تزدهر GeneSiC لتقديم أفضل التصاميم التي يحركها العملاء من خلال تزويد أجهزة طاقة SiC بمؤشر أداء التكلفة الفائق, صلابة عالية وجودة عالية.
تشمل التطبيقات:
- تعزيز الصمام الثنائي في تصحيح معامل القدرة (PFC)
- تبديل الوضع امدادات الطاقة (SMPS)
- سيارة كهربائية – قطار القوة, محول DC-DC وشحن على متن الطائرة
- البنية التحتية للشحن السريع للغاية
- محولات الطاقة الشمسية وتخزين الطاقة
- شعبية
- مزودات الطاقة لمركز البيانات
- التسخين التعريفي واللحام
- محولات DC-DC عالية الجهد
- العجلة الحرة / الصمام الثنائي المتوازي
- إضاءة LED و HID
- أنظمة التصوير الطبي
- محولات طاقة حفر النفط في أسفل حفرة
- استشعار الجهد العالي
- القوة النبضية
يزور www.genesicsemi.com/applications لتعلم المزيد!
لتطبيقات استشعار الجهد العالي مثل حماية DE-SAT ودوائر التمهيد ذات البوابة الجانبية العالية, تعد حزم DO-214 و TO-252-2 حلولًا مثالية.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
توفر الحزمة TO-247-3 مرونة كبيرة لزيادة كثافة الطاقة وتقليل قائمة مكونات الصنف في تطبيقات مثل تصحيح عامل الطاقة (PFC) inter التي تشترك في الكاثود المشترك بين اثنين من الثنائيات.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
ملاحظات طلب التقديم:
AN-1 1200 الثنائيات V Schottky ذات الحاجز الثابت لارتفاعات الحرارة وعوامل المثالية
أكتوبر 2010 AN-1 1200 الثنائيات V Schottky ذات الحاجز الثابت لارتفاعات الحرارة وعوامل المثالية
AN-2 1200 ثنائيات V SiC JBS مع شحن استرداد عكسي سعوي منخفض للغاية لتطبيقات التبديل السريع
أكتوبر 2010 AN-2 1200 ثنائيات V SiC JBS مع شحن استرداد عكسي سعوي منخفض للغاية لتطبيقات التبديل السريع
AN1001 SiC قوة ديود الموثوقية
سبتمبر, 2018AN1001 SiC قوة ديود الموثوقية
AN1002 فهم ورقة البيانات الخاصة بـ SiC Power Schottky Diode
سبتمبر, 2018AN1002 فهم ورقة البيانات الخاصة بـ SiC Power Schottky Diode
تعليمات استخدام نموذج AN1003 SPICE
ديسمبر, 2018تعليمات استخدام نموذج AN1003 SPICE
مقالات فنية:
مقومات SiC PiN عالية الطاقة
ديسمبر, 2005 مقومات SiC PiN عالية الطاقة
مقومات SiC PiN عالية الطاقة
يونيو, 2007 مقومات SiC PiN عالية الطاقة
الكشف السريع عن النيوترونات باستخدام كاشفات شبه عازلة من كربيد السيليكون
يونيو, 2008 الكشف السريع عن النيوترونات باستخدام كاشفات شبه عازلة من كربيد السيليكون
تطوير أجهزة كشف الإشعاع بالاعتماد على كربيد السيليكون شبه العازل
أكتوبر, 2008 تطوير أجهزة كشف الإشعاع بالاعتماد على كربيد السيليكون شبه العازل
الارتباط بين عمر إعادة تركيب الناقل وانخفاض الجهد الأمامي في ثنائيات 4H-SiC PiN
سبتمبر, 2010 الارتباط بين عمر إعادة تركيب الناقل وانخفاض الجهد الأمامي في ثنائيات 4H-SiC PiN