تنزيل دليل محدد المنتج
تتميز G3R ™ SiC MOSFETs من GeneSiC بأداء رائد في الصناعة في تحويل الجهد العالي لتسخير مستويات الكفاءة لم يسبق لها مثيل, عملية درجة حرارة عالية وموثوقية النظام.
المميزات:
- تقنية G3R ™ لـ +15 محرك بوابة V
- متفوقة Qجي x رDS(على) شخصية الجدارة
- انخفاض شحن البوابة وسعات الجهاز
- خسائر توصيل منخفضة عند درجة حرارة عالية
- الانهيار الجليدي الفائق وصلابة ماس كهربائى
- تشغيل مستقر في العادة حتى 175 درجة مئوية
- ديود سريع وموثوق للجسم
- تغليف محسن مع اتصال مصدر كلفن
فوائد:
- مؤشر أداء التكلفة الفائق
- زيادة كثافة الطاقة للنظام المضغوط
- منخفض R داخليجي لعملية التردد العالي
- تقليل الخسائر لزيادة كفاءة النظام
- رنين البوابة المصغرة
- قدرات حرارية محسنة
- سهولة القيادة
- سهولة الموازاة بدون هروب حراري
التطبيقات:
- السيارات الكهربائية - قطار القوة والشحن
- محولات الطاقة الشمسية وتخزين الطاقة
- الشبكة الذكية و HVDC
- محركات السيارات
- محولات DC-DC و AC-DC ذات الجهد العالي
- التسخين التعريفي واللحام
- مزودات طاقة الوضع المحول
- تطبيقات الطاقة النبضية
750V SiC MOSFET
| على المقاومة, صDS(على) | رقاقة عارية | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 مΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 مΩ | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 مΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC MOSFET
| على المقاومة, صDS(على) | رقاقة عارية | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | سوت -227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 مΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 مΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 مΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 مΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 مΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 مΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 مΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 مΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC MOSFET
| على المقاومة, صDS(على) | رقاقة عارية | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | سوت -227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 مΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 مΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 مΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 مΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 مΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC MOSFET
| على المقاومة, صDS(على) | رقاقة عارية | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 مΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 مΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 مΩ | G2R1000MT33J |
6500V SiC MOSFET
| على المقاومة, صDS(على) | رقاقة عارية |
|---|---|
|
|
| 300 مΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 مΩ | G2R325MS65-CAL |
