, ويستهدف بشكل خاص دوائر مضاعف الجهد وتجميعات الجهد العالي المستخدمة في مجموعة واسعة من الأشعة السينية, مصادر طاقة مولد الليزر والجسيمات.
تعاني دارات مضاعف الجهد المعاصرة من كفاءات منخفضة للدوائر وأحجامها الكبيرة لأن تيارات الاسترداد العكسي من مقومات السيليكون تقوم بتفريغ المكثفات المتصلة المتوازية. في درجات حرارة تقاطع أعلى المعدل, يصبح هذا الوضع أسوأ لأن تيار الاسترداد العكسي في مقومات السيليكون يزيد مع زيادة درجة الحرارة. مع القيود الحرارية تجميعات الجهد العالي, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم مقومات SiC عالية الجهد خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في تركيبات الجهد العالي. GeneSiC's 3300 تتميز مقومات V / 0.3 A Schottky بتيار استرداد عكسي صفري لا يتغير مع درجة الحرارة. يسمح هذا الجهد المرتفع نسبيًا في جهاز واحد بتخفيض مراحل مضاعفة الجهد المطلوبة في دوائر المولدات عالية الجهد النموذجية, من خلال استخدام جهد إدخال تيار متردد أعلى. تسمح خصائص التحويل شبه المثالية بإلغاء / تقليل كبير لشبكات موازنة الجهد ودوائر snubber. تتميز الحزمة المعزولة TO-220 Full Pack ذات الصب المفرط بعامل الشكل القياسي للصناعة مع تباعد أكبر بين المسامير في مجموعات الفتحات.
"يأتي عرض هذا المنتج من سنوات من الجهود المستمرة في GeneSiC. نعتقد أن 3300 يعتبر التصنيف V أحد العوامل الرئيسية التي تميز سوق المولدات عالية الجهد, وسيسمح بفوائد كبيرة لعملائنا. التردد المنخفض من GeneSiC, إن مقومات SiC Schottky ذات السعة المنخفضة تمكن هذا المنتج الرائع” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.
3300 V / 0.3 A المميزات الفنية لمعدل SiC
- إسقاط على الدولة من 1.7 V في 0.3 أ
- معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
- تيjmax = 175الج
- شحنة سعوية 52 ان سي (نموذجي).
جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, TO-220FP المتوافقة مع RoHS (حزمة كاملة) الحزم. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزع المعتمد لشركة GeneSiC, Digikey.
حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.
شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.
للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة www.genesicsemi.com
