نشر على بواسطة محرر 0

ترانزستورات ومقومات كربيد السيليكون ذات درجة الحرارة العالية للأغراض العامة معروضة بتكلفة منخفضة

درجة حرارة عالية (>210الج) تقدم ترانزستورات ومعدلات التوصيل في عبوات العلب المعدنية ذات الشكل الصغير مزايا أداء ثورية لمجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك التضخيم, دوائر منخفضة الضوضاء وضوابط مشغل قاع البئر

دول, فيرجينيا, مارس 9, 2015 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوافر الفوري لخط مضغوط, ترانزستورات تقاطع كربيد كربيد عالية الحرارة بالإضافة إلى خط من المقومات في عبوات العلب المعدنية TO-46. تم تصميم هذه المكونات المنفصلة وتصنيعها لتعمل في درجات حرارة محيطة أعلى من 215الج. استخدام درجات حرارة عالية, ترانزستورات ومقومات SiC القادرة على الجهد المنخفض والمقاومة المنخفضة ستقلل من حجم / وزن / حجم تطبيقات الإلكترونيات التي تتطلب معالجة طاقة أعلى في درجات حرارة مرتفعة. هذه الأجهزة مستهدفة للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك مجموعة متنوعة من دوائر قاع البئر, الأجهزة الحرارية الأرضية, يشتغل الملف اللولبي, تضخيم للأغراض العامة, وإمدادات الطاقة في وضع التبديل.

درجة حرارة عالية من SiC مفرق الترانزستورات (SJT) التي تقدمها GeneSiC تعرض أوقات ارتفاع / هبوط أقل من 10 نانوثانية >10 تبديل MHz بالإضافة إلى منطقة تشغيل آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA). فقدان الطاقة العابر وأوقات التبديل مستقلة عن درجة حرارة الوصلة. هذه المفاتيح خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرة على أن تكون مدفوعة 0/+5 السائقين بوابة V TTL, على عكس مفاتيح SiC الأخرى. تتمثل المزايا الفريدة لـ SJT على عكس محولات SiC الأخرى في موثوقيتها العالية على المدى الطويل, >20 القدرة على ماس كهربائى usec, والقدرة على الانهيار الجليدي المتفوق. يمكن استخدام هذه الأجهزة كمضخمات فعالة لأنها تعد بخطية أعلى بكثير من أي مفتاح SiC آخر.

تُظهر مقومات شوتكي عالية الحرارة المصنوعة من SiC التي تقدمها GeneSiC انخفاضًا في الجهد الكهربائي على الحالة, وأقل تيارات تسرب في الصناعة عند درجات حرارة مرتفعة. مع درجة حرارة مستقلة, خصائص تبديل الاسترداد العكسي القريبة من الصفر, مقومات SiC Schottky هي مرشحة مثالية للاستخدام بكفاءة عالية, دوائر درجة حرارة عالية. عبوات العلب المعدنية TO-46 بالإضافة إلى عمليات التغليف المصاحبة المستخدمة لإنشاء هذه المنتجات تمكن بشكل حاسم من الاستخدام طويل المدى حيث تكون الموثوقية العالية أمرًا بالغ الأهمية.

“تم تصميم منتجات الترانزستور والمعدلات من GeneSiC وتصنيعها من الأساس إلى أعلى لتمكين التشغيل في درجات حرارة عالية. توفر مجموعات SJT المدمجة TO-46 هذه مكاسب عالية الحالية (>110), 0/+5 التحكم V TTL, وأداء قوي. توفر هذه الأجهزة خسائر توصيل منخفضة وخطية عالية. نصمم خط المقومات "SHT" الخاص بنا, لتوفير تيارات منخفضة التسرب في درجات حرارة عالية. تعمل هذه المنتجات المعدنية المعبأة على زيادة TO-257 ومنتجات SMD المعدنية التي تم إصدارها العام الماضي لتقديم عامل الشكل الصغير, محاليل مقاومة للاهتزاز” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

تشمل المنتجات التي تم إصدارها اليوم:TO-46 SiC الترانزستور الثنائيات

240 mOhm SiC Junction Transistors:

  • 300 جهد منع الخامس. رقم القطعة GA05JT03-46
  • 100 جهد منع الخامس. رقم القطعة GA05JT01-46
  • الكسب الحالي (حFE) >110
  • تيjmax = 210الج
  • تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <10 نانوثانية نموذجية.

يصل إلى 4 أمبير ارتفاع درجة الحرارة الثنائيات شوتكي:

  • 600 جهد منع الخامس. رقم القطعة GB02SHT06-46
  • 300 جهد منع الخامس. رقم القطعة GB02SHT03-46
  • 100 جهد منع الخامس. رقم القطعة GB02SHT01-46
  • إجمالي الشحنة بالسعة 9 ان سي
  • تيjmax = 210الج.

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في عبوات معدنية TO-46. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك وحدات السيليكون الثنائي. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط في قاع البئر, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; و https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.