DULES, VA, Ekim 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., yüksek sıcaklıkta hızla yükselen bir yenilikçi, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, FY07 sırasında ABD Enerji Bakanlığı'ndan üç ayrı küçük işletme hibesi aldığını duyurdu. SBIR ve STTR hibeleri, GeneSiC tarafından çeşitli enerji depolamaya yönelik yeni yüksek voltaj SiC cihazlarını göstermek için kullanılacaktır., Güç ızgarası, yüksek sıcaklık ve yüksek enerjili fizik uygulamaları. Dünya daha verimli ve uygun maliyetli enerji yönetimi çözümlerine odaklandıkça, enerji depolama ve elektrik şebekesi uygulamaları giderek daha fazla ilgi görüyor.
“ABD Enerji Bakanlığı bünyesindeki çeşitli ofislerin yüksek güçlü cihaz çözümlerimizle ilgili ifade ettiği güven seviyesinden memnunuz.. Bu finansmanı, gelişmiş SiC teknoloji programlarımıza enjekte etmek, endüstri lideri bir SiC cihazları ile sonuçlanacaktır.,” GeneSiC Başkanı yorumladı, Dr.. Ranbir Singh. “Bu projelerde geliştirilen cihazlar, daha verimli bir elektrik şebekesini desteklemek için kritik etkinleştirme teknolojisi sağlamayı vaat ediyor., ve çağdaş silikon temelli teknolojilerin sınırlamaları nedeniyle gerçekleşmemiş olan yeni ticari ve askeri donanım teknolojisinin kapısını açacaktır.”
Üç proje şunları içerir::
- Yüksek akıma odaklanan yeni bir Faz I SBIR ödülü, enerji depolama uygulamalarına yönelik multi-kV Tristör tabanlı cihazlar.
- DOE Bilim Ofisi tarafından verilen yüksek güçlü RF sistem uygulamaları için yüksek voltajlı güç kaynakları için çoklu kV SiC güç cihazlarının geliştirilmesine yönelik bir Faz II SBIR devam ödülü.
- Optik kapılı yüksek gerilime odaklanan bir Faz I STTR ödülü, elektromanyetik girişim açısından zengin ortamlar için yüksek frekanslı SiC güç cihazları, yüksek güçlü RF enerji sistemleri dahil, ve yönlendirilmiş enerji silah sistemleri.
Ödüllerle birlikte, GeneSiC, kısa süre önce operasyonlarını Dulles'daki genişletilmiş bir laboratuvara ve ofis binasına taşıdı, Virjinya, ekipmanını önemli ölçüde yükseltiyor, altyapı ve ek kilit personel ekleme sürecindedir.
“GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır., bunu kapsamlı bir üretim paketine erişimle desteklemek, karakterizasyon ve test tesisleri,” Dr. sonuçlandı. Singh. “Bu yeteneklerin ABD DOE tarafından bu yeni ve devam eden ödüllerle etkin bir şekilde onaylandığını düşünüyoruz.”
Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederek www.genesicsemi.com.
