類別: 新聞稿

SiC開關為高頻功率電路提供了最低的傳導損耗和出色的短路性能

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十月 28, 2014 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體公司今天宣布立即提供低導通電阻1700V系列和 1200 V-SiC結型晶體管，採用TO-247封裝. 使用高壓, 高頻, 具有高溫和低導通電阻能力的SiC結晶體管將提高轉換效率，並減小需要更高總線電壓的電力電子應用的尺寸/重量/體積. 這些設備專門用於各種應用，包括直流微電網, 車載快速充電器, 服務器, 電信和網絡電源, 不間斷電源, 太陽能逆變器, 風力發電系統, 和工業電機控制系統.

SiC結晶體管 (SJT) GeneSiC提供的超快開關功能 (類似於SiC MOSFET), 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並能夠由商業門驅動器驅動, 不像其他SiC開關. 與其他SiC開關相比，SJT的獨特優勢在於其更高的長期可靠性, >10 用戶短路能力, 以及出色的雪崩能力

“這些改進的SJT提供了更高的電流增益 (>100), 與其他SiC開關相比，具有很高的穩定性和魯棒性. GeneSiC的SJT在額定電流下具有極低的傳導損耗，這是電源電路中出色的關斷損耗. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC的晶體管產品可幫助設計人員實現更強大的解決方案,” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

1700 V SiC結型晶體管發布

• 25 兆歐 (GA50JT17-247), 65 兆歐 (GA16JT17-247), 220 兆歐 (GA04JT17-247)
• 當前收益 (H_有限元) >90
• 噸_最大 = 175^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <30 典型的納秒.

1200 V SiC結型晶體管發布

• 25 兆歐 (GA50JT12-247), 120 兆歐 (GA10JT12-247), 210 兆歐 (GA05JT12-247)
• 當前收益 (H_有限元) >90
• 噸_最大 = 175^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <30 典型的納秒.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合RoHS的TO-247封裝. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

想要查詢更多的信息, 請訪問 https://192.168.88.14/商業Sic / Sic結晶體管/

GeneSiC 的 SiC 晶體管和整流器為實現目標提供了顯著優勢 小盒子挑戰

最先進的. 碳化矽功率晶體管 & 整流器. 可用的. 現在!

GeneSiC 擁有廣泛的產品組合，目前可從全球頂級經銷商處獲得

裸芯片 直接從工廠提供的 SiC 器件形式 (請填寫下面的表格)

離散的 SJT 和 整流器 在商業溫度等級 (175℃)

離散的 HiT SJT沙 HiT 整流器 在高溫 (高達 250°C)

GeneSiC 提供最廣泛的 SiC 產品——封裝產品和裸片形式，以實現更大的設計靈活性和創新. GeneSiC 通過推出新產品不斷努力保持領先地位, 創新產品. 如果您今天沒有看到您正在尋找的確切產品, 你可能會在不久的將來看到它.

通過兼容的行業標準封裝實現的 SiC 晶體管的高溫承諾將極大地增強井下和航空航天執行器和電源

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十二月 10, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布通過其分銷商和直接提供高溫封裝的家庭 600 V 碳化矽結晶體管 (SJT) 在裡面 3-50 JEDEC 行業標准通孔和表面貼裝封裝中的安培電流額定值. 結合這些高溫, 低導通電阻, 密封封裝中的高頻 SiC 晶體管, 高溫焊料和封裝將提高轉換效率並減少高溫功率轉換應用的尺寸/重量/體積.

當代高溫電源, 用於石油/天然氣/井下和航空航天應用的電機控制和執行器電路缺乏可行的高溫碳化矽解決方案. 矽晶體管具有電路效率低和尺寸大的問題，因為它們具有高洩漏電流和低開關特性差的問題. 這兩個參數在更高的結溫下都會變差. 具有熱約束環境, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 密封封裝的 SiC 晶體管提供獨特的特性，有望徹底改變井下和航空航天應用的能力. GeneSiC的 650 V/3-50 A SiC 結晶體管具有接近零的開關時間，不隨溫度變化. 這 210^的C 結溫額定器件為在極端環境下運行的應用提供相對較大的溫度裕度.

GeneSiC 提供的結型晶體管具有超快的開關能力, 方形反向偏置安全操作區 (蘇格蘭皇家銀行), 以及與溫度無關的瞬態能量損耗和開關時間. 這些開關無柵極氧化物, 常關, 表現出正溫度係數的導通電阻, 並且能夠由商業驅動, 普遍可用 15 V IGBT柵極驅動器, 不像其他SiC開關. 同時提供與 SiC JFET 驅動器的兼容性, 由於瞬態特性匹配，SiC 結晶體管可以輕鬆並聯.

“隨著井下和航空航天應用設計師不斷挑戰工作頻率的極限, 同時仍然要求高電路效率, 他們需要能夠提供性能標準的 SiC 開關, 可靠性和生產一致性. 利用獨特的設備和製造創新, GeneSiC 的 SJT 產品幫助設計人員在更強大的解決方案中實現所有這些. 這些產品是對 GeneSiC 去年發布的密封封裝 SiC 整流器的補充, 以及今年早些時候發布的裸片產品, 同時為我們提供高溫鋪平道路, 低電感, 不久的將來電源模塊 ” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

隔離 TO-257 與 600 在 SJT 中:

• 65 毫歐/20 安培 (2N763​​9-GA); 170 毫歐/8 安培 (2N763​​7-GA); 和 425 毫歐/4 安培 (2N763​​5-GA)
• 噸_最大 = 210^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.
• 對應Bare Die GA20JT06-CAL (在 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (在 2N7637-GA); 和 GA05JT06-CAL (在 2N7635-GA)

非隔離 TO-258 原型封裝 600 SJT

• 25 毫歐/50 安培 (GA50JT06-258樣機封裝)
• 噸_最大 = 210^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.
• 對應Bare Die GA50JT06-CAL (在 GA50JT06-258)

表面貼裝 TO-276 (貼片0.5) 和 600 SJT

• 65 毫歐/20 安培 (2N7640-GA); 170 毫歐/8 安培 (2N763​​8-GA); 和 425 毫歐/4 安培 (2N763​​6-GA)
• 噸_最大 = 210^的C
• 開啟/關閉; 上升/下降時間 <50 典型的納秒.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試並封裝在密封包裝中. 提供技術支持和SPICE電路模型. 這些設備可立即從 GeneSiC 直接和/或通過其授權經銷商獲得.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請拜訪 https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

高壓, 無反向恢復的 SiC 肖特基二極管通過提供最小外形尺寸的表面貼裝功能來關鍵地啟用太陽能逆變器和高壓組件

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十一月 19, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體今天宣布立即推出符合行業標準的 SMB 系列 (JEDEC DO-214AA) 封裝的 SiC 整流器 650 —— 3300 電壓範圍. 結合這些高壓, 無反向恢復, 具有高頻和高溫能力的 SiC 二極管將提高轉換效率並減少多 kV 組件的尺寸/重量/體積. 這些產品針對微型太陽能逆變器以及用於各種 X 射線的電壓倍增器電路, 激光和粒子發生器電源.

由於矽整流器的反向恢復電流，現代微型太陽能逆變器和電壓倍增器電路可能存在電路效率低和尺寸大的問題. 在較高的整流器結溫, 這種情況變得更糟，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱約束的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 高壓碳化矽整流器具有獨特的特性，有望徹底改變微型太陽能逆變器和高壓組件. GeneSiC的 650 伏/1 安; 1200 V/2 A 和 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 這 3300 V 級器件在單個器件中提供相對較高的電壓，允許減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 接近理想的開關特性允許消除/大幅減少電壓平衡網絡和緩衝電路. 中小企業 (DO-214AA) 包覆成型封裝具有行業標準外形尺寸，適用於表面貼裝組件.

“這些產品來自 GeneSiC 多年的持續開發努力，旨在提供引人注目的設備和封裝. 我們相信 SMB 外形是微型太陽能逆變器和電壓倍增器市場的關鍵差異化因素, 並將為我們的客戶帶來顯著利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 肖特基整流器和改進的 SMB 封裝使這款突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

1200 V/2 A SMB 碳化矽肖特基二極管 (GB02SLT12-214) 技術亮點

• 典型 VF = 1.5 V
• 噸_最大 = 175^的C
• 反向恢復費用 = 14 數控.

3300 V/0.3 A SMB 碳化矽肖特基二極管 (GAP3SLT33-214) 技術亮點

• 典型 VF = 1.7 V
• 噸_最大 = 175^的C
• 反向恢復費用 = 52 數控.

650 V/1 A SMB 碳化矽肖特基二極管 (GB01SLT06-214) 技術亮點

• 典型 VF = 1.5 V
• 噸_最大 = 175^的C
• 反向恢復費用 = 7 數控.

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合 RoHS 標準的 SMB (DO-214AA) 包. 提供技術支持和SPICE電路模型. 該設備可立即從GeneSiC的授權分銷商處購買。.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請訪問 https://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

高壓組件受益於這些低電容整流​​器，在隔離封裝中提供與溫度無關的零反向恢復電流

小偷河瀑布/杜勒斯, 弗吉尼亞。, 可能 28, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體宣布立即可用 3300 V/0.3 安培 SiC 肖特基整流器 – GAP3SLT33-220FP. 這種獨特的產品代表了市場上電壓最高的 SiC 整流器, 並且專門針對用於各種 X 射線的電壓倍增器電路和高壓組件, 激光和粒子發生器電源.

現代電壓倍增器電路存在電路效率低和尺寸大的問題，因為矽整流器的反向恢復電流會使並聯電容器放電. 在較高的整流器結溫, 這種情況變得更糟，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱約束的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 高壓碳化矽整流器提供獨特的特性，有望徹底改變高壓組件. GeneSiC的 3300 V/0.3 A 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 單個器件中的這種相對較高的電壓允許減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 接近理想的開關特性允許消除/大幅減少電壓平衡網絡和緩衝電路. TO-220 Full Pack 包覆成型隔離封裝具有行業標準的外形尺寸，並在通孔組件中增加了引腳間距.

“該產品來自 GeneSiC 多年的持續努力. 我們相信 3300 V 額定值是高壓發電機市場的關鍵差異化因素, 並將為我們的客戶帶來顯著利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 肖特基整流器使這款突破性產品成為可能” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

3300 V/0.3 A SiC 整流器技術亮點

• 狀態下降 1.7 電壓 0.3 一種
• VF 上的正溫度係數
• 噸_最大 = 175^的C
• 電容充電 52 數控 (典型的).

所有設備都是 100% 經過全電壓/電流額定值測試，並置於無鹵素環境中, 符合 RoHS 的行業標準 TO-220FP (全包) 包. 這些設備可立即從 GeneSiC 的授權經銷商處獲得, 數碼鑰匙.

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請訪問 www.genesicsemi.com

高壓電路和組件受益於提供前所未有的額定電壓和超高速開關的 SiC 芯片

杜勒斯, 弗吉尼亞。, 十一月 7, 2013 — GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體宣布立即可用 8000 V SiC PiN 整流器; 8000 V 碳化矽肖特基整流器, 3300 V SiC 肖特基整流器和 6500 V 碳化矽晶閘管裸片形式. 這些獨特的產品代表了市場上電壓最高的 SiC 器件, 並且專門針對石油和天然氣儀器, 電壓倍增器電路和高壓組件.

由於矽整流器的反向恢復電流使並聯電容器放電，現代超高壓電路的電路效率低且尺寸大. 在較高的整流器結溫, 這種情況進一步惡化，因為矽整流器中的反向恢復電流隨溫度增加. 具有熱約束的高壓組件, 即使通過適度的電流，結溫也很容易上升. 高壓碳化矽整流器提供獨特的特性，有望徹底改變高壓組件. GeneSiC的 8000 V 和 3300 V 肖特基整流器具有不隨溫度變化的零反向恢復電流. 單個器件中的這種相對較高的電壓允許減少典型高壓發生器電路所需的電壓倍增級, 通過使用更高的交流輸入電壓. 接近理想的開關特性允許消除/大幅減少電壓平衡網絡和緩衝電路. 8000 V PiN 整流器提供更高的電流水平和更高的工作溫度. 6500 V SiC 晶閘管芯片也可用於加速 R&D 新系統.

“這些產品展示了 GeneSiC 在多 kV 額定值的 SiC 芯片開發方面的強大領先地位. 我們相信 8000 V 額定值超出了矽器件在額定溫度下所能提供的, 並將為我們的客戶帶來顯著利益. GeneSiC 的低 VF, 低電容 SiC 整流器和晶閘管將實現以前無法實現的系統級優勢” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC半導體總裁.

8000 V/2 A SiC 裸片 Pin 整流器技術亮點

• 噸_最大 = 210^的C
• 反向漏電流 < 50 uA 175^的C
• 反向恢復電荷 558 數控 (典型的).

8000 V / 50 mA SiC 裸片肖特基整流器技術亮點

• 總電容 25 PF (典型的, 在 -1 V, 25^的C).
• VF 上的正溫度係數
• 噸_最大 = 175^的C

6500 V SiC 晶閘管裸片技術亮點

• 三種供品—— 80 安培 (GA080TH65-CAU); 60 安培 (GA060TH65-CAU); 和 40 安培 (GA040TH65-CAU)
• 噸_最大 = 200^的C

3300 V/0.3 A SiC 裸片整流器技術亮點

• 狀態下降 1.7 電壓 0.3 一種
• VF 上的正溫度係數
• 噸_最大 = 175^的C
• 電容充電 52 數控 (典型的).

關於GeneSiC半導體公司.

GeneSiC半導體公司. 是高溫領域的領先創新者, 大功率和超高壓碳化矽 (碳化矽) 設備, 以及廣泛的功率半導體的全球供應商. 其設備組合包括基於SiC的整流器, 晶體管, 和晶閘管產品, 以及矽整流產品. GeneSiC已開發了廣泛的知識產權和技術知識，其中包括SiC功率器件的最新進展, 針對替代能源的產品, 汽車行業, 石油鑽井, 電機控制, 電源供應, 運輸, 和不間斷電源應用. GeneSiC已獲得美國政府機構的多項研發合同, 包括 ARPA-E, 能源部, 海軍, 軍隊, 美國國防部高級研究計劃局, DTRA, 和國土安全部, 以及主要的政府主要承包商. 在 2011, 公司贏得了久負盛名的R&商業化超高壓SiC晶閘管獲得D100獎.

想要查詢更多的信息, 請拜訪 https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie