Yüksek anahtarlama hızları ve davranışa dayalı modeller için optimize edilmiş Kapı Sürücü Kartı, güç elektroniği tasarım mühendislerinin kart düzeyinde değerlendirme ve devre simülasyonunda SJT'lerin faydalarını doğrulamasını ve ölçmesini sağlar
DULES, V.A., kasım 19, 2014 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün Gate Driver değerlendirme panosunun hemen kullanılabilirliğini duyurdu ve endüstrinin en düşük kayıplı anahtarları olan SiC Bağlantı Transistörü için tasarım desteğini genişletti (SJT) – tam nitelikli bir LTSPICE IV modeliyle. Yeni Gate Sürücü Kartını Kullanma, güç dönüştürme devresi tasarımcıları, 15 nanosaniye altının faydalarını doğrulayabilir, SiC Bağlantı Transistörlerinin sıcaklıktan bağımsız anahtarlama özellikleri, düşük sürücü güç kayıpları ile. Yeni SPICE modellerinin dahil edilmesi, devre tasarımcıları, GeneSiC'nin SJT'lerinin, karşılaştırılabilir dereceli cihazlar için geleneksel silikon güç anahtarlama cihazlarıyla mümkün olandan daha yüksek bir verimlilik düzeyi elde etmek için sağladığı faydaları kolayca değerlendirebilir.
Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4, GeneSiC'den SJT'lere uygulanabilir
SiC Bağlantı Transistörleri, diğer SiC Transistör teknolojilerinden önemli ölçüde farklı özelliklere sahiptir., yanı sıra Silikon Transistörler. SiC Bağlantı Transistörlerinin avantajlarından yararlanmak için sürücü çözümleri sağlamak için yüksek anahtarlama hızları sunarken düşük güç kayıpları sağlayabilen Gate Sürücü kartlarına ihtiyaç vardı.. GeneSiC tamamen izole edilmiştir GA03IDDJT30-FR4 Geçit sürücü kartı, küçük yükselme/düşme süreleri sağlamak için gereken voltaj/akım dalga biçimlerini en uygun şekilde koşullandırmak için 0/12V ve bir TTL sinyali alır, Açık durumdayken Normalde KAPALI SJT'nin iletimini sürdürmek için sürekli akım gereksinimini en aza indirirken. Pin konfigürasyonu ve form faktörleri diğer SiC transistörlere benzer şekilde tutulur. GeneSiC ayrıca, gerçekleştirilen sürücü tasarımı yeniliklerinin faydalarını birleştirmelerini sağlamak için son kullanıcıya Gerber dosyalarını ve Malzeme Listelerini yayınladı..
SJT'ler, iyi davranışlı durum ve anahtarlama özellikleri sunar, Temel fizik tabanlı modellerle de oldukça iyi uyum sağlayan davranış tabanlı SPICE modelleri oluşturmayı kolaylaştırır. İyi kurulmuş ve anlaşılmış fizik tabanlı modelleri kullanma, Cihaz davranışıyla yapılan kapsamlı testlerden sonra SPICE parametreleri yayınlandı. GeneSiC'in SPICE modelleri, tüm cihaz veri sayfalarında deneysel olarak ölçülen verilerle karşılaştırılır ve tüm cihazlara uygulanabilir. 1200 V ve 1700 V SiC Bağlantı Transistörleri piyasaya sürüldü.
GeneSiC'nin SJT'leri, aşağıdakilerden daha fazla anahtarlama frekansları sunma yeteneğine sahiptir. 15 IGBT tabanlı çözümlerden kat kat daha yüksek. Daha yüksek anahtarlama frekansları, daha küçük manyetik ve kapasitif elemanlar sağlayabilir, böylece toplam boyutu küçültmek, güç elektroniği sistemlerinin ağırlığı ve maliyeti.
Bu SiC Bağlantı Transistörü SPICE modeli, GeneSiC'nin kapsamlı tasarım destek araçları paketine katkıda bulunur, teknik döküman, ve güç elektroniği mühendislerine GeneSiC'nin kapsamlı SiC Bağlantı Transistörleri ve Doğrultucuları ailesini yeni nesil güç sistemlerine uygulamak için gerekli tasarım kaynaklarını sağlamak için güvenilirlik bilgileri.
GeneSiC's Gate Driver Board veri sayfaları ve SJT SPICE modelleri şuradan indirilebilir: https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
