شركة GeneSiC الرائدة في صناعة MOSFETs 6.5 كيلو فولت – طليعة موجة جديدة من التطبيقات
دول, فيرجينيا, اكتوبر 20, 2020 — تطلق GeneSiC وحدات MOSFET من كربيد السيليكون 6.5 كيلو فولت لتتصدر الصدارة في تقديم مستويات غير مسبوقة من الأداء, الكفاءة والموثوقية في تطبيقات تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط…
GeneSiC يفوز بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لمحول مقوم ترانزستور متآلف قائم على SiC
دول, فيرجينيا, ديسمبر 5, 2019 — ص&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2019 ص&د 100 جائزة تطوير القائم على SiC…
أنظمة الطاقة في بودو (ص 46)
مايو, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC Diode Copack لتطبيقات الطاقة الإلكترونية
تكنولوجيا إلكترونيات القوى (ص 36)
تموز, 2011 – 1200 V / 100 A Si IGBT / SiC Diode Copack يخفض خسائر التحويل
أنظمة الطاقة في بودو (ص 36)
اكتوبر, 2011 – أداء كهربائي متميز بدرجة حرارة عالية من ترانزستورات تقاطع SiC "Super"
