توفر مفاتيح SiC خسائر توصيل أقل وقدرة فائقة على ماس كهربائى تم إصدارها لدارات الطاقة عالية التردد
دالاس, فرجينيا., أكتوبر 28, 2014 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوفر الفوري لعائلة من 1700V و 1200 V SiC Junction Transistors في عبوات TO-247. استخدام الجهد العالي, تردد عالي, ستعمل ترانزستورات SiC Junction ذات درجة الحرارة العالية والمقاومة المنخفضة على زيادة كفاءة التحويل وتقليل حجم / وزن / حجم تطبيقات إلكترونيات الطاقة التي تتطلب جهدًا أعلى للحافلة. هذه الأجهزة موجهة للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك شبكات DC الصغيرة, شواحن المركبات السريعة, الخادم, إمدادات الطاقة للاتصالات والشبكات, إمدادات الطاقة غير المنقطعة, محولات الطاقة الشمسية, أنظمة طاقة الرياح, وأنظمة التحكم في المحركات الصناعية.
SiC Junction Transistors (SJT) التي تقدمها GeneSiC تعرض قدرة تحويل فائقة السرعة (على غرار ذلك من SiC MOSFETs), منطقة عمليات آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA), بالإضافة إلى فقدان الطاقة العابر المستقل عن درجة الحرارة وأوقات التبديل. هذه المفاتيح خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرة على أن يقودها سائقي البوابات التجارية, على عكس مفاتيح SiC الأخرى. تتمثل المزايا الفريدة لـ SJT على عكس محولات SiC الأخرى في موثوقيتها العالية على المدى الطويل, >10 القدرة على ماس كهربائى usec, والقدرة على الانهيار الجليدي المتفوق
“تقدم SJTs المحسنة مكاسب حالية أعلى بكثير (>100), أداء مستقر وقوي للغاية مقارنة بمفاتيح SiC الأخرى. تقدم SJTs من GeneSiC خسائر توصيل منخفضة للغاية في التيارات المقدرة كخسائر إيقاف تشغيل فائقة في دوائر الطاقة. الاستفادة من ابتكارات الجهاز والتصنيع الفريدة, تساعد منتجات Transistor من GeneSiC المصممين على تحقيق حل أكثر قوة,” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.
1700 صدر V SiC Junction Transistor
- 25 م اوم (GA50JT17-247), 65 م اوم (GA16JT17-247), 220 م اوم (GA04JT17-247)
- الكسب الحالي (حFE) >90
- تيjmax = 175الج
- تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <30 نانوثانية نموذجية.
1200 صدر V SiC Junction Transistor
- 25 م اوم (GA50JT12-247), 120 اوم (GA10JT12-247), 210 م اوم (GA05JT12-247)
- الكسب الحالي (حFE) >90
- تيjmax = 175الج
- تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <30 نانوثانية نموذجية.
جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, حزم TO-247 المتوافقة مع RoHS. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.
للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/التجاري-كذا / كذا-مفرق-الترانزستورات /
