دول, فيرجينيا, شهر نوفمبر 1, 2010 –في أول عرض من نوعه, تعلن GeneSiC Semiconductor عن توفر عائلة من ثايرستور كربيد السيليكون 6.5 كيلو فولت بوضع SCR لاستخدامها في إلكترونيات الطاقة لتطبيقات الشبكة الذكية. من المتوقع أن تحفز مزايا الأداء الثورية لأجهزة الطاقة هذه الابتكارات الرئيسية في أجهزة إلكترونيات الطاقة على نطاق المرافق لزيادة إمكانية الوصول إلى موارد الطاقة الموزعة واستغلالها (ال). "الى الآن, كربيد السيليكون متعدد كيلو فولت (SiC) لم تكن أجهزة الطاقة متاحة علنًا للباحثين الأمريكيين للاستفادة الكاملة من المزايا المعروفة - أي ترددات التشغيل 2-10 كيلو هرتز عند تصنيفات 5-15 كيلو فولت - لأجهزة الطاقة القائمة على SiC. " علق د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. أكملت GeneSiC مؤخرًا تسليم العديد من 6.5kV / 40A, 6.5الثايرستور kV / 60A و 6.5kV / 80A لعدة عملاء يجرون أبحاثًا في مجال الطاقة المتجددة, تطبيقات أنظمة القوى العسكرية والبحرية. يتم الآن تقديم أجهزة SiC بهذه التصنيفات على نطاق أوسع ".
توفر الثايرستور القائم على كربيد السيليكون جهدًا أعلى 10 مرات, 100X ترددات تبديل أسرع وتشغيل بدرجة حرارة أعلى مقارنة بالثايرستور التقليدي القائم على السيليكون. تشمل فرص بحث التطبيقات المستهدفة لهذه الأجهزة تحويل طاقة الجهد المتوسط للأغراض العامة (MVDC), محولات الطاقة الشمسية المرتبطة بالشبكة, محولات طاقة الرياح, قوة نبضية, أنظمة الأسلحة, التحكم في الاشتعال, والتحكم في الزناد. لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) كربيد السيليكون (SiC) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, معوضات VAR الثابتة والمعوضات المتسلسلة. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية.
الدكتور. يواصل سينغ "من المتوقع أن تفتح الأسواق واسعة النطاق في المحطات الفرعية الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح بعد أن يدرك الباحثون في مجال تحويل الطاقة بشكل كامل فوائد SiC Thyristors. يستخدم الجيل الأول من ثايرستور SiC أقل انخفاض موضّح للجهد في الحالة ومقاومات تفاضلية على الإطلاق تم تحقيقها في SiC Thyristors. نعتزم إطلاق الأجيال القادمة من SiC Thyristors المُحسَّنة لقدرة إيقاف التشغيل التي تتحكم فيها البوابة و >10تقييمات كيلو فولت. مع استمرارنا في تطوير حلول التعبئة والتغليف ذات الجهد العالي للغاية بدرجة الحرارة العالية, يتم تعبئة الثايرستور الحالي 6.5 كيلو فولت في وحدات مع جهات اتصال ملحومة بالكامل, يقتصر على درجات حرارة تقاطع 150 درجة مئوية ". GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.
تقع بالقرب من واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.
