1200 فئة V 4H-SiC “ممتاز” تقاطع الترانزستورات مع المكاسب الحالية من 88 والقدرة على التبديل بسرعة فائقة
200 V SiC "Super" Junction Transistors تعمل في 250 درجة مئوية مع فقد طاقة منخفض للغاية لتطبيقات تحويل الطاقة
استغلال درجة الحرارة المرتفعة التي تحملها SiC
استغلال درجة الحرارة المرتفعة التي تحملها SiC
كربيد السيليكون “ممتاز” لوحة تبديل النبض المزدوج
كربيد السيليكون “ممتاز” لوحة تبديل النبض المزدوج