نشر على 2019-06-102020-05-11الكشف السريع عن النيوترونات باستخدام كاشفات شبه عازلة من كربيد السيليكون يونيو, 2008 الكشف السريع عن النيوترونات باستخدام كاشفات شبه عازلة من كربيد السيليكون
نشر على 2019-06-102020-05-11تطوير أجهزة كشف الإشعاع بالاعتماد على كربيد السيليكون شبه العازل أكتوبر, 2008 تطوير أجهزة كشف الإشعاع بالاعتماد على كربيد السيليكون شبه العازل
نشر على 2019-06-102020-05-11الارتباط بين عمر إعادة تركيب الناقل وانخفاض الجهد الأمامي في ثنائيات 4H-SiC PiN سبتمبر, 2010 الارتباط بين عمر إعادة تركيب الناقل وانخفاض الجهد الأمامي في ثنائيات 4H-SiC PiN
نشر على 2019-06-102020-05-11Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers سبتمبر, 2011 Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers
نشر على 2019-06-102020-05-1112.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes سبتمبر, 2011 12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
نشر على 2019-06-102020-05-111200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance تموز, 2012 1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance
نشر على 2019-06-102020-05-1115 kV SiC PiN diodes achieve 95% of avalanche limit and stable long-term operation مارس, 2013 15 kV SiC PiN diodes achieve 95% of avalanche limit and stable long-term operation