栅极驱动板针对高开关速度和基于行为的模型进行了优化，使电力电子设计工程师能够验证和量化 SJT 在板级评估和电路仿真中的优势
杜勒斯, 弗吉尼亚州, 十一月 19, 2014 — GeneSiC 半导体, 广泛的碳化硅的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体今天宣布立即推出栅极驱动器评估板，并扩大了对业界最低损耗开关——SiC 结型晶体管的设计支持 (SJT) – 具有完全合格的 LTSPICE IV 模型. 使用新的栅极驱动板, 电源转换电路设计人员可以验证低于 15 纳秒的优势, SiC 结型晶体管的温度无关开关特性, 驱动器功率损耗低. 结合新的 SPICE 模型, 电路设计人员可以轻松评估 GeneSiC 的 SJT 在实现比传统硅功率开关器件更高水平的效率方面的优势.
栅极驱动板 GA03IDDJT30-FR4 适用于 GeneSiC 的 SJT
SiC 结型晶体管与其他 SiC 晶体管技术具有显着不同的特性, 以及硅晶体管. 需要能够提供低功率损耗同时仍提供高开关速度的栅极驱动器板，以提供驱动解决方案以利用 SiC 结型晶体管的优势. GeneSiC 完全隔离 GA03IDDJT30-FR4 栅极驱动板采用 0/12V 和 TTL 信号，以优化调节所需的电压/电流波形，以提供较小的上升/下降时间, 同时仍然最小化在导通状态期间保持常关 SJT 导通的连续电流要求. 引脚配置和外形尺寸与其他 SiC 晶体管保持相似. GeneSiC 还向最终用户发布了 Gerber 文件和 BOM，使他们能够整合已实现的驱动器设计创新的好处.
SJT 提供良好的通态和开关特性, 使创建基于行为的 SPICE 模型变得容易，这些模型也与基于物理的基础模型非常吻合. 使用成熟且易于理解的基于物理的模型, SPICE 参数是在对设备行为进行广泛测试后发布的. GeneSiC 的 SPICE 模型与所有器件数据表上的实验测量数据进行了比较，适用于所有 1200 V 和 1700 V SiC 结型晶体管发布.
GeneSiC 的 SJT 能够提供超过 15 比基于 IGBT 的解决方案高出数倍. 它们更高的开关频率可以实现更小的磁性和电容元件, 从而缩小整体尺寸, 电力电子系统的重量和成本.
这种 SiC 结型晶体管 SPICE 模型增加了 GeneSiC 的全套设计支持工具, 技术文档, 和可靠性信息，为电力电子工程师提供在下一代电力系统中实施 GeneSiC 全面的 SiC 结型晶体管和整流器系列所需的设计资源.
GeneSiC 的栅极驱动板数据表和 SJT SPICE 模型可从以下网址下载 https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
