فئة: أخبار

مزيج SiC الترانزستور-الصمام الثنائي المعبأ بشكل مشترك قوي, معزول, 4-محتوي على الرصاص, تعمل عبوات الوحدات الصغيرة على تقليل فقد الطاقة أثناء التشغيل وتمكن من تصميمات الدوائر المرنة لمحولات الطاقة عالية التردد

دول, فيرجينيا, مايو 13, 2015 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوافر الفوري لـ 20 mOhm-1200 V SiC Junction Transistor-Diodes في معزولة, 4-عبوة مكونة من وحدات صغيرة رائدة تتيح خسائر منخفضة للغاية في طاقات التشغيل مع توفير مرونة, تصميمات معيارية في محولات الطاقة عالية التردد. استخدام الترددات العالية, ترانزستورات ومقومات SiC القادرة على الجهد المنخفض والمقاومة المنخفضة ستقلل من حجم / وزن / حجم تطبيقات الإلكترونيات التي تتطلب معالجة طاقة أعلى عند ترددات تشغيل عالية. هذه الأجهزة موجهة للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك السخانات الحثية, مولدات البلازما, شواحن سريعة, محولات DC-DC, وإمدادات الطاقة في وضع التبديل.

ترانزستورات تقاطع كربيد SiC معبأة بشكل مشترك (SJT)-مقومات SiC التي تقدمها GeneSiC قابلة للتطبيق بشكل فريد على تطبيقات التحويل الاستقرائي لأن SJTs هي عروض التبديل ذات النطاق العريض الوحيدة >10 القدرة على ماس كهربائى متكرر microsec, حتى في 80% من الفولتية المقدرة (على سبيل المثال. 960 V من أجل a 1200 جهاز V.). بالإضافة إلى أوقات الصعود / الانخفاض دون 10 نانوثانية ومنطقة تشغيل آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA), تعمل محطة عودة البوابة في التكوين الجديد بشكل كبير على تحسين القدرة على تقليل طاقات التحويل. توفر هذه الفئة الجديدة من المنتجات فقدًا مؤقتًا للطاقة وأوقات تبديل مستقلة عن درجة حرارة التوصيل. ترانزستورات تقاطع SiC من GeneSiC خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرون على القيادة بجهد منخفض للبوابة, على عكس مفاتيح SiC الأخرى.
تُظهر مقومات SiC Schottky المستخدمة في هذه الوحدات الصغيرة انخفاضات الجهد المنخفض على الحالة, معدلات تدفق جيدة للتيار وأقل تيارات تسرب في الصناعة عند درجات حرارة مرتفعة. مع درجة حرارة مستقلة, خصائص تبديل الاسترداد العكسي القريبة من الصفر, مقومات SiC Schottky هي مرشحة مثالية للاستخدام في الدوائر عالية الكفاءة.
“تم تصميم وتصنيع منتجات SiC Transistor and Rectifier من GeneSiC لتحقيق خسائر منخفضة على الحالة والتبديل. يعد الجمع بين هذه التقنيات في حزمة مبتكرة بأداء مثالي في دوائر الطاقة التي تتطلب أجهزة ذات فجوة نطاق واسعة. توفر عبوة الوحدة الصغيرة مرونة كبيرة في التصميم للاستخدام في مجموعة متنوعة من دوائر الطاقة مثل H-Bridge, Flyback والمحولات متعددة المستويات” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.
المنتج الذي صدر اليوم يشمل
20 mOhm / 1200 V SiC Junction Transistor / Rectifier Co-pack (GA50SICP12-227):
• حزمة معزولة SOT-227 / mini-block / Isotop
• كسب تيار الترانزستور (hFE) >100
• Tjmax = 175 درجة مئوية (محدودة بالتغليف)
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <10 نانوثانية نموذجية.

جميع الأجهزة 100% تم اختباره للجهد الكامل / التصنيفات الحالية. تتوفر الأجهزة على الفور من GeneSiC's الموزعين المعتمدين.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة: https://192.168.88.14/التجارية-كذا / كذا-وحدات- copack /

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك وحدات السيليكون الثنائي. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط في قاع البئر, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

درجة حرارة عالية (>210^الج) تقدم ترانزستورات ومعدلات التوصيل في عبوات العلب المعدنية ذات الشكل الصغير مزايا أداء ثورية لمجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك التضخيم, دوائر منخفضة الضوضاء وضوابط مشغل قاع البئر

دول, فيرجينيا, مارس 9, 2015 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوافر الفوري لخط مضغوط, ترانزستورات تقاطع كربيد كربيد عالية الحرارة بالإضافة إلى خط من المقومات في عبوات العلب المعدنية TO-46. تم تصميم هذه المكونات المنفصلة وتصنيعها لتعمل في درجات حرارة محيطة أعلى من 215^الج. استخدام درجات حرارة عالية, ترانزستورات ومقومات SiC القادرة على الجهد المنخفض والمقاومة المنخفضة ستقلل من حجم / وزن / حجم تطبيقات الإلكترونيات التي تتطلب معالجة طاقة أعلى في درجات حرارة مرتفعة. هذه الأجهزة مستهدفة للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك مجموعة متنوعة من دوائر قاع البئر, الأجهزة الحرارية الأرضية, يشتغل الملف اللولبي, تضخيم للأغراض العامة, وإمدادات الطاقة في وضع التبديل.

درجة حرارة عالية من SiC مفرق الترانزستورات (SJT) التي تقدمها GeneSiC تعرض أوقات ارتفاع / هبوط أقل من 10 نانوثانية >10 تبديل MHz بالإضافة إلى منطقة تشغيل آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA). فقدان الطاقة العابر وأوقات التبديل مستقلة عن درجة حرارة الوصلة. هذه المفاتيح خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرة على أن تكون مدفوعة 0/+5 السائقين بوابة V TTL, على عكس مفاتيح SiC الأخرى. تتمثل المزايا الفريدة لـ SJT على عكس محولات SiC الأخرى في موثوقيتها العالية على المدى الطويل, >20 القدرة على ماس كهربائى usec, والقدرة على الانهيار الجليدي المتفوق. يمكن استخدام هذه الأجهزة كمضخمات فعالة لأنها تعد بخطية أعلى بكثير من أي مفتاح SiC آخر.

تُظهر مقومات شوتكي عالية الحرارة المصنوعة من SiC التي تقدمها GeneSiC انخفاضًا في الجهد الكهربائي على الحالة, وأقل تيارات تسرب في الصناعة عند درجات حرارة مرتفعة. مع درجة حرارة مستقلة, خصائص تبديل الاسترداد العكسي القريبة من الصفر, مقومات SiC Schottky هي مرشحة مثالية للاستخدام بكفاءة عالية, دوائر درجة حرارة عالية. عبوات العلب المعدنية TO-46 بالإضافة إلى عمليات التغليف المصاحبة المستخدمة لإنشاء هذه المنتجات تمكن بشكل حاسم من الاستخدام طويل المدى حيث تكون الموثوقية العالية أمرًا بالغ الأهمية.

“تم تصميم منتجات الترانزستور والمعدلات من GeneSiC وتصنيعها من الأساس إلى أعلى لتمكين التشغيل في درجات حرارة عالية. توفر مجموعات SJT المدمجة TO-46 هذه مكاسب عالية الحالية (>110), 0/+5 التحكم V TTL, وأداء قوي. توفر هذه الأجهزة خسائر توصيل منخفضة وخطية عالية. نصمم خط المقومات "SHT" الخاص بنا, لتوفير تيارات منخفضة التسرب في درجات حرارة عالية. تعمل هذه المنتجات المعدنية المعبأة على زيادة TO-257 ومنتجات SMD المعدنية التي تم إصدارها العام الماضي لتقديم عامل الشكل الصغير, محاليل مقاومة للاهتزاز” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

تشمل المنتجات التي تم إصدارها اليوم:

240 mOhm SiC Junction Transistors:

• 300 جهد منع الخامس. رقم القطعة GA05JT03-46
• 100 جهد منع الخامس. رقم القطعة GA05JT01-46
• الكسب الحالي (ح_FE) >110
• تي_jmax = 210^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <10 نانوثانية نموذجية.

يصل إلى 4 أمبير ارتفاع درجة الحرارة الثنائيات شوتكي:

• 600 جهد منع الخامس. رقم القطعة GB02SHT06-46
• 300 جهد منع الخامس. رقم القطعة GB02SHT03-46
• 100 جهد منع الخامس. رقم القطعة GB02SHT01-46
• إجمالي الشحنة بالسعة 9 ان سي
• تي_jmax = 210^الج.

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في عبوات معدنية TO-46. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك وحدات السيليكون الثنائي. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط في قاع البئر, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; و https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

لوحة سائق البوابة المُحسَّنة لسرعات التحويل العالية والنماذج القائمة على السلوك تُمكِّن مهندسي التصميم الإلكتروني المحترفين من التحقق من مزايا SJTs وتحديدها في التقييم على مستوى اللوحة ومحاكاة الدائرة

دول, V.A., نوفمبر 19, 2014 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) أعلنت أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوفر الفوري للوحة تقييم Gate Driver ووسعت من دعمها التصميمي للمفاتيح ذات أدنى خسارة في الصناعة - ترانزستور تقاطع SiC (SJT) - مع نموذج LTSPICE IV مؤهل بالكامل. باستخدام لوحة سائق البوابة الجديدة, يمكن لمصممي دارات تحويل الطاقة التحقق من فوائد أقل من 15 نانوثانية, خصائص تبديل درجة الحرارة المستقلة للترانزستورات تقاطع SiC, مع خسائر طاقة منخفضة للسائق. دمج موديلات سبايس الجديدة, يمكن لمصممي الدوائر بسهولة تقييم الفوائد التي توفرها SJTs من GeneSiC لتحقيق مستوى أعلى من الكفاءة مما هو ممكن مع أجهزة تبديل طاقة السيليكون التقليدية للأجهزة ذات التصنيف المقارن.

تتميز ترانزستورات SiC Junction بخصائص مختلفة بشكل كبير عن تقنيات ترانزستور SiC الأخرى, وكذلك السيليكون الترانزستورات. كانت هناك حاجة إلى لوحات محرك البوابة التي يمكن أن توفر فقدًا منخفضًا للطاقة مع الاستمرار في تقديم سرعات تحويل عالية لتوفير حلول محرك للاستفادة من مزايا ترانزستورات تقاطع SiC. GeneSiC معزولة تماما GA03IDDJT30-FR4 تأخذ لوحة سائق البوابة 0 / 12V وإشارة TTL لتهيئة أشكال موجة الجهد / التيار المطلوبة على النحو الأمثل لتوفير أوقات صعود / هبوط صغيرة, مع الاستمرار في التقليل من متطلبات التيار المستمر للحفاظ على إجراء SJT بشكل طبيعي-OFF أثناء التشغيل. يتم الاحتفاظ بتكوين الدبوس وعوامل الشكل مشابهة لترانزستورات SiC الأخرى. أصدرت GeneSiC أيضًا ملفات Gerber و BOMs للمستخدم النهائي لتمكينهم من دمج فوائد ابتكارات تصميم السائق المحققة.

تقدم SJTs حسن التصرف على الحالة وخصائص التبديل, مما يجعل من السهل إنشاء نماذج سبايس القائمة على السلوك والتي تتوافق بشكل جيد مع النماذج الأساسية القائمة على الفيزياء أيضًا. استخدام النماذج الفيزيائية الراسخة والمفهومة, تم إصدار معلمات SPICE بعد إجراء اختبارات مكثفة لسلوك الجهاز. تتم مقارنة نماذج SPICE من GeneSiC بالبيانات المقاسة تجريبياً في جميع أوراق بيانات الجهاز وهي قابلة للتطبيق على جميع 1200 V و 1700 صدر V SiC Junction Transistors.
SJTs من GeneSiC قادرة على توصيل ترددات تحويل أكثر من 15 مرات أعلى من الحلول المستندة إلى IGBT. يمكن لترددات التحويل العالية أن تتيح عناصر مغناطيسية وسعوية أصغر, وبالتالي تقلص الحجم الكلي, وزن وتكلفة أنظمة إلكترونيات القوى.

يضيف نموذج SiC Junction Transistor SPICE هذا إلى مجموعة GeneSiC الشاملة من أدوات دعم التصميم, الوثائق الفنية, ومعلومات الموثوقية لتزويد مهندسي إلكترونيات الطاقة بموارد التصميم اللازمة لتنفيذ مجموعة GeneSiC الشاملة من ترانزستورات ومعدلات تقاطع SiC في الجيل التالي من أنظمة الطاقة.

يمكن تنزيل أوراق بيانات GeneSiC's Gate Driver Board ونماذج SJT SPICE من https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

توفر مفاتيح SiC خسائر توصيل أقل وقدرة فائقة على ماس كهربائى تم إصدارها لدارات الطاقة عالية التردد

دالاس, فرجينيا., أكتوبر 28, 2014 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوفر الفوري لعائلة من 1700V و 1200 V SiC Junction Transistors في عبوات TO-247. استخدام الجهد العالي, تردد عالي, ستعمل ترانزستورات SiC Junction ذات درجة الحرارة العالية والمقاومة المنخفضة على زيادة كفاءة التحويل وتقليل حجم / وزن / حجم تطبيقات إلكترونيات الطاقة التي تتطلب جهدًا أعلى للحافلة. هذه الأجهزة موجهة للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك شبكات DC الصغيرة, شواحن المركبات السريعة, الخادم, إمدادات الطاقة للاتصالات والشبكات, إمدادات الطاقة غير المنقطعة, محولات الطاقة الشمسية, أنظمة طاقة الرياح, وأنظمة التحكم في المحركات الصناعية.

SiC Junction Transistors (SJT) التي تقدمها GeneSiC تعرض قدرة تحويل فائقة السرعة (على غرار ذلك من SiC MOSFETs), منطقة عمليات آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA), بالإضافة إلى فقدان الطاقة العابر المستقل عن درجة الحرارة وأوقات التبديل. هذه المفاتيح خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرة على أن يقودها سائقي البوابات التجارية, على عكس مفاتيح SiC الأخرى. تتمثل المزايا الفريدة لـ SJT على عكس محولات SiC الأخرى في موثوقيتها العالية على المدى الطويل, >10 القدرة على ماس كهربائى usec, والقدرة على الانهيار الجليدي المتفوق

“تقدم SJTs المحسنة مكاسب حالية أعلى بكثير (>100), أداء مستقر وقوي للغاية مقارنة بمفاتيح SiC الأخرى. تقدم SJTs من GeneSiC خسائر توصيل منخفضة للغاية في التيارات المقدرة كخسائر إيقاف تشغيل فائقة في دوائر الطاقة. الاستفادة من ابتكارات الجهاز والتصنيع الفريدة, تساعد منتجات Transistor من GeneSiC المصممين على تحقيق حل أكثر قوة,” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

1700 صدر V SiC Junction Transistor

• 25 م اوم (GA50JT17-247), 65 م اوم (GA16JT17-247), 220 م اوم (GA04JT17-247)
• الكسب الحالي (ح_FE) >90
• تي_jmax = 175^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <30 نانوثانية نموذجية.

1200 صدر V SiC Junction Transistor

• 25 م اوم (GA50JT12-247), 120 اوم (GA10JT12-247), 210 م اوم (GA05JT12-247)
• الكسب الحالي (ح_FE) >90
• تي_jmax = 175^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <30 نانوثانية نموذجية.

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, حزم TO-247 المتوافقة مع RoHS. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/التجاري-كذا / كذا-مفرق-الترانزستورات /

تقدم ترانزستور ومقومات SiC من GeneSiC مزايا مهمة نحو تحقيق أهداف تحدي الصندوق الصغير

مثال رائع من الفن. ترانزستورات طاقة كربيد السيليكون & مقومات. متاح. الآن!

لدى GeneSiC مجموعة واسعة من المنتجات المتاحة الآن في جميع أنحاء العالم من كبار الموزعين

يموت العارية رقاقة شكل من أشكال أجهزة SiC متاح مباشرة من المصنع (يرجى ملء النموذج أدناه)

منفصله SJTs و مقومات في تصنيفات درجات الحرارة التجارية (175درجة مئوية)

منفصله HiT SJTق و مقومات HiT في درجة حرارة عالية (تصل إلى 250 درجة مئوية)

تقدم GeneSiC أكبر مجموعة متنوعة من منتجات SiC - في المنتجات المعبأة وكذلك تنسيق القوالب العارية للسماح بقدر أكبر من المرونة في التصميم والابتكار. يسعى GeneSiC باستمرار للبقاء في المقدمة من خلال إدخال الجديد, منتجات مبتكرة. إذا كنت لا ترى المنتج المحدد الذي تبحث عنه اليوم, قد تراه في المستقبل القريب.

إن الوعد بارتفاع درجة الحرارة في ترانزستورات SiC الذي تم تحقيقه من خلال الحزم المتوافقة مع معايير الصناعة سيعزز بشكل كبير مشغلات قاع البئر والفضاء وإمدادات الطاقة

دالاس, فرجينيا., ديسمبر 10, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن توافرها الفوري من خلال موزعيها وتعبئتها بشكل مباشر بدرجة حرارة عالية 600 V الترانزستورات تقاطع SiC (SJT) في ال 3-50 تصنيفات Amperes الحالية في معيار الصناعة JEDEC من خلال حزم التثبيت على السطح والفتحة. دمج هذه درجات الحرارة العالية, منخفضة على المقاومة, ترانزستورات كربيد كربيد عالية التردد في عبوات محكمة الغلق, سيزيد جنود درجة الحرارة المرتفعة والتغليف من كفاءة التحويل ويقلل من حجم / وزن / حجم تطبيقات تحويل الطاقة ذات درجة الحرارة العالية.

مزود طاقة معاصر بدرجة حرارة عالية, التحكم في المحركات ودوائر المشغل المستخدمة في تطبيقات النفط / الغاز / قاع البئر والفضاء تعاني من عدم توفر محلول كربيد السيليكون عالي الحرارة. تعاني ترانزستورات السليكون من كفاءة دارة منخفضة وأحجام كبيرة لأنها تعاني من تيارات تسرب عالية وخصائص تحويل رديئة منخفضة. تصبح كلتا المعلمتين أسوأ في درجات حرارة التقاطع العالية. مع البيئات المقيدة حراريا, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم ترانزستورات SiC المعبأة بشكل محكم خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في قدرة تطبيقات قاع البئر والفضاء. GeneSiC's 650 V / 3-50 A SiC Junction Transistors تتميز بزمن تبديل قريب من الصفر لا يتغير مع درجة الحرارة. ال 210^التوفر الأجهزة المصنفة لدرجة حرارة الوصلات C هوامش درجة حرارة كبيرة نسبيًا للتطبيقات التي تعمل في بيئات قاسية.

تعرض ترانزستورات التوصيل التي تقدمها GeneSiC قدرة تحويل فائقة السرعة, منطقة عمليات آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA), بالإضافة إلى فقدان الطاقة العابر المستقل عن درجة الحرارة وأوقات التبديل. هذه المفاتيح خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرة على أن تكون مدفوعة بالتجارة, متاح بشكل شائع 15 السائقين بوابة V IGBT, على عكس مفاتيح SiC الأخرى. مع توفير التوافق مع برامج تشغيل SiC JFET, يمكن موازاة ترانزستورات تقاطع SiC بسهولة بسبب خصائصها العابرة المطابقة.

“مع استمرار مصممي تطبيقات قاع البئر والفضاء في دفع حدود تردد التشغيل, مع الاستمرار في المطالبة بكفاءات عالية في الدائرة, يحتاجون إلى مفاتيح SiC التي يمكن أن تقدم معيارًا للأداء, الموثوقية وتوحيد الإنتاج. الاستفادة من ابتكارات الجهاز والتصنيع الفريدة, تساعد منتجات SJT من GeneSiC المصممين على تحقيق كل ذلك في حل أكثر قوة. هذه المنتجات تكمل مقوم SiC المغلف المحكم الذي تم إصداره العام الماضي بواسطة GeneSiC, ومنتجات القوالب العارية التي صدرت في وقت سابق من هذا العام, بينما يمهد الطريق لنا لتقديم درجة حرارة عالية, الحث المنخفض, وحدات الطاقة في المستقبل القريب ” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

عزل TO-257 مع 600 في SJTs:

• 65 م اوم / 20 امبير (2N7639-GA); 170 م اوم / 8 امبير (2N7637-GA); و 425 م اوم / 4 امبير (2N7635-GA)
• تي_jmax = 210^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <50 نانوثانية نموذجية.
• يموت العارية المطابق GA20JT06-CAL (في 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (في 2N7637-GA); و GA05JT06-CAL (في 2N7635-GA)

حزمة النموذج الأولي TO-258 غير المعزولة مع 600 SJTs

• 25 م اوم / 50 امبير (حزمة النموذج الأولي GA50JT06-258)
• تي_jmax = 210^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <50 نانوثانية نموذجية.
• المطابقة Bare Die GA50JT06-CAL (في GA50JT06-258)

سطح جبل TO-276 (SMD0.5) مع 600 SJTs

• 65 م اوم / 20 امبير (2N7640-GA); 170 م اوم / 8 امبير (2N7638-GA); و 425 م اوم / 4 امبير (2N7636-GA)
• تي_jmax = 210^الج
• تشغيل / ايقاف; صعود / سقوط الأوقات <50 نانوثانية نموذجية.

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في عبوات محكمة الإغلاق. الدعم الفني ونماذج الدوائر سبايس متوفرة. تتوفر الأجهزة على الفور من GeneSiC مباشرة و / أو من خلال الموزعين المعتمدين.

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

الجهد العالي, صمامات SiC Schottky Diodes الخالية من الاستعادة العكسية لتمكين محولات الطاقة الشمسية وتجميعات الجهد العالي بشكل حاسم من خلال تقديم إمكانات تركيب سطح عامل الشكل الأصغر

دالاس, فرجينيا., نوفمبر 19, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوفر الفوري لعائلة SMB المتوافقة مع معايير الصناعة (JEDEC DO-214AA) معبأة مقومات SiC في 650 - 3300 نطاق V.. دمج هذه الفولتية العالية, عكس الانتعاش خالية, ستعمل ثنائيات SiC ذات التردد العالي ودرجة الحرارة العالية على زيادة كفاءة التحويل وتقليل حجم / وزن / حجم التجميعات متعددة كيلوفولت. تستهدف هذه المنتجات محولات الطاقة الشمسية الدقيقة بالإضافة إلى دوائر مضاعف الجهد المستخدمة في مجموعة واسعة من الأشعة السينية, مصادر طاقة مولد الليزر والجسيمات.

قد تعاني محولات الطاقة الشمسية الدقيقة المعاصرة ودوائر مضاعف الجهد من كفاءات منخفضة للدوائر وأحجام كبيرة بسبب تيارات الاسترداد العكسي من مقومات السيليكون. في درجات حرارة تقاطع أعلى المعدل, يصبح هذا الوضع أسوأ لأن تيار الاسترداد العكسي في مقومات السيليكون يزيد مع زيادة درجة الحرارة. مع القيود الحرارية تجميعات الجهد العالي, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم مقومات SiC عالية الجهد خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في محولات الطاقة الشمسية الدقيقة وتجميعات الجهد العالي. GeneSiC's 650 الخامس / 1 أ; 1200 V / 2 A و 3300 تتميز مقومات V / 0.3 A Schottky بتيار استرداد عكسي صفري لا يتغير مع درجة الحرارة. ال 3300 توفر الأجهزة ذات التصنيف V جهدًا عاليًا نسبيًا في جهاز واحد مما يسمح بتخفيض مراحل مضاعفة الجهد المطلوبة في دوائر المولدات عالية الجهد النموذجية, من خلال استخدام جهد إدخال تيار متردد أعلى. تسمح خصائص التحويل شبه المثالية بإلغاء / تقليل كبير لشبكات موازنة الجهد ودوائر snubber. SMB (DO-214AA) تتميز العبوة المفرطة الشكل بعامل الشكل القياسي للصناعة للتجمعات المثبتة على السطح.

تأتي عروض المنتجات هذه من سنوات من جهود التطوير المستمرة في GeneSiC من أجل تقديم أجهزة وحزم مقنعة. نعتقد أن عامل الشكل SMB هو عامل تمييز رئيسي لسوق Micro Solar Inverter و Voltage Multiplier, وسيسمح بفوائد كبيرة لعملائنا. التردد المنخفض من GeneSiC, تعمل مقومات SiC Schottky ذات السعة المنخفضة وحزم SMB المحسنة على تمكين هذا المنتج المذهل” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

1200 V / 2 صمام ثنائي شوتكي SMB SiC SiC (GB02SLT12-214) النقاط البارزة الفنية

• VF النموذجي = 1.5 الخامس
• تي_jmax = 175^الج
• رسوم الاسترداد العكسي = 14 ان سي.

3300 V / 0.3 A SMB SiC Schottky Diode (GAP3SLT33-214) النقاط البارزة الفنية

• VF النموذجي = 1.7 الخامس
• تي_jmax = 175^الج
• رسوم الاسترداد العكسي = 52 ان سي.

650 V / 1 A SMB SiC Schottky Diode (GB01SLT06-214) النقاط البارزة الفنية

• VF النموذجي = 1.5 الخامس
• تي_jmax = 175^الج
• رسوم الاسترداد العكسي = 7 ان سي.

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, متوافق مع RoHS SMB (DO-214AA) الحزم. الدعم الفني ونماذج الدوائر سبايس متوفرة. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/index.php / كذا المنتجات / شوتكي

تجميعات الجهد العالي للاستفادة من مقومات السعة المنخفضة هذه التي توفر تيارات استرداد عكسي صفرية مستقلة عن درجة الحرارة في عبوات معزولة

شلالات نهر اللص / دالاس, فرجينيا., مايو 28, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة عن التوافر الفوري لـ 3300 مقومات شوتكي V / 0.3 أمبير SiC – GAP3SLT33-220FP. هذا المنتج الفريد يمثل أعلى معدل جهد كهربائي SiC في السوق, ويستهدف بشكل خاص دوائر مضاعف الجهد وتجميعات الجهد العالي المستخدمة في مجموعة واسعة من الأشعة السينية, مصادر طاقة مولد الليزر والجسيمات.

تعاني دارات مضاعف الجهد المعاصرة من كفاءات منخفضة للدوائر وأحجامها الكبيرة لأن تيارات الاسترداد العكسي من مقومات السيليكون تقوم بتفريغ المكثفات المتصلة المتوازية. في درجات حرارة تقاطع أعلى المعدل, يصبح هذا الوضع أسوأ لأن تيار الاسترداد العكسي في مقومات السيليكون يزيد مع زيادة درجة الحرارة. مع القيود الحرارية تجميعات الجهد العالي, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم مقومات SiC عالية الجهد خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في تركيبات الجهد العالي. GeneSiC's 3300 تتميز مقومات V / 0.3 A Schottky بتيار استرداد عكسي صفري لا يتغير مع درجة الحرارة. يسمح هذا الجهد المرتفع نسبيًا في جهاز واحد بتخفيض مراحل مضاعفة الجهد المطلوبة في دوائر المولدات عالية الجهد النموذجية, من خلال استخدام جهد إدخال تيار متردد أعلى. تسمح خصائص التحويل شبه المثالية بإلغاء / تقليل كبير لشبكات موازنة الجهد ودوائر snubber. تتميز الحزمة المعزولة TO-220 Full Pack ذات الصب المفرط بعامل الشكل القياسي للصناعة مع تباعد أكبر بين المسامير في مجموعات الفتحات.

"يأتي عرض هذا المنتج من سنوات من الجهود المستمرة في GeneSiC. نعتقد أن 3300 يعتبر التصنيف V أحد العوامل الرئيسية التي تميز سوق المولدات عالية الجهد, وسيسمح بفوائد كبيرة لعملائنا. التردد المنخفض من GeneSiC, إن مقومات SiC Schottky ذات السعة المنخفضة تمكن هذا المنتج الرائع” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

3300 V / 0.3 A المميزات الفنية لمعدل SiC

• إسقاط على الدولة من 1.7 V في 0.3 أ
• معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
• تي_jmax = 175^الج
• شحنة سعوية 52 ان سي (نموذجي).

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, TO-220FP المتوافقة مع RoHS (حزمة كاملة) الحزم. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزع المعتمد لشركة GeneSiC, Digikey.

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة www.genesicsemi.com

دوائر الجهد العالي والتجميعات للاستفادة من رقائق SiC التي توفر معدلات جهد غير مسبوقة وتبديل عالي السرعة

دالاس, فرجينيا., نوفمبر 7, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة عن التوافر الفوري لـ 8000 مقومات V SiC PiN; 8000 مقومات V SiC Schottky, 3300 مقومات V SiC Schottky و 6500 V SiC Thyristors في شكل قالب مكشوف. تمثل هذه المنتجات الفريدة أجهزة SiC ذات الجهد العالي في السوق, ويستهدف بشكل خاص أجهزة النفط والغاز, دوائر مضاعف الجهد ومجموعات الجهد العالي.

تعاني دارات الجهد العالي المعاصرة من كفاءات منخفضة للدوائر وأحجامها الكبيرة لأن تيارات الاسترداد العكسي من مقومات السيليكون تقوم بتفريغ المكثفات المتصلة المتوازية. في درجات حرارة تقاطع أعلى المعدل, يزداد هذا الوضع سوءًا نظرًا لأن تيار الاسترداد العكسي في مقومات السيليكون يزيد مع زيادة درجة الحرارة. مع القيود الحرارية تجميعات الجهد العالي, ترتفع درجات حرارة الوصلات بسهولة تامة حتى عند مرور التيارات المتواضعة. تقدم مقومات SiC عالية الجهد خصائص فريدة تعد بإحداث ثورة في تركيبات الجهد العالي. GeneSiC's 8000 V و 3300 مقومات V Schottky تتميز بتيار استرداد عكسي صفري لا يتغير مع درجة الحرارة. يسمح هذا الجهد المرتفع نسبيًا في جهاز واحد بتخفيض مراحل مضاعفة الجهد المطلوبة في دوائر المولدات عالية الجهد النموذجية, من خلال استخدام جهد إدخال تيار متردد أعلى. تسمح خصائص التحويل شبه المثالية بإلغاء / تقليل كبير لشبكات موازنة الجهد ودوائر snubber. 8000 توفر مقومات V PiN مستويات حالية أعلى ودرجات حرارة تشغيل أعلى. 6500 تتوفر أيضًا رقائق V SiC Thyristor لتسريع R&د ـ الأنظمة الجديدة.

"تُظهر هذه المنتجات الريادة القوية لشركة GeneSiC في تطوير رقائق SiC في تصنيفات متعددة كيلوفولت. نعتقد أن 8000 يتجاوز التصنيف V ما يمكن أن تقدمه أجهزة السيليكون في درجات الحرارة المقدرة, وسيسمح بفوائد كبيرة لعملائنا. التردد المنخفض من GeneSiC, ستتيح مقومات SiC و Thyristors ذات السعة المنخفضة تحقيق مزايا على مستوى النظام لم تكن ممكنة من قبل” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

8000 V / 2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Technical Highlights

• تي_jmax = 210^الج
• تيارات التسرب العكسي < 50 uA في 175^الج
• رسوم الاسترداد العكسي 558 ان سي (نموذجي).

8000 V / 50 مللي أمبير SiC Bare Die Schottky Rectifier التقنية

• السعة الكلية 25 ص (نموذجي, في -1 الخامس, 25^الج).
• معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
• تي_jmax = 175^الج

6500 الملامح الفنية لقالب V SiC Thyristor Bare Die

• ثلاثة عروض - 80 أمبير (GA080TH65-CAU); 60 أمبير (GA060TH65-CAU); و 40 أمبير (GA040TH65-CAU)
• تي_jmax = 200^الج

3300 V / 0.3 A المميزات الفنية لمعدل SiC Bare Die Rectifier

• إسقاط على الدولة من 1.7 V في 0.3 أ
• معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
• تي_jmax = 175^الج
• شحنة سعوية 52 ان سي (نموذجي).

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

للمزيد من المعلومات, يرجى زيارة https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie