نشر على

Hybrid SiC Schottky Rectifier / Si IGBT Modules من GeneSiC تتيح تشغيل 175 درجة مئوية

دول, فيرجينيا, مارس 5, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن توافر الجيل الثاني من الوحدات المصغرة الهجينة باستخدام 1200 V / 100 Amperes SiC Schottky Rectifiers with Silicon IGBTs - GB100XCP12-227. تسمح نقطة سعر الأداء التي يتم عندها إصدار هذا المنتج للعديد من تطبيقات تحويل الطاقة بالاستفادة من تقليل التكلفة / الحجم / الوزن / الحجم الذي لا يوفره حل Silicon IGBT / Silicon Rectifier, ولا يمكن أن تقدمه وحدة SiC نقية. هذه الأجهزة موجهة للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك المحركات الصناعية, محولات الطاقة الشمسية, المعدات المتخصصة وتطبيقات شبكة الطاقة.

وحدات صغيرة SiC Schottky / Si IGBT (الحزم المشتركة) التي تقدمها GeneSiC مصنوعة من Si IGBTs التي تعرض معامل درجة حرارة إيجابيًا للانخفاض في الحالة, تصميم قوي لكمة, عملية ذات درجة حرارة عالية وخصائص تحويل سريعة يمكن أن تكون مدفوعة بالتجارة, متاح بشكل شائع 15 السائقين بوابة V IGBT. تسمح مقومات SiC المستخدمة في وحدات الحزم المشتركة هذه بحزم تحريض منخفضة للغاية, انخفاض الجهد المنخفض على الدولة وعدم الانتعاش العكسي. توفر حزمة SOT-227 لوحة أساسية معزولة, 12ملم تصميم جانبي منخفض يمكن استخدامه بمرونة كبيرة كعنصر دائرة مستقل, التكوين المتوازي الحالي العالي, أ الساق المرحلة (وحدتين), أو كعنصر دائرة مروحية.

“لقد استمعنا إلى عملائنا الرئيسيين منذ العرض الأولي لهذا المنتج تقريبًا 2 منذ سنوات. هذا الجيل الثاني 1200 V / 100 منتج حزمة مشتركة لديه تصميم منخفض الحث ومناسب للتردد العالي, تطبيقات درجات الحرارة العالية. يحد ضعف درجة الحرارة المرتفعة وخصائص الاسترداد العكسي لثنائيات السيليكون بشكل كبير من استخدام IGBT في درجات حرارة أعلى. التردد المنخفض من GeneSiC, تعمل ثنائيات SiC Schottky ذات السعة المنخفضة على تمكين هذا المنتج المذهل” قال د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

1200 الملامح الفنية لمعدل V / 100 A Si IGBT / SiC

  • إسقاط على الدولة من 1.9 V في 100 أ
  • معامل درجة الحرارة الموجب على الطبول
  • Tjmax = 175 درجة مئوية
  • فقدان الطاقة أثناء التشغيل 23 ميكرو جول (نموذجي).

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, حزم SOT-227 المتوافقة مع معايير RoHS الصناعية. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.

حول شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة, والمورد العالمي لمجموعة واسعة من أشباه موصلات الطاقة. تشتمل مجموعة أجهزتها على مقوم قائم على SiC, الترانزستور, ومنتجات الثايرستور, وكذلك منتجات مقوم السيليكون. طور GeneSiC الملكية الفكرية والمعرفة التقنية الواسعة التي تشمل أحدث التطورات في أجهزة طاقة SiC, مع المنتجات التي تستهدف الطاقة البديلة, السيارات, حفر النفط أوله, التحكم في المحرك, مزود الطاقة, وسائل النقل, وتطبيقات إمدادات الطاقة غير المنقطعة. حصلت GeneSiC على العديد من عقود البحث والتطوير من الوكالات الحكومية الأمريكية, بما في ذلك ARPA-E, قسم الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, DTRA, ووزارة الأمن الداخلي, فضلا عن كبار المقاولين الحكوميين. في 2011, فازت الشركة بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لتسويق ثايرستورات SiC ذات الجهد العالي جدًا.

نشر على

تقدم GeneSiC ترانزستورات تقاطع كربيد السيليكون

دول, فيرجينيا, شهر فبراير 25, 2013 — جينيسيك أشباه الموصلات, مورد رائد وعالمي لمجموعة واسعة من كربيد السيليكون (SiC) تعلن أشباه موصلات الطاقة اليوم عن التوفر الفوري لعائلة من 1700V و 1200 V الترانزستورات تقاطع SiC. دمج الجهد العالي, ستعمل ترانزستورات SiC Junction ذات التردد العالي ودرجة الحرارة العالية على زيادة كفاءة التحويل وتقليل حجم / وزن / حجم إلكترونيات الطاقة. هذه الأجهزة مستهدفة للاستخدام في مجموعة متنوعة من التطبيقات بما في ذلك الخادم, إمدادات الطاقة للاتصالات والشبكات, إمدادات الطاقة غير المنقطعة, محولات الطاقة الشمسية, أنظمة التحكم في المحركات الصناعية, وتطبيقات قاع البئر.

تعرض ترانزستورات التوصيل التي تقدمها GeneSiC قدرة تحويل فائقة السرعة, منطقة عمليات آمنة منحازة عكسية مربعة (RBSOA), بالإضافة إلى فقدان الطاقة العابر المستقل عن درجة الحرارة وأوقات التبديل. هذه المفاتيح خالية من أكسيد البوابة, بشكل طبيعي, تظهر درجة حرارة إيجابية مشتركة على المقاومة, وقادرة على أن تكون مدفوعة بالتجارة, متاح بشكل شائع 15 السائقين بوابة V IGBT, على عكس مفاتيح SiC الأخرى. مع توفير التوافق مع برامج تشغيل SiC JFET, يمكن موازاة ترانزستورات التقاطع بسهولة بسبب خصائصها العابرة المطابقة.

“مع استمرار مصممي أنظمة الطاقة في دفع حدود تردد التشغيل, مع الاستمرار في المطالبة بكفاءات عالية في الدائرة, الحاجة إلى مفاتيح SiC التي يمكن أن توفر معيارًا للأداء وتوحيد الإنتاج. الاستفادة من ابتكارات الجهاز والتصنيع الفريدة, تساعد منتجات Transistor من GeneSiC المصممين على تحقيق كل ذلك في حل أكثر قوة,” قال د. رانبير سينغ , رئيس GeneSiC أشباه الموصلات.

1700 يسلط الضوء على التقنية تقاطع الترانزستور الخامس

  • ثلاثة عروض - 110 م اوم (GA16JT17-247); 250 م اوم (GA08JT17-247); و 500 م اوم (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175 درجة مئوية
  • تشغيل / إيقاف أوقات الصعود / الخريف <50 نانوثانية نموذجية.

1200 يسلط الضوء على التقنية تقاطع الترانزستور الخامس

  • عرضان - 220 م اوم (GA06JT12-247); و 460 م اوم (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175 درجة مئوية
  • تشغيل / إيقاف أوقات الصعود / الخريف <50 نانوثانية نموذجية

جميع الأجهزة 100% تم اختباره وفقًا لتصنيفات الجهد / التيار الكامل ويتم وضعه في مكان خالٍ من الهالوجين, حزم TO-247 المتوافقة مع RoHS. تتوفر الأجهزة على الفور من الموزعين المعتمدين لشركة GeneSiC.

نشر على

فيزياء جديدة تجعل الثايرستور يصل إلى مستوى أعلى

دول, فيرجينيا, شهر اغسطس 30, 2011 - فيزياء جديدة تجعل الثايرستور يصل إلى مستوى أعلى

توفر شبكة الطاقة الكهربائية طاقة موثوقة بمساعدة الأجهزة الإلكترونية التي تضمن السلاسة, تدفق موثوق للطاقة. الى الآن, تم الاعتماد على التجميعات القائمة على السيليكون, لكنهم لم يتمكنوا من التعامل مع متطلبات الشبكة الذكية. مواد ذات فجوة واسعة النطاق مثل كربيد السيليكون (SiC) تقدم بديلاً أفضل لأنها قادرة على سرعات تحويل أعلى, جهد انهيار أعلى, خسائر تحويل أقل, ودرجة حرارة تقاطع أعلى من المفاتيح التقليدية القائمة على السيليكون. أول جهاز قائم على SiC يصل إلى السوق هو الثايرستور كربيد السيليكون عالي الجهد (SiC الثايرستور), تم تطويره بواسطة GeneSiC Semiconductor Inc., دالاس, فرجينيا., بدعم من مختبرات سانديا الوطنية, البوكيرك, ن., الولايات المتحدة. دائرة الطاقة / توصيل الكهرباء, والولايات المتحدة. بحوث الجيش / التسلح, مركز التطوير والهندسة, بيكاتيني ارسنال, نيوجيرسي.

اعتمد المطورون فيزياء تشغيلية مختلفة لهذا الجهاز, التي تعمل على النقل الناقل للأقلية ومقوم طرفية ثالث متكامل, وهو واحد أكثر من أجهزة SiC التجارية الأخرى. اعتمد المطورون تقنية تصنيع جديدة تدعم التصنيفات أعلاه 6,500 الخامس, وكذلك تصميم بوابة أنود جديد للأجهزة عالية التيار. قادرة على الأداء في درجات حرارة تصل إلى 300 C والحالية عند 80 أ, يقدم SiC Thyristor ما يصل إلى 10 مرات أعلى الجهد, أربعة أضعاف الفولتية الحجب, و 100 مرات تبديل تردد أسرع من الثايرستور القائم على السيليكون.

نشر على

GeneSiC يفوز بجائزة R المرموقة&جائزة D100 لأجهزة SiC في تطبيقات الطاقة الشمسية وطاقة الرياح المتصلة بالشبكة

دول, فيرجينيا, تموز 14, 2011 — ص&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2011 ص&د 100 جائزة لتسويق أجهزة كربيد السيليكون ذات معدلات الجهد العالي.

شركة GeneSiC Semiconductor, تم تكريم أحد المبتكرين الرئيسيين في أجهزة الطاقة القائمة على كربيد السيليكون الأسبوع الماضي بالإعلان عن حصوله على جائزة المرموقة 2011 ص&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc 2010. ص&مجلة D اعترفت بـ GeneSiC's Ultra-High Voltage SiC Thyristor لقدرته على تحقيق الفولتية والترددات التي لم يتم استخدامها من قبل في عروض إلكترونيات الطاقة. معدلات الجهد >6.5كيلو فولت, على التصنيف الحالي للدولة 80 أ وترددات التشغيل >5 kHz أعلى بكثير من تلك التي تم تقديمها سابقًا في السوق. تمكن هذه القدرات التي حققتها Thyristors من GeneSiC بشكل حاسم الباحثين في مجال إلكترونيات الطاقة من تطوير محولات مرتبطة بالشبكة, مرن

أنظمة نقل التيار المتردد (حقائق) وأنظمة DC ذات الجهد العالي (HVDC). سيسمح هذا بالاختراعات الجديدة وتطوير المنتجات في مجال الطاقة المتجددة, محولات الطاقة الشمسية, محولات طاقة الرياح, وصناعات تخزين الطاقة. الدكتور. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC لأشباه الموصلات "من المتوقع أن تفتح الأسواق الكبيرة في المحطات الفرعية الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح بعد أن يدرك الباحثون في مجال تحويل الطاقة فوائد SiC Thyristors بالكامل. يستخدم الجيل الأول من ثايرستور SiC أقل انخفاض موضّح للجهد في الحالة ومقاومات تفاضلية على الإطلاق تم تحقيقها في SiC Thyristors. نعتزم إطلاق الأجيال القادمة من SiC Thyristors المُحسَّنة من أجل إمكانية إيقاف التشغيل التي تتحكم فيها البوابة وقدرة الطاقة النبضية و >10تقييمات كيلو فولت. مع استمرارنا في تطوير حلول التعبئة والتغليف ذات الجهد العالي للغاية بدرجة الحرارة العالية, يتم تعبئة الثايرستور الحالي 6.5 كيلو فولت في وحدات مع جهات اتصال ملحومة بالكامل, يقتصر على درجات حرارة تقاطع 150 درجة مئوية ". منذ أن تم إطلاق هذا المنتج في أكتوبر 2010, حجزت GeneSiC طلبات من العديد من العملاء من أجل عرض أجهزة إلكترونية للطاقة المتقدمة باستخدام ثايرستور كربيد السيليكون. تواصل GeneSiC تطوير عائلة منتجات الثايرستور من كربيد السيليكون. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&تم تطوير D في الإصدار الأول لتطبيقات تحويل الطاقة من خلال دعم تمويل SBIR من وزارة الخارجية الأمريكية. من الطاقة. أكثر تطورا, يتم تطوير ثايرستور SiC المحسن بالطاقة النبضية بموجب عقد SBIR آخر مع ARDEC, الجيش الأمريكي. باستخدام هذه التطورات التقنية, الاستثمار الداخلي من GeneSiC والأوامر التجارية من عملاء متعددين, كان GeneSiC قادرًا على تقديم هذه الثايرستور UHV كمنتجات تجارية.

مسابقة التكنولوجيا السنوية التاسعة والأربعون التي تديرها شركة R&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc.

اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc&د 100 اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc, اختارت مجلة D شركة GeneSiC Semiconductor Inc. تعترف هذه الجائزة بشركة GeneSiC كشركة عالمية رائدة في إنشاء المنتجات القائمة على التكنولوجيا والتي تحدث فرقًا في طريقة عملنا وحياتنا.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط. شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع. تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارةwww.genesicsemi.com.

نشر على

تم اختيار GeneSiC أشباه الموصلات لعرض التكنولوجيا في 2011 قمة ابتكار الطاقة ARPA-E

دول, فيرجينيا, شهر فبراير 28, 2011 - يسر شركة GeneSiC لأشباه الموصلات أن تعلن عن اختيارها لعرض التكنولوجيا المرموق في قمة ابتكار الطاقة ARPA-E, شارك في استضافتها وكالة مشاريع البحوث المتقدمة التابعة لوزارة الطاقة - الطاقة (ARPA-E) ومنظمة التكنولوجيا النظيفة والصناعات المستدامة (CTSI). تنافس المئات من كبار التقنيين ومؤسسات التكنولوجيا النظيفة المتطورة للمشاركة في المعرض, رواق من أكثر الآفاق الواعدة لأمريكا لكسب المستقبل في مجال الطاقة.

باعتبارها واحدة من المنظمات المختارة لـ ARPA-E, ستعرض أشباه الموصلات GeneSiC كربيد السيليكون إلى ما يقرب من 2,000 اجتماع القادة الوطنيين لدفع القدرة التنافسية الأمريكية طويلة المدى في قطاع الطاقة, بما في ذلك كبار الباحثين, المستثمرين, رجال الأعمال, المديرين التنفيذيين للشركات والمسؤولين الحكوميين. أكثر من 200 تقنيات رائدة من الحاصلين على جوائز ARPA-E, الشركات, المعامل الوطنية وإدارة الطاقة ر&سيتم عرض برامج D في هذا الحدث.

تجمع هذه القمة المنظمات التي تتفهم الحاجة إلى التعاون والشراكة لتقديم الجيل التالي من تقنيات الطاقة إلى السوق,قال GeneSiC أشباه الموصلات, رئيس, الدكتور. رانبير سينغ. "إنها فرصة نادرة ومثيرة أن يكون لديك العديد من اللاعبين الرئيسيين في مجتمع الطاقة معًا تحت سقف واحد ، ونتطلع إلى مشاركة أجهزة الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون مع مبتكرين ومستثمرين آخرين في معرض التكنولوجيا."

فرق البحث وتطوير الأعمال من 14 كما سيحضر شركاء تسريع الشركات الملتزمين بتسويق التكنولوجيا بما في ذلك داو, بوش, المواد التطبيقية ولوكهيد مارتن.

تضم القمة أيضًا متحدثين رفيعي المستوى بما في ذلك الولايات المتحدة. وزير الطاقة ستيفن تشو, مدير ARPA-E Arun Majumdar, نحن. وزير البحرية ريموند مابوس, حاكم كاليفورنيا السابق أرنولد شوارزنيجر وتشارلز هوليداي رئيس بنك أمريكا.

ستعقد القمة السنوية الثانية لابتكار الطاقة ARPA-E في فبراير 28 – مارس 2, 2011 في مركز مؤتمرات جايلورد خارج واشنطن مباشرة, دي سي. لمعرفة المزيد أو للتسجيل يرجى زيارة: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

حول GeneSiC أشباه الموصلات

شركة GeneSiC Semiconductor. تطور أجهزة أشباه الموصلات عريضة النطاق لدرجات الحرارة المرتفعة, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, مفاتيح الطاقة والأجهزة ثنائية القطب. يستخدم GeneSiC مجموعة فريدة وواسعة من تصميم أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة لمجموعة واسعة من الأسواق ذات الحجم الكبير. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, جيش, ناسا, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع.

حول ARPA-E

وكالة المشاريع البحثية المتقدمة - الطاقة (ARPA-E) هي وكالة جديدة داخل الولايات المتحدة. وزارة الطاقة - وأول من يركز حصريًا على تقنيات الطاقة الخارقة التي يمكن أن تغير طريقة استخدامنا للطاقة بشكل جذري. بدلا من إجراء البحوث مباشرة, ARPA-E تستثمر في مخاطر عالية, يتم تطوير تقنيات الطاقة عالية المكافأة من قبل الجامعات, الشركات الناشئة, تجارة صغيرة, والشركات. يجمع طاقمنا بين العلماء الرائدين في الصناعة, المهندسين, والمديرين التنفيذيين للاستثمار لتحديد الحلول الواعدة لمشاكل الطاقة الأكثر أهمية في البلاد ولتسريع أعلى التقنيات نحو السوق - وهو أمر بالغ الأهمية لتأمين قيادة التكنولوجيا العالمية للأمة وخلق صناعات ووظائف أمريكية جديدة. يزور www.arpa-e.energy.govللمزيد من المعلومات.

حول CTSI

التكنولوجيا النظيفة & منظمة الصناعات المستدامة (CTSI), جمعية صناعية غير هادفة للربح 501c6, يمثل المنظمات النامية, تسويق, وتنفيذ الطاقة, ماء, والتقنيات البيئية. تقدم التقنيات النظيفة حلولاً تشتد الحاجة إليها لأمن الموارد المتزايدة ومخاوف الاستدامة وهي ضرورية للحفاظ على القدرة التنافسية الاقتصادية. تجمع CTSI قادة عالميين للدعوة, تطوير المجتمع, الشبكات, وتبادل المعلومات للمساعدة في طرح هذه التقنيات المطلوبة في السوق بسرعة أكبر. يزور www.ct-si.org للمزيد من المعلومات.

نشر على

GeneSiC تفوز بمشروع إدارة الطاقة من وكالة ناسا لدعم مهام استكشاف الزهرة المستقبلية

دول, فيرجينيا, ديسمبر 14, 2010 - شركة GeneSiC Semiconductor Inc., مبتكر رئيسي في رواية كربيد السيليكون (SiC) أجهزة لدرجات الحرارة المرتفعة, قوة عالية, وتطبيقات الجهد العالي, تعلن عن اختيار مشروعها بعنوان "أجهزة الصمام الثنائي الترانزستور المدمجة فائقة التوصيل المصنوعة من SiC لوحدات التحكم في المحركات عالية الطاقة التي تعمل في 500 oC "من قبل الإدارة الوطنية للملاحة الجوية والفضاء الأمريكية (ناسا) للحصول على جائزة المرحلة الأولى SBIR. يركز مشروع SBIR هذا على تطوير ترانزستور تقاطع ثنائي متآلف متكامل SiC JBS ذو الصمام الثنائي الفائق (ميدسجت) أجهزة للتشغيل في أجواء تشبه كوكب الزهرة (500 درجة حرارة السطح). سيتم استخدام أجهزة SiC MIDSJT التي تم تطويرها في هذا البرنامج لإنشاء وحدات طاقة للتحكم في المحرك من أجل التكامل المباشر مع مركبات استكشاف Venus.

“نحن سعداء بالثقة التي عبرت عنها وكالة ناسا في حلول أجهزة SiC ذات درجات الحرارة العالية. سيمكن هذا المشروع شركة GeneSiC من تطوير تقنيات إدارة الطاقة القائمة على SiC الرائدة في الصناعة من خلال أجهزتها المبتكرة وحلول التغليف.” قال د. سيدارث سوندارسان, مدير التكنولوجيا في GeneSiC. “ستسمح أجهزة SiC MIDSJT المستهدفة في هذا البرنامج بالتعامل مع الطاقة على مستوى الكيلووات بدقة رقمية في درجات حرارة تصل إلى 500 درجة مئوية. بالإضافة إلى تطبيقات الفضاء الخارجي, هذه التكنولوجيا الجديدة لديها القدرة على إحداث ثورة في أجهزة التنقيب عن النفط في الفضاء الجوي والحرارة الجوفية الحرجة التي تتطلب درجات حرارة محيطة تزيد عن 200 درجة مئوية. مجالات التطبيق هذه محدودة حاليًا بسبب الأداء الضعيف لدرجات الحرارة العالية للسيليكون المعاصر وحتى تقنيات الأجهزة القائمة على SiC مثل JFETs و MOSFETs” أضاف.

تواصل GeneSiC تحسين المعدات والبنية التحتية للأفراد بسرعة في Dulles, منشأة فرجينيا. تقوم الشركة بتوظيف أفراد من ذوي الخبرة في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المركبة بقوة, اختبار أشباه الموصلات وتصاميم الكاشف. يمكن الحصول على معلومات إضافية حول الشركة ومنتجاتها عن طريق الاتصال بـ GeneSiC على 703-996-8200 أو عن طريق الزيارة www.genesicsemi.com.

حول GeneSiC أشباه الموصلات, شركة.

شركة GeneSiC Semiconductor. يطور كربيد السيليكون (SiC) أجهزة أشباه الموصلات القائمة على درجات الحرارة العالية, إشعاع, وتطبيقات شبكة الطاقة. وهذا يشمل تطوير المقومات, FETs, الأجهزة ثنائية القطب وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. يتمتع GeneSiC بإمكانية الوصول إلى مجموعة واسعة من تصميمات أشباه الموصلات, تلفيق, مرافق التوصيف والاختبار لهذه الأجهزة. تستفيد GeneSiC من كفاءتها الأساسية في تصميم الجهاز والعملية لتطوير أفضل أجهزة SiC ممكنة لعملائها. تميز الشركة نفسها من خلال توفير منتجات عالية الجودة يتم ضبطها خصيصًا وفقًا لمتطلبات كل عميل. تمتلك GeneSiC عقودًا أساسية / فرعية من الوكالات الحكومية الأمريكية الرئيسية بما في ذلك ARPA-E, وزارة الطاقة الأمريكية, القوات البحرية, داربا, قسم الأمن الداخلي, وزارة التجارة والإدارات الأخرى داخل وزارة الخارجية الأمريكية. الدفاع.

نشر على

متعدد كيلوهرتز, تم أخذ عينات الثايرستور المصنوعة من كربيد السيليكون ذات الجهد العالي إلى باحثين أمريكيين

دول, فيرجينيا, شهر نوفمبر 1, 2010 –في أول عرض من نوعه, تعلن GeneSiC Semiconductor عن توفر عائلة من ثايرستور كربيد السيليكون 6.5 كيلو فولت بوضع SCR لاستخدامها في إلكترونيات الطاقة لتطبيقات الشبكة الذكية. من المتوقع أن تحفز مزايا الأداء الثورية لأجهزة الطاقة هذه الابتكارات الرئيسية في أجهزة إلكترونيات الطاقة على نطاق المرافق لزيادة إمكانية الوصول إلى موارد الطاقة الموزعة واستغلالها (ال). "الى الآن, كربيد السيليكون متعدد كيلو فولت (SiC) لم تكن أجهزة الطاقة متاحة علنًا للباحثين الأمريكيين للاستفادة الكاملة من المزايا المعروفة - أي ترددات التشغيل 2-10 كيلو هرتز عند تصنيفات 5-15 كيلو فولت - لأجهزة الطاقة القائمة على SiC. " علق د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. أكملت GeneSiC مؤخرًا تسليم العديد من 6.5kV / 40A, 6.5الثايرستور kV / 60A و 6.5kV / 80A لعدة عملاء يجرون أبحاثًا في مجال الطاقة المتجددة, تطبيقات أنظمة القوى العسكرية والبحرية. يتم الآن تقديم أجهزة SiC بهذه التصنيفات على نطاق أوسع ".

توفر الثايرستور القائم على كربيد السيليكون جهدًا أعلى 10 مرات, 100X ترددات تبديل أسرع وتشغيل بدرجة حرارة أعلى مقارنة بالثايرستور التقليدي القائم على السيليكون. تشمل فرص بحث التطبيقات المستهدفة لهذه الأجهزة تحويل طاقة الجهد المتوسط ​​للأغراض العامة (MVDC), محولات الطاقة الشمسية المرتبطة بالشبكة, محولات طاقة الرياح, قوة نبضية, أنظمة الأسلحة, التحكم في الاشتعال, والتحكم في الزناد. لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) كربيد السيليكون (SiC) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, معوضات VAR الثابتة والمعوضات المتسلسلة. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية.

الدكتور. يواصل سينغ "من المتوقع أن تفتح الأسواق واسعة النطاق في المحطات الفرعية الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح بعد أن يدرك الباحثون في مجال تحويل الطاقة بشكل كامل فوائد SiC Thyristors. يستخدم الجيل الأول من ثايرستور SiC أقل انخفاض موضّح للجهد في الحالة ومقاومات تفاضلية على الإطلاق تم تحقيقها في SiC Thyristors. نعتزم إطلاق الأجيال القادمة من SiC Thyristors المُحسَّنة لقدرة إيقاف التشغيل التي تتحكم فيها البوابة و >10تقييمات كيلو فولت. مع استمرارنا في تطوير حلول التعبئة والتغليف ذات الجهد العالي للغاية بدرجة الحرارة العالية, يتم تعبئة الثايرستور الحالي 6.5 كيلو فولت في وحدات مع جهات اتصال ملحومة بالكامل, يقتصر على درجات حرارة تقاطع 150 درجة مئوية ". GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.

تقع بالقرب من واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.

نشر على

GeneSiC تفوز بـ 2.53 مليون دولار من ARPA-E لتطوير الأجهزة القائمة على كربيد السيليكون الثايرستور

دول, فيرجينيا, سبتمبر 28, 2010 - وكالة المشاريع البحثية المتقدمة - الطاقة (ARPA-E) أبرمت اتفاقية تعاونية مع فريق GeneSiC الذي يقوده أشباه الموصلات من أجل تطوير كربيد السيليكون الجديد عالي الجهد (SiC) الأجهزة القائمة على الثايرستور. من المتوقع أن تكون هذه الأجهزة عوامل تمكين رئيسية لدمج محطات طاقة الرياح والطاقة الشمسية على نطاق واسع في الجيل التالي من الشبكة الذكية.

"ستسمح لنا هذه الجائزة التنافسية للغاية لشركة GeneSiC بتوسيع مركزنا الريادي التقني في تقنية كربيد السيليكون متعدد كيلوفولت, بالإضافة إلى التزامنا بحلول الطاقة البديلة على نطاق الشبكة مع حلول الحالة الصلبة,”علق د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. "Multi-kV SiC Thyristors التي نعمل على تطويرها هي تقنية التمكين الرئيسية لتحقيق أنظمة نقل التيار المتردد المرنة (حقائق) العناصر والجهد العالي DC (HVDC) المعماريات المتوخاة نحو متكامل, فعال, الشبكة الذكية للمستقبل. توفر الثايرستور المستندة إلى SiC من GeneSiC جهدًا أعلى 10 مرات, 100X ترددات تبديل أسرع وتشغيل درجة حرارة أعلى في حلول معالجة الطاقة FACTS و HVDC مقارنة بالثايرستور التقليدي القائم على السيليكون. "

في أبريل 2010, استجابت GeneSiC للتسليم السريع لتكنولوجيا الطاقة الكهربائية (ADEPT) التماس من ARPA-E الذي سعى إلى الاستثمار في المواد من أجل التقدم الأساسي في مفاتيح الجهد العالي التي لديها القدرة على تجاوز أداء محول الطاقة الحالي مع تقديم تخفيضات في التكلفة. تم اختيار اقتراح الشركة بعنوان "الثايرستور بتبديل أنود كربيد السيليكون لتحويل طاقة الجهد المتوسط" لتوفير وزن خفيف, الحالة الصلبة, تحويل طاقة الجهد المتوسط ​​لتطبيقات الطاقة العالية مثل المحطات الكهربائية ذات الحالة الصلبة ومولدات توربينات الرياح. يمكن أن يؤدي نشر تقنيات أشباه موصلات الطاقة المتقدمة هذه إلى توفير ما يصل إلى 25-30 خفض استهلاك الكهرباء بنسبة مئوية من خلال زيادة الكفاءة في توصيل الطاقة الكهربائية. الابتكارات التي تم اختيارها كانت لدعم وتعزيز الولايات المتحدة. الأعمال من خلال الريادة التكنولوجية, من خلال عملية تنافسية للغاية.

كربيد السيليكون هو مادة من الجيل التالي من أشباه الموصلات تتمتع بخصائص متفوقة إلى حد كبير على السيليكون التقليدي, مثل القدرة على التعامل مع الجهد بعشرة أضعاف - ومائة ضعف التيار - في درجات حرارة تصل إلى 300 درجة مئوية. هذه الخصائص تجعلها مناسبة بشكل مثالي للتطبيقات عالية الطاقة مثل السيارات الهجينة والكهربائية, طاقة متجددة (الرياح والطاقة الشمسية) المنشآت, وأنظمة التحكم في الشبكة الكهربائية.

لقد ثبت الآن أن الجهد العالي للغاية (>10كيلو فولت) كربيد السيليكون (SiC) ستلعب تقنية الجهاز دورًا ثوريًا في شبكة المرافق من الجيل التالي. توفر أجهزة SiC المستندة إلى الثايرستور أعلى أداء على مستوى الحالة لـ >5 أجهزة كيلو فولت, وهي قابلة للتطبيق على نطاق واسع في دوائر تحويل الطاقة ذات الجهد المتوسط ​​مثل محددات التيار الخاطئ, محولات AC-DC, معوضات VAR الثابتة والمعادلات التسلسلية. توفر الثايرستور القائم على SiC أيضًا أفضل فرصة للتبني المبكر نظرًا لتشابهها مع عناصر شبكة الطاقة التقليدية. تشمل التطبيقات والمزايا الواعدة الأخرى لهذه الأجهزة:

  • مطلوب أنظمة إدارة الطاقة وتكييف الطاقة لتحويل DC ذات الجهد المتوسط ​​تحت القدرة البحرية المستقبلية (FNC) البحرية الأمريكية, أنظمة الإطلاق الكهرومغناطيسية, أنظمة الأسلحة عالية الطاقة والتصوير الطبي. تسمح قدرة تردد التشغيل الأعلى 10-100X بتحسينات غير مسبوقة في الحجم, وزن, الحجم وفي النهاية, تكلفة هذه الأنظمة.
  • مجموعة متنوعة من تخزين الطاقة, تطبيقات فيزياء درجات الحرارة العالية والطاقة العالية. تحظى تطبيقات تخزين الطاقة وشبكات الطاقة باهتمام متزايد حيث يركز العالم على حلول إدارة الطاقة الأكثر كفاءة وفعالية من حيث التكلفة.

GeneSiC هو مبتكر سريع الظهور في مجال أجهزة طاقة SiC ولديه التزام قوي بتطوير كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة القائمة على: (أ) أجهزة HV-HF SiC لشبكة الطاقة, القوة النبضية وأسلحة الطاقة الموجهة; و (ب) أجهزة طاقة كربيد كربيد عالية الحرارة لمشغلات الطائرات واستكشاف النفط.

“لقد برزنا كشركة رائدة في تقنية SiC عالية الجهد من خلال الاستفادة من كفاءتنا الأساسية في تصميم الأجهزة والعمليات من خلال مجموعة واسعة من التصنيع, التوصيف, ومرافق الاختبار,"يختتم د. سينغ. "لقد تم الآن التحقق من صحة موقف GeneSiC بشكل فعال من قبل وزارة الطاقة الأمريكية من خلال جائزة المتابعة الهامة هذه."

حول GeneSiC أشباه الموصلات

موقع استراتيجي بالقرب من واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, الترانزستورات SuperJunction (SJT) ومجموعة متنوعة من الأجهزة التي تعتمد على الثايرستور. تمتلك GeneSiC أو لديها عقود أساسية / فرعية من وكالات حكومية أمريكية رئيسية, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, جيش, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارةwww.genesicsemi.com.

نشر على

شبكات اقتحام الطاقة المتجددة GeneSiC أشباه الموصلات 1.5 مليون دولار من وزارة الطاقة الأمريكية

دول, فيرجينيا, شهر نوفمبر 12, 2008 – منحت وزارة الطاقة الأمريكية GeneSiC Semiconductor منحتين منفصلتين يبلغ مجموعهما 1.5 مليون دولار لتطوير كربيد السيليكون عالي الجهد (SiC) الأجهزة التي ستكون بمثابة عوامل تمكين رئيسية للرياح- وتكامل الطاقة الشمسية مع شبكة الكهرباء في البلاد.

"تثبت هذه الجوائز ثقة وزارة الطاقة في قدرات GeneSiC, فضلا عن التزامها بحلول الطاقة البديلة,"ملاحظات د. رانبير سينغ, رئيس GeneSiC. "متكامل, تعد شبكة الطاقة الفعالة أمرًا بالغ الأهمية لمستقبل الطاقة في البلاد - وتعد أجهزة SiC التي نطورها ضرورية للتغلب على أوجه القصور في تقنيات السيليكون التقليدية ".

الجائزة الأولى هي منحة المرحلة الثانية من SBIR بقيمة 750 ألف دولار أمريكي لتطوير سريع, أجهزة ثنائية القطب كربيد عالية الجهد. والثاني هو منحة من المرحلة الثانية من STTR بقيمة 750 ألف دولار أمريكي لتطوير محولات SiC عالية الطاقة ذات بوابات بصرية.

كربيد السيليكون هو مادة من الجيل التالي من أشباه الموصلات مع القدرة على التعامل مع 10 أضعاف الجهد و 100 مرة من السيليكون الحالي, مما يجعلها مناسبة بشكل مثالي للتطبيقات عالية الطاقة مثل الطاقة المتجددة (الرياح والطاقة الشمسية) التركيبات وأنظمة التحكم في الشبكة الكهربائية.

خاصة, الجائزتان ل:

  • تطوير الترددات العالية, عدة كيلوفولت كاربيد - إيقاف تشغيل البوابة (GTO) أجهزة الطاقة. تشمل التطبيقات الحكومية والتجارية أنظمة إدارة الطاقة وتكييف السفن, صناعة المرافق, والتصوير الطبي.
  • تصميم وتصنيع الجهد العالي بالبوابات الضوئية, أجهزة تحويل SiC عالية الطاقة. يعد استخدام الألياف الضوئية لتبديل الطاقة حلاً مثاليًا للبيئات التي تعاني من التداخل الكهرومغناطيسي (EMI), والتطبيقات التي تتطلب جهدًا عاليًا للغاية.

تخدم أجهزة SiC التي تطورها GeneSiC مجموعة متنوعة من تخزين الطاقة, شبكة الكهرباء, والتطبيقات العسكرية, التي تحظى باهتمام متزايد حيث يركز العالم على حلول إدارة الطاقة الأكثر كفاءة وفعالية من حيث التكلفة.

مقرها خارج واشنطن, العاصمة في دالاس, فرجينيا, شركة GeneSiC Semiconductor. هو مبتكر رائد في درجات الحرارة العالية, كربيد السيليكون عالي الطاقة وعالي الجهد (SiC) الأجهزة. تشمل مشاريع التطوير الحالية مقومات درجات الحرارة العالية, تأثير الترانزستور الميدان (FETs) والأجهزة ثنائية القطب, وكذلك الجسيمات & كاشفات فوتونية. GeneSiC لديها عقود رئيسية / من الباطن من الوكالات الحكومية الأمريكية الكبرى, بما في ذلك وزارة الطاقة, القوات البحرية, داربا, ووزارة الأمن الداخلي. تشهد الشركة حاليًا نموًا كبيرًا, وتوظيف موظفين مؤهلين في تصميم أجهزة الطاقة والكاشف, تلفيق, والاختبار. لمعرفة المزيد, يرجى زيارة www.genesicsemi.com.