دول, فيرجينيا, يونيو 04, 2021 — الجيل القادم من GeneSiC 750V G3R ™ SiC MOSFETs سوف يقدم مستويات غير مسبوقة من الأداء, متانة وجودة تفوق نظيراتها. تشمل مزايا النظام انخفاضات منخفضة في الحالة عند درجات حرارة التشغيل, سرعات تحويل أسرع, زيادة كثافة الطاقة, الحد الأدنى من الرنين (انخفاض EMI) وحجم النظام المضغوط. GeneSiC's G3R ™, عرضت في حزم منفصلة منخفضة الحث الأمثل (SMD ومن خلال الفتحة), مُحسّنة للعمل بأقل فقد للطاقة في جميع ظروف التشغيل وسرعات تحويل فائقة السرعة. تتمتع هذه الأجهزة بمستويات أداء أفضل إلى حد كبير مقارنة بوحدات SiC MOSFETs المعاصرة.
"أصبح استخدام الطاقة عالي الكفاءة أحد المنجزات المهمة في محولات الطاقة من الجيل التالي ، ولا تزال أجهزة الطاقة المصنوعة من SiC هي المكونات الرئيسية التي تقود هذه الثورة. بعد سنوات من التطوير ، عمل على تحقيق أدنى مقاومة على مستوى الدولة وقوة ماس كهربائى وأداء انهيار جليدي, نحن متحمسون لإطلاق 750V SiC MOSFETs الأفضل أداءً في الصناعة. يمكّن G3R ™ مصممي إلكترونيات الطاقة من مواجهة الكفاءة الصعبة, كثافة الطاقة وأهداف الجودة في تطبيقات مثل محولات الطاقة الشمسية, شواحن كهربائية على متن الطائرة وإمدادات طاقة للخادم / الاتصالات. جودة مضمونة, مدعومًا بالتحول السريع والتصنيع عالي الحجم المؤهل للسيارات يعزز عرض القيمة. ” قال د. رانبير سينغ, رئيس شركة GeneSiC Semiconductor.
المميزات –
- أدنى رسوم بوابة الصناعة (سجي) ومقاومة البوابة الداخلية (RG(ذكاء))
- أدنى مستوى RDS(على) تغير مع درجة الحرارة
- سعة خرج منخفضة (جنحن) والسعة المتوسطة (ججي دي)
- 100% انهيار ثلجي (UIL) تم اختباره أثناء الإنتاج
- القدرة على تحمل ماس كهربائى الرائدة فى الصناعة
- صمام ثنائي سريع وموثوق للجسم مع انخفاض VF ومنخفضة QRR
- عتبة البوابة عالية ومستقرة الجهد (الخامسذ) عبر جميع ظروف درجة الحرارة والتحيز للصرف
- تقنية تغليف متطورة لمقاومة حرارية أقل ورنين أقل
- توحيد التصنيع لـ RDS(على), الخامسذ والجهد الانهيار (BV)
- مجموعة منتجات شاملة وسلسلة توريد أكثر أمانًا مع تصنيع عالي الحجم مؤهل للسيارات
التطبيقات –
- شمسي (PV) العاكسون
- EV / شواحن HEV على متن الطائرة
- الخادم & إمدادات الطاقة للاتصالات
- إمدادات طاقة غير منقطعة (يو بي إس)
- محولات DC-DC
- مزودات طاقة الوضع المحول (SMPS)
- تخزين الطاقة وشحن البطارية
- التدفئة التعريفي
جميع دوائر SiC MOSFET من GeneSiC لأشباه الموصلات موجهة لتطبيقات السيارات (AEC-q101) وقادرة على PPAP.
G3R60MT07J - 750 فولت 60 م TO-263-7 G3R&التجارة SiC MOSFET
G3R60MT07K - 750 فولت 60 م TO-247-4 G3R&التجارة SiC MOSFET
G3R60MT07D - 750 فولت 60 م TO-247-3 G3R&التجارة SiC MOSFET
لورقة البيانات والموارد الأخرى, زيارة – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ أو الاتصال sales@genesicsemi.com
جميع الأجهزة متاحة للشراء من خلال الموزعين المعتمدين – www.genesicsemi.com/sales-support
حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.
GeneSiC أشباه الموصلات هي شركة رائدة ورائدة على مستوى العالم في تكنولوجيا كربيد السيليكون, بينما استثمرت أيضًا في تقنيات السيليكون عالية الطاقة. تعتمد الشركات العالمية الرائدة في تصنيع الأنظمة الصناعية والدفاعية على تقنية GeneSiC لرفع أداء وكفاءة منتجاتها. تعمل المكونات الإلكترونية لـ GeneSiC بشكل أكثر برودة, بسرعة, وأكثر اقتصادا, وتلعب دورًا رئيسيًا في الحفاظ على الطاقة في مجموعة واسعة من أنظمة الطاقة العالية. نحن نحمل براءات اختراع رائدة في تقنيات أجهزة الطاقة ذات فجوة النطاق العريض; سوق من المتوقع أن تصل إلى أكثر من $1 مليار بواسطة 2022. كفاءتنا الأساسية هي إضافة المزيد من القيمة لعملائنا’ المنتج النهائي. تضع مقاييس الأداء والتكلفة لدينا معايير في صناعة كربيد السيليكون.
