كربيد السيليكون (SiC) توفر الأجهزة خصائص حرارية فائقة مقارنة بأجهزة السليكون المقابلة لها. في التطبيقات التي تتجاوز فيها درجة حرارة التشغيل حدود أجهزة السيليكون, تعد مجموعة GeneSiC من الرقائق العارية والأجهزة ذات درجة الحرارة العالية حلاً مثاليًا للتشغيل المستمر في التحكم في المحرك عالي الجهد.
SiC Schottky MPS ™
| رقم القطعة | الجهد االكهربى (الخامس) | تيار إلى الأمام (أ) | صفقة |
|---|---|---|---|
| GC50MPS06-CAL | 650 | 50 | رقاقة عارية |
| GC15MPS12-CAL | 1200 | 15 | رقاقة عارية |
| GC20MPS12-CAL | 1200 | 20 | رقاقة عارية |
| GC50MPS12-CAL | 1200 | 50 | رقاقة عارية |
| GC25MPS17-CAL | 1700 | 25 | رقاقة عارية |
| GAP3SHT33-CAU | 3300 | 0.3 | رقاقة عارية |
SiC MOSFET
| رقم القطعة | الجهد االكهربى (الخامس) | على المقاومة (مΩ) | صفقة |
|---|---|---|---|
| G3R20MT12-CAL | 1200 | 20 | رقاقة عارية |
| G3R30MT12-CAL | 1200 | 30 | رقاقة عارية |
| G3R40MT12-CAL | 1200 | 40 | رقاقة عارية |
| G3R75MT12-CAL | 1200 | 75 | رقاقة عارية |
| G3R20MT17-CAL | 1700 | 20 | رقاقة عارية |
| G3R45MT17-CAL | 1700 | 45 | رقاقة عارية |
| G3R50MT33-CAL | 3300 | 50 | رقاقة عارية |
| G3R100MT33-CAL | 3300 | 100 | رقاقة عارية |
