دوائر الجهد العالي والتجميعات للاستفادة من رقائق SiC التي توفر معدلات جهد غير مسبوقة وتبديل عالي السرعة
دالاس, فرجينيا., نوفمبر 7, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة عن التوافر الفوري لـ 8000 مقومات V SiC PiN; 8000 مقومات V SiC Schottky, 3300 مقومات V SiC Schottky و 6500 V SiC Thyristors في شكل قالب مكشوف. تمثل هذه المنتجات الفريدة أجهزة SiC ذات الجهد العالي في السوق, ويستهدف بشكل خاص أجهزة النفط والغاز, دوائر مضاعف الجهد ومجموعات الجهد العالي.
تعاني دارات الجهد العالي المعاصرة من كفاءات منخفضة للدوائر وأحجامها الكبيرة لأن تيارات الاسترداد العكسي من مقومات السيليكون تقوم بتفريغ المكثفات المتصلة المتوازية. في درجات حرارة تقاطع أعلى المعدل, يزداد هذا الوضع سوءًا نظرًا لأن تيار الاسترداد العكسي في مقومات السيليكون يزيد مع زيادة درجة الحرارة. مع القيود الحرارية تجميعات الجهد العالي, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم مقومات SiC عالية الجهد خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في تركيبات الجهد العالي. GeneSiC's 8000 V و 3300 مقومات V Schottky تتميز بتيار استرداد عكسي صفري لا يتغير مع درجة الحرارة. يسمح هذا الجهد المرتفع نسبيًا في جهاز واحد بتخفيض مراحل مضاعفة الجهد المطلوبة في دوائر المولدات عالية الجهد النموذجية, من خلال استخدام جهد إدخال تيار متردد أعلى. تسمح خصائص التحويل شبه المثالية بإلغاء / تقليل كبير لشبكات موازنة الجهد ودوائر snubber. 8000 توفر مقومات V PiN مستويات حالية أعلى ودرجات حرارة تشغيل أعلى. 6500 تتوفر أيضًا رقائق V SiC Thyristor لتسريع R&د ـ الأنظمة الجديدة.
"تُظهر هذه المنتجات الريادة القوية لشركة GeneSiC في تطوير رقائق SiC في تصنيفات متعددة كيلوفولت. نعتقد أن 8000 يتجاوز التصنيف V ما يمكن أن تقدمه أجهزة السيليكون في درجات الحرارة المقدرة, وسيسمح بفوائد كبيرة لعملائنا. التردد المنخفض من GeneSiC, ستتيح مقومات SiC و Thyristors ذات السعة المنخفضة تحقيق مزايا على مستوى النظام لم تكن ممكنة من قبل” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.
8000 V / 2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Technical Highlights
- تيjmax = 210الج
- تيارات التسرب العكسي < 50 uA في 175الج
- رسوم الاسترداد العكسي 558 ان سي (نموذجي).
8000 V / 50 مللي أمبير SiC Bare Die Schottky Rectifier التقنية
- السعة الكلية 25 ص (نموذجي, في -1 الخامس, 25الج).
- معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
- تيjmax = 175الج
6500 الملامح الفنية لقالب V SiC Thyristor Bare Die
- ثلاثة عروض - 80 أمبير (GA080TH65-CAU); 60 أمبير (GA060TH65-CAU); و 40 أمبير (GA040TH65-CAU)
- تيjmax = 200الج
3300 V / 0.3 A المميزات الفنية لمعدل SiC Bare Die Rectifier
- إسقاط على الدولة من 1.7 V في 0.3 أ
- معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
- تيjmax = 175الج
- شحنة سعوية 52 ان سي (نموذجي).
حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.
شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.
للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
