电力设备科学家

GeneSiC正在寻找专注于宽带隙半导体器件的功率半导体器件科学家. 候选人将开发新颖的设备结构, 制造技术和相关的应用测试方法.

责任

• 参与建模, 设计, 制造, 带隙半导体器件的测试. 测试工作可能涵盖从晶圆上探测到各种设备的可靠性评估和/或故障分析.
• 参与撰写有关政府机构研究计划的白皮书，提案和报告.
• 提供半导体材料等领域的技术专长, 设备物理与设计, 和/或设备制造和测试. 需要这种设备的鉴定和/或可靠性方面的专业知识.
• 通过编写书面报告并进行描述所执行分析的演示来有效地传达结果, 开发解决方案, 和获得的价值.
• 成为半导体技术实验室的思想领袖，推动程序的发展和新想法的产生.
• 与文献保持同步，并确定与GeneSiC有关的基于化合物半导体的功率器件的研究趋势.

要求:

• 电气工程博士学位, 最好在功率半导体器件领域或电气工程硕士学位, 随着 5 多年的功率半导体器件工作经验.
• 需要对SiC和/或GaN功率器件的制造技术有深入的了解.
• 在硅方面的专业知识, SiC和/或GaN功率半导体器件建模, 具有强大的设备物理知识是关键条件.
• 具有半导体洁净室的动手制造经验者优先.
• 具有丰富的相关材料技术工作知识，包括最新技术和当前挑战.
• 需要对晶圆上和封装式功率器件参数测试有丰富的工作知识
• 是美国公民或美国永久居民. 在特殊情况下, 可以向能够获得在美国工作的合法授权的候选人提出要约.

请通过电子邮件将简历发送至: HR@genesicsemi.com.