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半導體能源, 氮化鎵功率 IC 的行業領導者, 宣布收購 GeneSiC Semiconductor, 碳化矽先驅

 

第二, 加利福尼亞州。, 8月15日, 2022 - 能源半導體 (納斯達克: NVTS), 氮化鎵的行業領導者 (氮化鎵) 電源IC, 今天宣布收購GeneSiC Semiconductor, 碳化矽 (碳化矽) 在 SiC 功率器件設計和工藝方面擁有深厚專業知識的先驅. 由於 GeneSiC 的高利潤，該交易立即增加了 Navitas, 超過 25% EBITDA 利潤率. 日曆 2022 預計收入約為 $25 百萬，年增長率超過 60%. 合併後的公司將創建一個全面的, 業界領先的下一代功率半導體技術組合（GaN 和 SiC），總市場機會估計超過 $20 每年十億 2026.

“GeneSiC 是 Navitas 的理想合作夥伴，他們專注於開發行業領先的 SiC 技術並取得成功,”吉恩·謝里丹說, 納微首席執行官兼聯合創始人. “納微在全球銷售方面進行了大量投資, 運營和技術支持團隊, 以及電動汽車和數據中心的系統設計中心. 這些能力是對 GeneSiC 的完美補充，將進一步加速其在協同和新客戶和市場中的增長. 今天, 我們在公司“讓我們的世界電氣化™”的使命中邁出了重要的一步，並推動我們的星球從化石燃料過渡到清潔能源, 高效的, 電能。”

“GeneSiC 的專利保護, 先進的技術和創新的, 經驗豐富的團隊是我們公司成長的關鍵因素. 我們的 SiC MOSFET 提供業界最高的性能, 可靠性, 和堅固性——對電動汽車和相關基礎設施的廣泛採用至關重要的參數,”GeneSiC總裁博士說. 蘭比爾·辛格. “幾乎 20 多年的領先 R&d, 成熟的平台, 超過 500 多樣化的客戶, 以及不斷增長的收入和盈利能力, 我們可以利用 Navitas 的量產專業知識和進入市場的戰略來加速 SiC 收入. 我們對這種新的合作夥伴關係感到非常興奮。”

博士. Singh 加入 Navitas 擔任 GeneSiC 業務執行副總裁，Navitas 希望保留 GeneSiC 團隊的所有成員.

在功率半導體中, GaN 和 SiC 都是優於傳統矽的材料, 實現更高的速度, 更節能, 充電速度更快, 並顯著減小尺寸, 重量, 和成本. 一起, 這些互補, 下一代材料可滿足 20W 智能手機充電器的廣泛應用, 至 20kW 電動汽車充電器, 到 20MW 電網基礎設施系統以及介於兩者之間的一切. 隨著結束 500 顧客, GeneSiC 收購帶來多元化和協同效應的市場和客戶, 並加速 Navitas 在戰略方面的收入, 更高功率的應用:

  • 電磁干擾: Navitas GaN IC 針對 400V EV 系統進行了優化, GeneSiC 技術是 800V EV 系統的理想選擇, 與現有的收入和發展客戶，包括比亞迪——世界 #1 電動汽車供應商, 路虎, 奔馳AMG, 吉利, 辛裡, LG 麥格納, 薩博, 與創新, 和其他幾十人一起.
  • 太陽的 & 儲能: Navitas GaN IC 服務於住宅太陽能, 而 GeneSiC 在更高功率方面立即獲得收入, 商業太陽能和儲能客戶, 包括 APS, 先進能源, 正泰, 陽光電源, 格羅瓦特, 寧德時代, Exide 和許多其他人.
  • 更廣泛的工業市場: GeneSiC 高壓產品在包括鐵路在內的廣泛的其他工業市場帶來直接收入, UPS, 風, 電網功率, 工業馬達, 和醫學成像.

交易明細

收購 GeneSiC 預計將立即增加 Navitas 的每股收益. 總代價包括大約 $100 百萬現金, 24.9 100 萬股 Navitas 股票和最高可能的盈利支付 $25 百萬美元取決於 GeneSiC 業務在截至 9 月的四個財政季度實現可觀的收入目標 30, 2023. 有關 GeneSiC 的更多信息，請訪問 ir.navitassemi.com.

顧問

Jefferies LLC 擔任 Navitas 的財務顧問，美國銀行擔任 GeneSiC 的財務顧問. TCF法律集團, PLLC 擔任 Navitas 和 Gibson 的法律顧問, 鄧恩 & Crutcher LLP 擔任 GeneSiC 的法律顧問.

電話會議和網絡廣播信息

收購 GeneSiC 將作為 Navitas Q2 的一部分進行討論 2022 收益電話會議:

什麼時候: 週一, 八月 15th, 2022

時間: 2:00 下午. 太平洋 / 5:00 下午. 東

免費電話撥入: (800) 715-9871 要么 (646) 307-1963

會議編號: 6867001

網絡直播: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

重播: 可從公司網站的投資者關係部分訪問電話重播，網址為 https://ir.navitassemi.com/.

關於前瞻性陳述的警示性陳述

本新聞稿包括美國證券交易法第 21E 條含義內的“前瞻性陳述” 1934, 經修正. 前瞻性陳述可通過使用“我們期望”或“預計將,“ “估計,“ “計劃,“ “項目,“ “預報,“ “打算,“ “預料,“ “相信,“ “尋找,”或其他類似的表述，預測或表明未來的事件或趨勢，或者不是對歷史事件的陳述. 這些前瞻性陳述包括, 但不限於, 關於其他財務和績效指標的估計和預測以及市場機會和市場份額的預測的聲明. 這些陳述基於各種假設, 無論是否在本新聞稿中確定. 這些陳述也是基於當前對 Navitas 管理層的預期，而不是對實際業績的預測. 此類前瞻性陳述僅用於說明目的，並不旨在作為, 並且不得被任何投資者依賴為, 保證, 保證, 對事實或概率的預測或明確陳述. 實際事件和情況難以或不可能預測，並且與假設和預期不同. 許多影響業績的實際事件和情況超出了納微的控制範圍. 前瞻性陳述受到許多風險和不確定性的影響, 包括 Navitas 和 GeneSiC 業務的預期增長可能無法實現, 或不會在預期時間段內實現, 由於, 除其他事項外, 未能將 GeneSiC 成功整合到 Navitas 的業務和運營系統中; 收購對客戶和供應商關係的影響或未能保留和擴大這些關係; 其他業務發展努力的成敗; Navitas 的財務狀況和經營業績; Navitas 準確預測未來收入以適當預算和調整 Navitas 費用的能力; Navitas 能夠使其客戶群多樣化並在新市場發展關係; Navitas 將其技術擴展到新市場和應用的能力; 競爭對納微業務的影響, 包括在我們希望滲透的市場中具有成熟影響力和資源的競爭對手的行為, 包括碳化矽市場; Navitas 和 GeneSiC 客戶終端市場的需求水平, 總體上和關於連續幾代的產品或技術; Navitas 的吸引能力, 培訓和留住關鍵的合格人員; 政府貿易政策的變化, 包括徵收關稅; COVID-19 大流行對 Navitas 業務的影響, 經營業績和財務狀況; COVID-19 大流行對全球經濟的影響, 包括但不限於納微的供應鏈以及客戶和供應商的供應鏈; 美國和其他國家的監管發展; 以及 Navitas 保護其知識產權的能力. 這些和其他風險因素在 風險因素部分 從 p 開始. 11 我們的 10-K 表格年度報告 截至 12 月的年度 31, 2021, 我們向證券交易委員會提交的文件 (“證監會”) 在三月 31, 2022 並經其後修訂, 在我們向 SEC 提交的其他文件中, 包括我們關於表格 10-Q 的季度報告. 如果任何這些風險成為現實或我們的假設被證明不正確, 實際結果可能與這些前瞻性陳述所暗示的結果大不相同. 可能存在 Navitas 不知道或 Navitas 目前認為無關緊要的其他風險，這也可能導致實際結果與前瞻性陳述中包含的結果存在重大差異. 此外, 前瞻性陳述反映 Navitas 的預期, 截至本新聞稿發布之日的未來事件和觀點的計劃或預測. Navitas 預計後續事件和發展將導致 Navitas 的評估發生變化. 然而, 而納微可能會選擇在未來某個時候更新這些前瞻性陳述, Navitas 明確否認有任何義務這樣做. 這些前瞻性陳述不應被視為代表 Navitas 在本新聞稿發布日期之後的任何日期的評估.

關於納微

半導體能源 (納斯達克: NVTS) 是氮化鎵的行業領導者 (氮化鎵) 電源IC, 成立於 2014. GaNFast™ 功率 IC 將 GaN 功率與驅動器集成在一起, 控制, 感應和保護，以實現更快的充電, 更高的功率密度和更節能的移動設備, 消費者, 數據中心, 電動汽車和太陽能市場. 超過 165 Navitas 專利已發布或正在申請中. 超過 50 百萬台已發貨，報告的 GaN 現場故障為零, 和 Navitas 推出業界首個也是唯一的 20 年保修. Navitas是世界上第一家半導體公司 碳中和®-認證.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC 半導體 是碳化矽的先驅和世界領導者 (碳化矽) 技術. 全球領先的製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 並且更經濟，並在各種大功率系統中的節能方面發揮關鍵作用. GeneSiC 擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利, 預計將達到的市場超過 $5 億 2025. 我們的核心設計優勢, 工藝和技術為我們客戶的最終產品增加更多價值, 性能和成本指標為碳化矽行業樹立了新標準.

聯繫信息

媒體

格雷厄姆·羅伯遜, CMO 大橋

格雷厄姆@GrandBridges.com

投資者

斯蒂芬奧利弗, 企業營銷副總裁 & 投資者關係

ir@navitassemi.com

半導體能源, GaNFast, GaNSense 和 Navitas 徽標是 Navitas Semiconductor Limited 的商標或註冊商標. 所有其他品牌, 產品名稱和標誌是或可能是用於識別其各自所有者的產品或服務的商標或註冊商標.

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G3R™ 750V SiC MOSFET 提供無與倫比的性能和可靠性

750V G3R 碳化矽MOSFET

杜勒斯, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 將提供前所未有的性能水平, 超越同類產品的堅固性和質量. 系統優勢包括工作溫度下的低通態下降, 更快的切換速度, 功率密度增加, 最小振鈴 (低電磁干擾) 緊湊的系統尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供優化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 經過優化，可在所有工作條件和超快開關速度下以最低功耗運行. 與當代 SiC MOSFET 相比，這些器件具有明顯更好的性能水平.

750V G3R 碳化矽MOSFET

“高效能源使用已成為下一代電源轉換器的關鍵交付物，而碳化矽功率器件繼續成為推動這場革命的關鍵組件. 經過多年的開發工作，以實現最低的導通電阻和穩健的短路和雪崩性能, 我們很高興發佈業界性能最佳的 750V 碳化矽 MOSFET. 我們的 G3R™ 使電力電子設計師能夠滿足具有挑戰性的效率, 太陽能逆變器等應用中的功率密度和質量目標, EV 車載充電器和服務器/電信電源. 有保證的質量, 由快速周轉和汽車合格的大批量製造支持，進一步增強了他們的價值主張. ” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.

特徵 –

  • 業界最低的柵極電荷 (問G) 和內部柵極電阻 (RG(情報局))
  • 最低 RDS(上) 隨溫度變化
  • 低輸出電容 (C我們) 和米勒電容 (C廣東)
  • 100% 雪崩 (UIL) 生產過程中經過測試
  • 行業領先的短路耐受能力
  • 具有低 V 的快速可靠的體二極管F 和低 QRR
  • 高且穩定的柵極閾值電壓 (VTH) 跨越所有溫度和漏極偏壓條件
  • 具有更低熱阻和更低振鈴的先進封裝技術
  • R的製造均勻性DS(上), VTH 和擊穿電壓 (BV)
  • 全面的產品組合和更安全的供應鏈，符合汽車標準的大批量製造

應用 –

  • 太陽的 (光伏) 逆變器
  • 電動汽車 / HEV車載充電器
  • 服務器 & 電信電源
  • 不間斷電源 (UPS)
  • DC-DC轉換器
  • 開關電源 (開關電源)
  • 儲能和電池充電
  • 感應加熱

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽車應用 (AEC-q101) 和PPAP功能.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&貿易碳化矽MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&貿易碳化矽MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&貿易碳化矽MOSFET

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 或聯繫 sales@genesicsemi.com

所有設備均可通過授權分銷商購買 – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key電子

紐瓦克·法奈爾element14

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關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

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5具有一流效率的第 650V 碳化矽肖特基 MPS™ 二極管

Gen5 650V 碳化矽肖特基 MPS™

杜勒斯, VA, 可能 28, 2021 — GeneSiC 半導體, 碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體器件, 宣布第 5 代的可用性 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 整流器以其卓越的性價比指標樹立了新的標杆, 行業領先的浪湧電流和雪崩穩定性, 和高品質的製造.

“GeneSiC 是最早在美國商業化供應 SiC 肖特基整流器的 SiC 製造商之一。 2011. 經過十多年為業界提供高性能、高品質的碳化矽整流器, 我們很高興發布我們的第 5 代 SiC 肖特基 MPS™ (合併-PiN-肖特基) 在各個方面提供行業領先性能的二極管，以滿足服務器/電信電源和電池充電器等應用中的高效率和功率密度目標. 使我們的第 5 代的革命性功能 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 二極管在同類產品中脫穎而出的是低內置電壓 (也稱為拐點電壓);它可以在所有負載條件下實現最低的二極管傳導損耗 - 對於需要高效能源使用的應用至關重要. 與其他競爭對手的 SiC 二極管相比，同樣設計用於提供低拐點特性, 我們的 Gen5 二極管設計的另一個特點是它們仍然保持高水平的雪崩 (UIL) 我們的客戶對 GeneSiC 的 Gen3 所期望的堅固性 (GC***系列) 和 Gen4 (GD***系列) SiC肖特基MPS™” 醫生說. 席達斯·桑達瑞森, GeneSiC半導體技術副總裁.

特徵 –

  • 低內置電壓 – 所有負載條件下的最低傳導損耗
  • 優異的功績 – 質量控制 x VF
  • 最佳性價比
  • 增強的浪湧電流能力
  • 100% 雪崩 (UIL) 已測試
  • 低熱阻適用於較冷的操作
  • 零正向和反向恢復
  • 溫度無關的快速開關
  • VF 的正溫度係數

應用 –

  • 功率因數校正中的升壓二極管 (全氟化合物)
  • 服務器和電信電源
  • 太陽能逆變器
  • 不間斷電源 (UPS)
  • 電池充電器
  • 隨心所欲 / 逆變器中的反並聯二極管

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 碳化矽肖特基 MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 碳化矽肖特基 MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 碳化矽肖特基 MPS™

所有設備均可通過授權分銷商購買 – www.genesicsemi.com/sales-support

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ 或聯繫 sales@genesicsemi.com

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

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GeneSiC的新型第三代SiC MOSFET具有業界最佳的品質因數

杜勒斯, VA, 二月 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor的具有RDS的下一代1200V G3R™SiC MOSFET(上) 級別從 20 mΩ至 350 mΩ可提供前所未有的性能水平, 超越同類產品的堅固性和質量. 系統優勢包括更高的效率, 更快的開關頻率, 功率密度增加, 減少振鈴 (電磁干擾) 緊湊的系統尺寸.

GeneSiC宣布推出具有行業領先性能的行業領先的第三代碳化矽MOSFET, 在汽車和工業應用中實現前所未有的效率和系統可靠性水平的強大功能和質量.

這些G3R™SiC MOSFET, 提供優化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 針對要求提高效率水平和超快開關速度的電源系統設計進行了高度優化. 與競爭產品相比，這些設備具有更好的性能水平. 有保證的質量, 快速周轉的大批量製造的支持進一步增強了其價值主張.

“經過多年的開發，努力實現最低的導通電阻和增強的短路性能, 我們很高興發佈業界性能最佳的1200V SiC MOSFET，具有超過 15+ 分立和裸芯片產品. 如果下一代電力電子系統要滿足挑戰性的效率, 汽車等應用中的功率密度和質量目標, 工業的, 再生能源, 運輸, IT和電信, 則與目前可用的SiC MOSFET相比，它們需要顯著改善的器件性能和可靠性” 醫生說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.

特徵 –

  • 上級QG 設DS(上) 品質因數 – G3R™SiC MOSFET具有業界最低的導通電阻和極低的柵極電荷, 導致 20% 比其他同類競爭產品更好的品質因數
  • 在所有溫度下的傳導損耗低 – GeneSiC的MOSFET具有最弱的溫度導通電阻依賴性，在所有溫度下的導通損耗都非常低; 明顯優於市場上任何其他溝槽和平面SiC MOSFET
  • 100 % 雪崩測試 – 強大的UIL功能是大多數現場應用的關鍵要求. GeneSiC的1200V SiC MOSFET分立器件 100 % 雪崩 (UIL) 生產過程中經過測試
  • 低柵極電荷和低內部柵極電阻 – 這些參數對於實現超快速切換和實現最高效率至關重要 (低Eon -Eoff) 廣泛的應用開關頻率
  • 常關穩定工作溫度高達175°C – GeneSiC的所有SiC MOSFET均採用最先進的工藝進行設計和製造，可在所有工作條件下提供穩定可靠的產品，而不會出現任何故障風險. 這些器件的優異柵極氧化質量可防止任何閾值 (VTH) 漂移
  • 低設備電容 – G3R™旨在通過其低設備電容來驅動更快，更高效– Ciss, Coss和Crss
  • 快速可靠的體二極管，固有電荷低 – GeneSiC的MOSFET具有基準低反向恢復電荷 (問RR) 在所有溫度下; 30% 比任何同類額定競爭對手的設備都要好. 這樣可以進一步減少功率損耗並提高工作頻率
  • 使用方便 – G3R™SiC MOSFET設計為以+ 15V驅動 / -5V門驅動. 這與現有的商用IGBT和SiC MOSFET柵極驅動器具有最廣泛的兼容性

應用 –

  • 電磁干擾 – 動力總成和充電
  • 太陽能逆變器和儲能
  • 工業電機驅動
  • 不間斷電源供應 (UPS)
  • 開關電源 (開關電源)
  • 雙向DC-DC轉換器
  • 智能電網和高壓直流
  • 感應加熱和焊接
  • 脈衝功率應用

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Digi-Key電子

紐瓦克·法奈爾element14

貿澤電子

艾睿電子

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet 或聯繫 sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽車應用 (AEC-q101) 和PPAP功能. 所有設備均以行業標準D2PAK提供, TO-247和SOT-227封裝.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

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GeneSiC的3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET徹底改變了輔助電源的小型化

杜勒斯, VA, 十二月 4, 2020 — GeneSiC宣布推出業界領先的3300V和1700V分立SiC MOSFET，這些M​​OSFET經過優化可實現無與倫比的小型化, 工業家政電源的可靠性和節能.

GeneSiC 半導體, 碳化矽綜合產品的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體, 今天宣布推出下一代3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和G2R1000MT33J. 這些SiC MOSFET可實現卓越的性能水平, 基於旗艦功績指標 (FoM) 增強和簡化跨儲能係統的電力系統, 再生能源, 工業馬達, 通用逆變器和工業照明. 發布的產品有:

G2R1000MT33J – 3300V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D – 1700V1000mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J – 1700V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D – 1700V450mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J – 1700V450mΩTO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC的新型3300V和1700V SiC MOSFET, 提供1000mΩ和450mΩ選項的SMD和通孔分立封裝, 針對要求提高效率水平和超快開關速度的電源系統設計進行了高度優化. 與競爭產品相比，這些設備具有更好的性能水平. 有保證的質量, 快速周轉的大批量製造的支持進一步增強了其價值主張.

“在1500V太陽能逆變器等應用中, 輔助電源中的MOSFET可能必須承受2500V的電壓, 取決於輸入電壓, 變壓器匝數比與輸出電壓. 高擊穿電壓MOSFET消除了反激式中串聯開關的需求, 升壓和正激轉換器，從而減少了零件數量並降低了電路複雜度. GeneSiC的3300V和1700V分立SiC MOSFET允許設計人員使用更簡單的基於單開關的拓撲，同時為客戶提供可靠的, 緊湊而經濟的系統” 蘇米特·賈達夫（Sumit Jadav）說, GeneSiC Semiconductor高級應用經理.

特徵 –

  • 優越的性價比指數
  • 旗艦QG 設DS(上) 品質因數
  • 低固有電容和低柵極電荷
  • 在所有溫度下損耗低
  • 高雪崩和短路強度
  • 基準閾值電壓，可在高達175°C的常態下穩定運行

應用 –

  • 再生能源 (太陽能逆變器) 和儲能
  • 工業馬達 (和債券)
  • 通用變頻器
  • 工業照明
  • 壓電驅動器
  • 離子束髮生器

所有設備均可通過授權分銷商購買 – www.genesicsemi.com/sales-support

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet 或聯繫 sales@genesicsemi.com

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

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GeneSiC行業領先的6.5kV SiC MOSFET – 新浪潮的先鋒

6.5kV SiC MOSFET

杜勒斯, VA, 十月 20, 2020 — GeneSiC發布6.5kV碳化矽MOSFET，在提供前所未有的性能水平方面處於領先地位, 牽引等中壓功率轉換應用的效率和可靠性, 脈衝電源和智能電網基礎設施.

GeneSiC 半導體, 廣泛的碳化矽的先驅和全球供應商 (碳化矽) 功率半導體, 今日宣布立即供貨6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用該技術的全碳化矽模塊即將發布. 預計應用將包括牽引力, 脈衝功率, 智能電網基礎設施和其他中壓功率轉換器.

G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (與集成肖特基) 裸芯片

G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片

GeneSiC的創新特色是SiC雙注入金屬氧化物半導體 (場效應管) 結勢壘肖特基器件結構 (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET單元電池中. 這種領先的功率器件可用於下一代功率轉換系統中的各種功率轉換電路中. 其他重要優勢包括更高效的雙向性能, 溫度獨立開關, 低開關損耗和傳導損耗, 降低冷卻要求, 出色的長期可靠性, 易於並聯設備並節省成本. GeneSiC的技術不僅具有出色的性能，而且還具有減少功率轉換器中SiC淨材料足蹟的潛力.

“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圓上設計和製造，以實現低導通電阻, 最好的質量, 和卓越的性價比指標. 下一代MOSFET技術可提供出色的性能, 在中壓功率轉換應用中具有出色的耐用性和長期可靠性。” 說過 博士. 席達斯·桑達瑞森, GeneSiC半導體技術副總裁.

GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技術特性 –

  • 高雪崩 (統計研究所) 和短路堅固性
  • 上級QG 設DS(上) 品質因數
  • 溫度無關的開關損耗
  • 低電容和低柵極電荷
  • 在所有溫度下損耗低
  • 常關穩定工作溫度高達175°C
  • +20 V / -5 V門驅動

有關數據表和其他資源, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip 或聯繫 sales@genesicsemi.com

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC Semiconductor是碳化矽技術的先驅和全球領導者, 同時還投資了高功率矽技術. 全球領先的工業和國防系統製造商依靠 GeneSiC 的技術來提升其產品的性能和效率. GeneSiC的電子組件運行溫度更低, 快點, 更經濟, 並在各種高功率系統的節能中發揮關鍵作用. 我們擁有寬帶隙功率器件技術的領先專利; 預計將達到的市場超過 $1 億 2022. 我們的核心競爭力是為客戶增加更多價值’ 最終產品. 我們的性能和成本指標是碳化矽行業的標準.

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GeneSiC贏得久負盛名的R&SiC基單片晶體管-整流器開關D100獎

杜勒斯, VA, 十二月 5, 2019 — [R&D Magazine選擇了GeneSiC Semiconductor Inc. 杜勒斯, VA作為享有盛譽的接受者 2019 [R&d 100 SiC基單片晶體管-整流器開關開發獎.

GeneSiC半導體公司, 基於碳化矽的功率器件的關鍵創新者因其已獲得久負盛名的獎項而感到榮幸 2019 [R&d 100 獎. 該獎項旨在表彰GeneSiC引入的最重要的技術之一, 在此期間，多個學科之間最新引入的研發進展 2018. [R&D Magazine認可GeneSiC的中壓SiC功率器件技術，因為它能夠將MOSFET和肖特基整流器單片集成在單個芯片上. GeneSiC的設備所具有的這些功能至關重要，使電力電子研究人員能夠開發下一代電力電子系統，例如逆變器和DC-DC轉換器. 這將允許電動汽車內的產品開發, 充電基礎設施, 可再生能源和儲能行業. GeneSiC已預訂了多個客戶的訂單，以演示使用這些設備的先進功率電子硬件，並繼續開發其碳化矽MOSFET產品系列. R&早期版本的D用於電源轉換應用程序是通過美國部開發的. 能源和與桑迪亞國家實驗室的合作.

R舉辦的年度技術競賽&《 D雜誌》評估了多家公司和行業參與者的作品, 世界各地的研究機構和大學. 該雜誌的編輯和外部專家小組擔任評委, 根據每個條目對科學和研究領域的重要性來評估每個條目.

根據R&D雜誌, 贏得R&d 100 獎項提供了業界知名的卓越標誌, 政府, 和學術界證明該產品是本年度最具創新性的想法之一. 該獎項肯定了GeneSiC在創造基於技術的產品方面的全球領導者，這些產品對我們的工作和生活產生了影響.

關於GeneSiC半導體, 公司.

GeneSiC是SiC功率器件領域中快速崛起的創新者，對碳化矽的發展有著堅定的承諾 (碳化矽) 基於設備: (一種) 電網用HV-HF SiC器件, 脈衝功率和定向能量武器; 和 (b) 用於飛機執行器和石油勘探的高溫SiC功率器件. GeneSiC半導體公司. 開發碳化矽 (碳化矽) 半導體的高溫半導體器件, 輻射, 和電網應用. 這包括整流器的開發, 場效應管, 雙極器件以及粒子 & 光子探測器. GeneSiC可以使用廣泛的半導體設計套件, 製造, 此類設備的表徵和測試設施. GeneSiC充分利用其在設備和工藝設計方面的核心競爭力，為客戶開發出可能的最佳SiC設備. 該公司通過提供專門針對每個客戶需求的高品質產品而脫穎而出. GeneSiC擁有美國主要政府機構（包括ARPA-E）的主要/分包合同, 美國能源部, 海軍, 美國國防部高級研究計劃局, 國土安全部, 美國商務部和其他部門. 國防部. GeneSiC繼續在杜勒斯（Dulles）迅速改善設備和人員基礎設施, 弗吉尼亞工廠. 該公司正在積極招聘具有化合物半導體器件製造經驗的人員, 半導體測試和檢測器設計. 有關公司及其產品的更多信息，請致電GeneSiC，網址為： 703-996-8200 或訪問www.genesicsemi.com.