ترانزستورات تقاطع SiC سريعة النضج تتميز بمكاسب التيار (ب) > 130, منع الفولتية تصل إلى 2700 V وعملية مستقرة على المدى الطويل
استقرار الخصائص الكهربائية لترانزستورات التقاطع "الفائقة" المصنوعة من SiC في ظل التشغيل طويل الأمد للتيار المستمر والنبض في درجات حرارة مختلفة
200 V SiC "Super" Junction Transistors تعمل في 250 درجة مئوية مع فقد طاقة منخفض للغاية لتطبيقات تحويل الطاقة
متعدد كيلوهرتز, تم أخذ عينات الثايرستور المصنوعة من كربيد السيليكون ذات الجهد العالي إلى باحثين أمريكيين