إن الوعد بارتفاع درجة الحرارة في ترانزستورات SiC الذي تم تحقيقه من خلال الحزم المتوافقة مع معايير الصناعة سيعزز بشكل كبير مشغلات قاع البئر والفضاء وإمدادات الطاقة
دالاس, فرجينيا., ديسمبر 10, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن توافرها الفوري من خلال موزعيها وتعبئتها بشكل مباشر بدرجة حرارة عالية 600 V الترانزستورات تقاطع SiC (SJT) في ال 3-50 تصنيفات Amperes الحالية في معيار الصناعة JEDEC من خلال حزم التثبيت على السطح والفتحة. دمج هذه درجات الحرارة العالية, منخفضة على المقاومة, ترانزستورات كربيد كربيد عالية التردد في عبوات محكمة الغلق, سيزيد جنود درجة الحرارة المرتفعة والتغليف من كفاءة التحويل ويقلل من حجم / وزن / حجم تطبيقات تحويل الطاقة ذات درجة الحرارة العالية.
مزود طاقة معاصر بدرجة حرارة عالية, التحكم في المحركات ودوائر المشغل المستخدمة في تطبيقات النفط / الغاز / قاع البئر والفضاء تعاني من عدم توفر محلول كربيد السيليكون عالي الحرارة. تعاني ترانزستورات السليكون من كفاءة دارة منخفضة وأحجام كبيرة لأنها تعاني من تيارات تسرب عالية وخصائص تحويل رديئة منخفضة. تصبح كلتا المعلمتين أسوأ في درجات حرارة التقاطع العالية. مع البيئات المقيدة حراريا, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم ترانزستورات SiC المعبأة بشكل محكم خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في قدرة تطبيقات قاع البئر والفضاء. GeneSiC's 650 V / 3-50 A SiC Junction Transistors تتميز بزمن تبديل قريب من الصفر لا يتغير مع درجة الحرارة. ال 210التوفر الأجهزة المصنفة لدرجة حرارة الوصلات C هوامش درجة حرارة كبيرة نسبيًا للتطبيقات التي تعمل في بيئات قاسية.
تعرض ترانزستورات التوصيل التي تقدمها GeneSiC قدرة تحويل فائقة السرعة, منطقة عمليات آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA), بالإضافة إلى فقدان الطاقة العابر المستقل عن درجة الحرارة وأوقات التبديل. هذه المفاتيح خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرة على أن تكون مدفوعة بالتجارة, متاح بشكل شائع 15 السائقين بوابة V IGBT, على عكس مفاتيح SiC الأخرى. مع توفير التوافق مع برامج تشغيل SiC JFET, يمكن موازاة ترانزستورات تقاطع SiC بسهولة بسبب خصائصها العابرة المطابقة.
“مع استمرار مصممي تطبيقات قاع البئر والفضاء في دفع حدود تردد التشغيل, مع الاستمرار في المطالبة بكفاءات عالية في الدائرة, يحتاجون إلى مفاتيح SiC التي يمكن أن تقدم معيارًا للأداء, الموثوقية وتوحيد الإنتاج. الاستفادة من ابتكارات الجهاز والتصنيع الفريدة, تساعد منتجات SJT من GeneSiC المصممين على تحقيق كل ذلك في حل أكثر قوة. هذه المنتجات تكمل مقوم SiC المغلف المحكم الذي تم إصداره العام الماضي بواسطة GeneSiC, ومنتجات القوالب العارية التي صدرت في وقت سابق من هذا العام, بينما يمهد الطريق لنا لتقديم درجة حرارة عالية, الحث المنخفض, وحدات الطاقة في المستقبل القريب ” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.
عزل TO-257 مع 600 في SJTs:
- 65 م اوم / 20 امبير (2N7639-GA); 170 م اوم / 8 امبير (2N7637-GA); و 425 م اوم / 4 امبير (2N7635-GA)
- تيjmax = 210الج
- تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <50 نانوثانية نموذجية.
- يموت العارية المطابق GA20JT06-CAL (في 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (في 2N7637-GA); و GA05JT06-CAL (في 2N7635-GA)
حزمة النموذج الأولي TO-258 غير المعزولة مع 600 SJTs
- 25 م اوم / 50 امبير (حزمة النموذج الأولي GA50JT06-258)
- تيjmax = 210الج
- تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <50 نانوثانية نموذجية.
- المطابقة Bare Die GA50JT06-CAL (في GA50JT06-258)
سطح جبل TO-276 (SMD0.5) مع 600 SJTs
- 65 م اوم / 20 امبير (2N7640-GA); 170 م اوم / 8 امبير (2N7638-GA); و 425 م اوم / 4 امبير (2N7636-GA)
- تيjmax = 210الج
- تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <50 نانوثانية نموذجية.
جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في عبوات محكمة الإغلاق. الدعم الفني ونماذج الدوائر سبايس متوفرة. تتوفر الأجهزة على الفور من GeneSiC مباشرة و / أو من خلال الموزعين المعتمدين.
حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.
شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.
للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
