شبكات اقتحام الطاقة المتجددة GeneSiC أشباه الموصلات 1.5 مليون دولار من وزارة الطاقة الأمريكية

دول, فيرجينيا, شهر نوفمبر 12, 2008 – منحت وزارة الطاقة الأمريكية GeneSiC Semiconductor منحتين منفصلتين يبلغ مجموعهما 1.5 مليون دولار لتطوير كربيد السيليكون عالي الجهد (SiC) الأجهزة التي ستكون بمثابة عوامل تمكين رئيسية للرياح- وتكامل الطاقة الشمسية مع شبكة الكهرباء في البلاد.

"تثبت هذه الجوائز ثقة وزارة الطاقة في قدرات GeneSiC, فضلا عن التزامها بحلول الطاقة البديلة,"ملاحظات د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. "متكامل, تعد شبكة الطاقة الفعالة أمرًا بالغ الأهمية لمستقبل الطاقة في البلاد - وتعد أجهزة SiC التي نطورها ضرورية للتغلب على أوجه القصور في تقنيات السيليكون التقليدية ".

الجائزة الأولى هي منحة المرحلة الثانية من SBIR بقيمة 750 ألف دولار أمريكي لتطوير سريع, أجهزة ثنائية القطب كربيد عالية الجهد. والثاني هو منحة من المرحلة الثانية من STTR بقيمة 750 ألف دولار أمريكي لتطوير محولات SiC عالية الطاقة ذات بوابات بصرية.

كربيد السيليكون هو مادة من الجيل التالي من أشباه الموصلات مع القدرة على التعامل مع 10 أضعاف الجهد و 100 مرة من السيليكون الحالي, مما يجعلها مناسبة بشكل مثالي للتطبيقات عالية الطاقة مثل الطاقة المتجددة (الرياح والطاقة الشمسية) التركيبات وأنظمة التحكم في الشبكة الكهربائية.

خاصة, الجائزتان ل:

  • تطوير الترددات العالية, عدة كيلوفولت كاربيد - إيقاف تشغيل البوابة (GTO) أجهزة الطاقة. تشمل التطبيقات الحكومية والتجارية أنظمة إدارة الطاقة وتكييف السفن, صناعة المرافق, والتصوير الطبي.
  • تصميم وتصنيع الجهد العالي بالبوابات الضوئية, أجهزة تحويل SiC عالية الطاقة. يعد استخدام الألياف الضوئية لتبديل الطاقة حلاً مثاليًا للبيئات التي تعاني من التداخل الكهرومغناطيسي (EMI), والتطبيقات التي تتطلب جهدًا عاليًا للغاية.

تخدم أجهزة SiC التي تطورها GeneSiC مجموعة متنوعة من تخزين الطاقة, شبكة الكهرباء, والتطبيقات العسكرية, التي تحظى باهتمام متزايد حيث يركز العالم على حلول إدارة الطاقة الأكثر كفاءة وفعالية من حيث التكلفة.

مقرها خارج واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, تأثير الترانزستور الميدان (FETs) والأجهزة ثنائية القطب, وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. GeneSiC لديها عقود رئيسية / من الباطن من الوكالات الحكومية الأمريكية الكبرى, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.