فئة: تصريحات صحفيه

توفر مفاتيح SiC خسائر توصيل أقل وقدرة فائقة على ماس كهربائى تم إصدارها لدارات الطاقة عالية التردد

دالاس, فرجينيا., أكتوبر 28, 2014 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوفر الفوري لعائلة من 1700V و 1200 V SiC Junction Transistors في عبوات TO-247. استخدام الجهد العالي, تردد عالي, ستعمل ترانزستورات SiC Junction ذات درجة الحرارة العالية والمقاومة المنخفضة على زيادة كفاءة التحويل وتقليل حجم / وزن / حجم تطبيقات إلكترونيات الطاقة التي تتطلب جهدًا أعلى للحافلة. هذه الأجهزة موجهة للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك شبكات DC الصغيرة, شواحن المركبات السريعة, الخادم, إمدادات الطاقة للاتصالات والشبكات, إمدادات الطاقة غير المنقطعة, محولات الطاقة الشمسية, أنظمة طاقة الرياح, وأنظمة التحكم في المحركات الصناعية.

SiC Junction Transistors (SJT) التي تقدمها GeneSiC تعرض قدرة تحويل فائقة السرعة (على غرار ذلك من SiC MOSFETs), منطقة عمليات آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA), بالإضافة إلى فقدان الطاقة العابر المستقل عن درجة الحرارة وأوقات التبديل. هذه المفاتيح خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرة على أن يقودها سائقي البوابات التجارية, على عكس مفاتيح SiC الأخرى. تتمثل المزايا الفريدة لـ SJT على عكس محولات SiC الأخرى في موثوقيتها العالية على المدى الطويل, >10 القدرة على ماس كهربائى usec, والقدرة على الانهيار الجليدي المتفوق

“تقدم SJTs المحسنة مكاسب حالية أعلى بكثير (>100), أداء مستقر وقوي للغاية مقارنة بمفاتيح SiC الأخرى. تقدم SJTs من GeneSiC خسائر توصيل منخفضة للغاية في التيارات المقدرة كخسائر إيقاف تشغيل فائقة في دوائر الطاقة. الاستفادة من ابتكارات الجهاز والتصنيع الفريدة, تساعد منتجات Transistor من GeneSiC المصممين على تحقيق حل أكثر قوة,” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

1700 صدر V SiC Junction Transistor

• 25 م اوم (GA50JT17-247), 65 م اوم (GA16JT17-247), 220 م اوم (GA04JT17-247)
• الكسب الحالي (ح_FE) >90
• تي_jmax = 175^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <30 نانوثانية نموذجية.

1200 صدر V SiC Junction Transistor

• 25 م اوم (GA50JT12-247), 120 اوم (GA10JT12-247), 210 م اوم (GA05JT12-247)
• الكسب الحالي (ح_FE) >90
• تي_jmax = 175^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <30 نانوثانية نموذجية.

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, حزم TO-247 المتوافقة مع RoHS. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/التجاري-كذا / كذا-مفرق-الترانزستورات /

تقدم ترانزستور ومقومات SiC من GeneSiC مزايا مهمة نحو تحقيق أهداف تحدي الصندوق الصغير

مثال رائع من الفن. ترانزستورات طاقة كربيد السيليكون & مقومات. متاح. الآن!

لدى GeneSiC مجموعة واسعة من المنتجات المتاحة الآن في جميع أنحاء العالم من كبار الموزعين

يموت العارية رقاقة شكل من أشكال أجهزة SiC متاح مباشرة من المصنع (يرجى ملء النموذج أدناه)

منفصله SJTs و مقومات في تصنيفات درجات الحرارة التجارية (175درجة مئوية)

منفصله HiT SJTق و مقومات HiT في درجة حرارة عالية (تصل إلى 250 درجة مئوية)

تقدم GeneSiC أكبر مجموعة متنوعة من منتجات SiC - في المنتجات المعبأة وكذلك تنسيق القوالب العارية للسماح بقدر أكبر من المرونة في التصميم والابتكار. يسعى GeneSiC باستمرار للبقاء في المقدمة من خلال إدخال الجديد, منتجات مبتكرة. إذا كنت لا ترى المنتج المحدد الذي تبحث عنه اليوم, قد تراه في المستقبل القريب.

إن الوعد بارتفاع درجة الحرارة في ترانزستورات SiC الذي تم تحقيقه من خلال الحزم المتوافقة مع معايير الصناعة سيعزز بشكل كبير مشغلات قاع البئر والفضاء وإمدادات الطاقة

دالاس, فرجينيا., ديسمبر 10, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن توافرها الفوري من خلال موزعيها وتعبئتها بشكل مباشر بدرجة حرارة عالية 600 V الترانزستورات تقاطع SiC (SJT) في ال 3-50 تصنيفات Amperes الحالية في معيار الصناعة JEDEC من خلال حزم التثبيت على السطح والفتحة. دمج هذه درجات الحرارة العالية, منخفضة على المقاومة, ترانزستورات كربيد كربيد عالية التردد في عبوات محكمة الغلق, سيزيد جنود درجة الحرارة المرتفعة والتغليف من كفاءة التحويل ويقلل من حجم / وزن / حجم تطبيقات تحويل الطاقة ذات درجة الحرارة العالية.

مزود طاقة معاصر بدرجة حرارة عالية, التحكم في المحركات ودوائر المشغل المستخدمة في تطبيقات النفط / الغاز / قاع البئر والفضاء تعاني من عدم توفر محلول كربيد السيليكون عالي الحرارة. تعاني ترانزستورات السليكون من كفاءة دارة منخفضة وأحجام كبيرة لأنها تعاني من تيارات تسرب عالية وخصائص تحويل رديئة منخفضة. تصبح كلتا المعلمتين أسوأ في درجات حرارة التقاطع العالية. مع البيئات المقيدة حراريا, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم ترانزستورات SiC المعبأة بشكل محكم خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في قدرة تطبيقات قاع البئر والفضاء. GeneSiC's 650 V / 3-50 A SiC Junction Transistors تتميز بزمن تبديل قريب من الصفر لا يتغير مع درجة الحرارة. ال 210^التوفر الأجهزة المصنفة لدرجة حرارة الوصلات C هوامش درجة حرارة كبيرة نسبيًا للتطبيقات التي تعمل في بيئات قاسية.

تعرض ترانزستورات التوصيل التي تقدمها GeneSiC قدرة تحويل فائقة السرعة, منطقة عمليات آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA), بالإضافة إلى فقدان الطاقة العابر المستقل عن درجة الحرارة وأوقات التبديل. هذه المفاتيح خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرة على أن تكون مدفوعة بالتجارة, متاح بشكل شائع 15 السائقين بوابة V IGBT, على عكس مفاتيح SiC الأخرى. مع توفير التوافق مع برامج تشغيل SiC JFET, يمكن موازاة ترانزستورات تقاطع SiC بسهولة بسبب خصائصها العابرة المطابقة.

“مع استمرار مصممي تطبيقات قاع البئر والفضاء في دفع حدود تردد التشغيل, مع الاستمرار في المطالبة بكفاءات عالية في الدائرة, يحتاجون إلى مفاتيح SiC التي يمكن أن تقدم معيارًا للأداء, الموثوقية وتوحيد الإنتاج. الاستفادة من ابتكارات الجهاز والتصنيع الفريدة, تساعد منتجات SJT من GeneSiC المصممين على تحقيق كل ذلك في حل أكثر قوة. هذه المنتجات تكمل مقوم SiC المغلف المحكم الذي تم إصداره العام الماضي بواسطة GeneSiC, ومنتجات القوالب العارية التي صدرت في وقت سابق من هذا العام, بينما يمهد الطريق لنا لتقديم درجة حرارة عالية, الحث المنخفض, وحدات الطاقة في المستقبل القريب ” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

عزل TO-257 مع 600 في SJTs:

• 65 م اوم / 20 امبير (2N7639-GA); 170 م اوم / 8 امبير (2N7637-GA); و 425 م اوم / 4 امبير (2N7635-GA)
• تي_jmax = 210^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <50 نانوثانية نموذجية.
• يموت العارية المطابق GA20JT06-CAL (في 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (في 2N7637-GA); و GA05JT06-CAL (في 2N7635-GA)

حزمة النموذج الأولي TO-258 غير المعزولة مع 600 SJTs

• 25 م اوم / 50 امبير (حزمة النموذج الأولي GA50JT06-258)
• تي_jmax = 210^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <50 نانوثانية نموذجية.
• المطابقة Bare Die GA50JT06-CAL (في GA50JT06-258)

سطح جبل TO-276 (SMD0.5) مع 600 SJTs

• 65 م اوم / 20 امبير (2N7640-GA); 170 م اوم / 8 امبير (2N7638-GA); و 425 م اوم / 4 امبير (2N7636-GA)
• تي_jmax = 210^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <50 نانوثانية نموذجية.

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في عبوات محكمة الإغلاق. الدعم الفني ونماذج الدوائر سبايس متوفرة. تتوفر الأجهزة على الفور من GeneSiC مباشرة و / أو من خلال الموزعين المعتمدين.

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

الجهد العالي, صمامات SiC Schottky Diodes الخالية من الاستعادة العكسية لتمكين محولات الطاقة الشمسية وتجميعات الجهد العالي بشكل حاسم من خلال تقديم إمكانات تركيب سطح عامل الشكل الأصغر

دالاس, فرجينيا., نوفمبر 19, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوفر الفوري لعائلة SMB المتوافقة مع معايير الصناعة (JEDEC DO-214AA) معبأة مقومات SiC في 650 - 3300 نطاق V.. دمج هذه الفولتية العالية, عكس الانتعاش خالية, ستعمل ثنائيات SiC ذات التردد العالي ودرجة الحرارة العالية على زيادة كفاءة التحويل وتقليل حجم / وزن / حجم التجميعات متعددة كيلوفولت. تستهدف هذه المنتجات محولات الطاقة الشمسية الدقيقة بالإضافة إلى دوائر مضاعف الجهد المستخدمة في مجموعة واسعة من الأشعة السينية, مصادر طاقة مولد الليزر والجسيمات.

قد تعاني محولات الطاقة الشمسية الدقيقة المعاصرة ودوائر مضاعف الجهد من كفاءات منخفضة للدوائر وأحجام كبيرة بسبب تيارات الاسترداد العكسي من مقومات السيليكون. في درجات حرارة تقاطع أعلى المعدل, يصبح هذا الوضع أسوأ لأن تيار الاسترداد العكسي في مقومات السيليكون يزيد مع زيادة درجة الحرارة. مع القيود الحرارية تجميعات الجهد العالي, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم مقومات SiC عالية الجهد خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في محولات الطاقة الشمسية الدقيقة وتجميعات الجهد العالي. GeneSiC's 650 الخامس / 1 أ; 1200 V / 2 A و 3300 تتميز مقومات V / 0.3 A Schottky بتيار استرداد عكسي صفري لا يتغير مع درجة الحرارة. ال 3300 توفر الأجهزة ذات التصنيف V جهدًا عاليًا نسبيًا في جهاز واحد مما يسمح بتخفيض مراحل مضاعفة الجهد المطلوبة في دوائر المولدات عالية الجهد النموذجية, من خلال استخدام جهد إدخال تيار متردد أعلى. تسمح خصائص التحويل شبه المثالية بإلغاء / تقليل كبير لشبكات موازنة الجهد ودوائر snubber. SMB (DO-214AA) تتميز العبوة المفرطة الشكل بعامل الشكل القياسي للصناعة للتجمعات المثبتة على السطح.

تأتي عروض المنتجات هذه من سنوات من جهود التطوير المستمرة في GeneSiC من أجل تقديم أجهزة وحزم مقنعة. نعتقد أن عامل الشكل SMB هو عامل تمييز رئيسي لسوق Micro Solar Inverter و Voltage Multiplier, وسيسمح بفوائد كبيرة لعملائنا. التردد المنخفض من GeneSiC, تعمل مقومات SiC Schottky ذات السعة المنخفضة وحزم SMB المحسنة على تمكين هذا المنتج المذهل” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

1200 V / 2 صمام ثنائي شوتكي SMB SiC SiC (GB02SLT12-214) النقاط البارزة الفنية

• VF النموذجي = 1.5 الخامس
• تي_jmax = 175^الج
• رسوم الاسترداد العكسي = 14 ان سي.

3300 V / 0.3 A SMB SiC Schottky Diode (GAP3SLT33-214) النقاط البارزة الفنية

• VF النموذجي = 1.7 الخامس
• تي_jmax = 175^الج
• رسوم الاسترداد العكسي = 52 ان سي.

650 V / 1 A SMB SiC Schottky Diode (GB01SLT06-214) النقاط البارزة الفنية

• VF النموذجي = 1.5 الخامس
• تي_jmax = 175^الج
• رسوم الاسترداد العكسي = 7 ان سي.

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, متوافق مع RoHS SMB (DO-214AA) الحزم. الدعم الفني ونماذج الدوائر سبايس متوفرة. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/index.php / كذا المنتجات / شوتكي

تجميعات الجهد العالي للاستفادة من مقومات السعة المنخفضة هذه التي توفر تيارات استرداد عكسي صفرية مستقلة عن درجة الحرارة في عبوات معزولة

شلالات نهر اللص / دالاس, فرجينيا., مايو 28, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة عن التوافر الفوري لـ 3300 مقومات شوتكي V / 0.3 أمبير SiC – GAP3SLT33-220FP. هذا المنتج الفريد يمثل أعلى معدل جهد كهربائي SiC في السوق, ويستهدف بشكل خاص دوائر مضاعف الجهد وتجميعات الجهد العالي المستخدمة في مجموعة واسعة من الأشعة السينية, مصادر طاقة مولد الليزر والجسيمات.

تعاني دارات مضاعف الجهد المعاصرة من كفاءات منخفضة للدوائر وأحجامها الكبيرة لأن تيارات الاسترداد العكسي من مقومات السيليكون تقوم بتفريغ المكثفات المتصلة المتوازية. في درجات حرارة تقاطع أعلى المعدل, يصبح هذا الوضع أسوأ لأن تيار الاسترداد العكسي في مقومات السيليكون يزيد مع زيادة درجة الحرارة. مع القيود الحرارية تجميعات الجهد العالي, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم مقومات SiC عالية الجهد خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في تركيبات الجهد العالي. GeneSiC's 3300 تتميز مقومات V / 0.3 A Schottky بتيار استرداد عكسي صفري لا يتغير مع درجة الحرارة. يسمح هذا الجهد المرتفع نسبيًا في جهاز واحد بتخفيض مراحل مضاعفة الجهد المطلوبة في دوائر المولدات عالية الجهد النموذجية, من خلال استخدام جهد إدخال تيار متردد أعلى. تسمح خصائص التحويل شبه المثالية بإلغاء / تقليل كبير لشبكات موازنة الجهد ودوائر snubber. تتميز الحزمة المعزولة TO-220 Full Pack ذات الصب المفرط بعامل الشكل القياسي للصناعة مع تباعد أكبر بين المسامير في مجموعات الفتحات.

"يأتي عرض هذا المنتج من سنوات من الجهود المستمرة في GeneSiC. نعتقد أن 3300 يعتبر التصنيف V أحد العوامل الرئيسية التي تميز سوق المولدات عالية الجهد, وسيسمح بفوائد كبيرة لعملائنا. التردد المنخفض من GeneSiC, إن مقومات SiC Schottky ذات السعة المنخفضة تمكن هذا المنتج الرائع” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

3300 V / 0.3 A المميزات الفنية لمعدل SiC

• إسقاط على الدولة من 1.7 V في 0.3 أ
• معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
• تي_jmax = 175^الج
• شحنة سعوية 52 ان سي (نموذجي).

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, TO-220FP المتوافقة مع RoHS (حزمة كاملة) الحزم. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزع المعتمد لشركة GeneSiC, Digikey.

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة www.genesicsemi.com

دوائر الجهد العالي والتجميعات للاستفادة من رقائق SiC التي توفر معدلات جهد غير مسبوقة وتبديل عالي السرعة

دالاس, فرجينيا., نوفمبر 7, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة عن التوافر الفوري لـ 8000 مقومات V SiC PiN; 8000 مقومات V SiC Schottky, 3300 مقومات V SiC Schottky و 6500 V SiC Thyristors في شكل قالب مكشوف. تمثل هذه المنتجات الفريدة أجهزة SiC ذات الجهد العالي في السوق, ويستهدف بشكل خاص أجهزة النفط والغاز, دوائر مضاعف الجهد ومجموعات الجهد العالي.

تعاني دارات الجهد العالي المعاصرة من كفاءات منخفضة للدوائر وأحجامها الكبيرة لأن تيارات الاسترداد العكسي من مقومات السيليكون تقوم بتفريغ المكثفات المتصلة المتوازية. في درجات حرارة تقاطع أعلى المعدل, يزداد هذا الوضع سوءًا نظرًا لأن تيار الاسترداد العكسي في مقومات السيليكون يزيد مع زيادة درجة الحرارة. مع القيود الحرارية تجميعات الجهد العالي, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم مقومات SiC عالية الجهد خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في تركيبات الجهد العالي. GeneSiC's 8000 V و 3300 مقومات V Schottky تتميز بتيار استرداد عكسي صفري لا يتغير مع درجة الحرارة. يسمح هذا الجهد المرتفع نسبيًا في جهاز واحد بتخفيض مراحل مضاعفة الجهد المطلوبة في دوائر المولدات عالية الجهد النموذجية, من خلال استخدام جهد إدخال تيار متردد أعلى. تسمح خصائص التحويل شبه المثالية بإلغاء / تقليل كبير لشبكات موازنة الجهد ودوائر snubber. 8000 توفر مقومات V PiN مستويات حالية أعلى ودرجات حرارة تشغيل أعلى. 6500 تتوفر أيضًا رقائق V SiC Thyristor لتسريع R&د ـ الأنظمة الجديدة.

"تُظهر هذه المنتجات الريادة القوية لشركة GeneSiC في تطوير رقائق SiC في تصنيفات متعددة كيلوفولت. نعتقد أن 8000 يتجاوز التصنيف V ما يمكن أن تقدمه أجهزة السيليكون في درجات الحرارة المقدرة, وسيسمح بفوائد كبيرة لعملائنا. التردد المنخفض من GeneSiC, ستتيح مقومات SiC و Thyristors ذات السعة المنخفضة تحقيق مزايا على مستوى النظام لم تكن ممكنة من قبل” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

8000 V / 2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Technical Highlights

• تي_jmax = 210^الج
• تيارات التسرب العكسي < 50 uA في 175^الج
• رسوم الاسترداد العكسي 558 ان سي (نموذجي).

8000 V / 50 مللي أمبير SiC Bare Die Schottky Rectifier التقنية

• السعة الكلية 25 ص (نموذجي, في -1 الخامس, 25^الج).
• معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
• تي_jmax = 175^الج

6500 الملامح الفنية لقالب V SiC Thyristor Bare Die

• ثلاثة عروض - 80 أمبير (GA080TH65-CAU); 60 أمبير (GA060TH65-CAU); و 40 أمبير (GA040TH65-CAU)
• تي_jmax = 200^الج

3300 V / 0.3 A المميزات الفنية لمعدل SiC Bare Die Rectifier

• إسقاط على الدولة من 1.7 V في 0.3 أ
• معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
• تي_jmax = 175^الج
• شحنة سعوية 52 ان سي (نموذجي).

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie