Kategori: Basın yayınları

İkinci, CA., 15 Ağustos, 2022 - Yarı İletken Enerji (Nasdaq: NVTS), galyum nitrürde endüstri lideri (GaN) güç IC'leri, bugün GeneSiC Semiconductor'ın satın alındığını duyurdu, bir silisyum karbür (SiC) SiC güç cihazı tasarımı ve sürecinde derin uzmanlığa sahip öncü. GeneSiC oldukça karlı olduğu için işlem Navitas'a hemen kazandırılıyor, daha fazlasıyla 25% FAVÖK marjları. Takvim 2022 gelirlerin yaklaşık olması beklenmektedir. $25 üzerinde kanıtlanmış yıllık büyüme oranları ile milyon 60%. Birleşen şirket, kapsamlı bir, Yeni nesil güç yarı iletkenlerinde (hem GaN hem de SiC) sektör lideri teknoloji portföyü ve toplam pazar fırsatı $20 yılda milyar 2026.

“GeneSiC, sektör lideri SiC teknolojisini geliştirmeye odaklanmaları ve başarılarıyla Navitas için ideal bir ortaktır.,dedi Gene Sheridan, Navitas CEO'su ve kurucu ortağı. “Navitas'ın küresel satışlarda önemli yatırımları var, operasyonlar ve teknik destek ekipleri, EV ve veri merkezlerindeki sistem tasarım merkezleriyle birlikte. Bu yetenekler, GeneSiC için mükemmel bir tamamlayıcıdır ve hem sinerjik hem de yeni müşteriler ve pazarlarda büyümelerini daha da hızlandıracaktır.. Bugün, şirketimizin "Dünyamızı Elektriklendirmek™" misyonunda büyük bir adım attık ve gezegenimizin fosil yakıtlardan temiz enerjiye geçişini sağladık, verimli, elektrik enerjisi."

“GeneSiC'in patent korumalı, ileri teknoloji ve yenilikçi, Tecrübeli ekip, şirketimizin büyümesinde kritik faktörlerdir.. SiC MOSFET'lerimiz endüstrinin en yüksek performansını sunar, güvenilirlik, ve sağlamlık – elektrikli araçların ve ilgili altyapının yaygın olarak benimsenmesi için kritik parametreler,dedi GeneSiC Başkanı Dr.. Ranbir Singh. “Neredeyse 20 yıllarca öncü R&NS, kanıtlanmış platformlar, üzerinde 500 farklı müşteriler, ve artan gelir ve karlılık, SiC gelirlerini hızlandırmak için Navitas'ın seri üretim uzmanlığından ve pazara açılma stratejisinden yararlanabiliriz. Bu yeni ortaklık için çok heyecanlıyız.”

Dr.. Singh, GeneSiC işinden sorumlu Başkan Yardımcısı olarak Navitas'a katıldı ve Navitas, GeneSiC ekibinin tüm üyelerini elinde tutmayı umuyor.

Güç yarı iletkenlerinde, hem GaN hem de SiC, eski silikona göre üstün malzemelerdir, daha yüksek hızların etkinleştirilmesi, daha fazla enerji tasarrufu, daha hızlı şarj, ve önemli ölçüde küçültülmüş boyut, ağırlık, ve maliyet. Birlikte, bu tamamlayıcılar, yeni nesil malzemeler, 20W akıllı telefon şarj cihazlarından geniş bir uygulama yelpazesine hitap ediyor, 20kW EV şarj cihazlarına, 20MW şebeke altyapısı sistemlerine ve aradaki her şeye. bitti ile 500 müşteriler, GeneSiC satın alımı, çeşitlendirilmiş ve sinerjik pazarlar ve müşteriler sunar, ve stratejik olarak Navitas'ın gelirini hızlandırır, daha yüksek güçlü uygulamalar:

• Elektrikli araç: Navitas GaN IC'leri 400V EV sistemleri için optimize edilmiştir, ve GeneSiC teknolojisi, 800V EV sistemleri için idealdir, BYD dahil olmak üzere mevcut gelir ve geliştirme müşterileri ile - dünyanın #1 EV tedarikçisi, Land Rover, mercedes amg, Geeley, Parlak, LG Magna, Saab, ve İnovasyon, onlarcası ile birlikte.
• Güneş & Enerji Depolama: Navitas GaN IC'leri konut güneş enerjisi hizmeti veriyor, GeneSiC daha yüksek güçte anında gelir elde ederken, ticari güneş enerjisi ve enerji depolama müşterileri, APS dahil, Gelişmiş Enerji, Çint, gün ışığı, büyümek, CATL, Exide ve diğerleri.
• Daha Geniş Endüstriyel Pazarlar: GeneSiC yüksek voltaj ürünleri, demiryolu dahil olmak üzere çok çeşitli ek endüstriyel pazarlarda anında gelir sağlar., GÜÇ KAYNAĞI, rüzgâr, şebeke gücü, endüstriyel motorlar, ve tıbbi görüntüleme.

ödeme detayları

GeneSiC'in satın alınmasının, Navitas'ın hisse başına kazancına hemen eklenmesi bekleniyor.. Toplam değerlendirme yaklaşık olarak oluşuyordu $100 milyon nakit, 24.9 milyon Navitas hissesi ve olası kazanç ödemeleri $25 Eylül ayında sona eren dört mali çeyrek boyunca GeneSiC işi için önemli gelir hedeflerine ulaşılmasına bağlı milyon 30, 2023. GeneSiC hakkında daha fazla bilgi ir.navitassemi.com adresinde mevcuttur..

Danışman

Jefferies LLC, Navitas'ın finansal danışmanı olarak hareket etti ve Bank of America, GeneSiC'in finansal danışmanı olarak hareket etti.. TCF Hukuk Grubu, PLLC, Navitas ve Gibson'a hukuk danışmanı olarak hareket etti, Dunn & Crutcher LLP, GeneSiC'in hukuk danışmanı olarak görev yaptı.

Konferans Görüşmesi ve Web Yayını Bilgileri

GeneSiC edinimi, Navitas Q2'nin bir parçası olarak tartışılacak 2022 kazanç çağrısı:

Ne zaman: Pazartesi, Ağustos 15^inci, 2022

Zaman: 2:00 öğleden sonra. Pasifik / 5:00 öğleden sonra. Doğu

Ücretsiz Arama: (800) 715-9871 veya (646) 307-1963

Konferans Kimliği: 6867001

Canlı Web Yayını: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Tekrar oynat: Görüşmenin tekrarına Şirket internet sitesindeki Yatırımcı İlişkileri bölümünden ulaşılabilecektir. https://ir.navitassemi.com/.

İleriye Dönük Beyanlara İlişkin Uyarıcı Beyan

Bu basın bülteni, ABD Menkul Kıymetler Borsası Kanunu'nun 21E Bölümü anlamında "ileriye dönük beyanlar" içermektedir. 1934, olarak değiştirilmiştir. İleriye dönük ifadeler, "bekliyoruz" veya "olması bekleniyor" gibi kelimelerin kullanılmasıyla tanımlanabilir.," "tahmin etmek," "plan,” “proje," "tahmin etmek," "niyet etmek," "beklemek," "inanmak," "aramak,” veya gelecekteki olayları veya eğilimleri tahmin eden veya gösteren veya tarihsel konuların ifadesi olmayan diğer benzer ifadeler. Bu ileriye dönük ifadeler şunları içerir:, ama bunlarla sınırlı değil, diğer mali ve performans ölçümlerinin tahminleri ve tahminleri ile pazar fırsatı ve pazar payı tahminlerine ilişkin beyanlar. Bu ifadeler çeşitli varsayımlara dayanmaktadır., bu basın bülteninde tanımlanmış olsun ya da olmasın. Bu beyanlar ayrıca Navitas yönetiminin mevcut beklentilerine dayanmaktadır ve gerçek performansa ilişkin tahminler değildir.. Bu tür ileriye dönük ifadeler yalnızca açıklama amaçlıdır ve ileriye dönük ifadeler olarak hizmet etmesi amaçlanmamıştır., ve herhangi bir yatırımcı tarafından güvenilmemelidir., garanti, bir güvence, bir tahmin veya kesin bir gerçek veya olasılık ifadesi. Gerçek olay ve koşulların tahmin edilmesi zor veya imkansızdır ve varsayımlardan ve beklentilerden farklı olacaktır.. Performansı etkileyen birçok gerçek olay ve koşul Navitas'ın kontrolü dışındadır.. İleriye dönük ifadeler bir dizi risk ve belirsizliğe tabidir, Navitas'ın ve GeneSiC'in işletmelerinin beklenen büyümesinin gerçekleşmeme olasılığı dahil, veya beklenen süreler içinde gerçekleşmeyecek, dolayı, Diğer şeylerin yanı sıra, GeneSiC'i Navitas'ın iş ve operasyonel sistemlerine başarılı bir şekilde entegre edememe; Satın almanın müşteri ve tedarikçi ilişkileri üzerindeki etkisi veya bu ilişkileri koruma ve genişletmedeki başarısızlık; diğer iş geliştirme çabalarının başarısı veya başarısızlığı; Navitas'ın mali durumu ve faaliyet sonuçları; Navitas'ın, Navitas'ın giderlerini uygun şekilde bütçelemek ve ayarlamak amacıyla gelecekteki gelirleri doğru bir şekilde tahmin etme yeteneği; Navitas'ın müşteri tabanını çeşitlendirme ve yeni pazarlarda ilişkiler geliştirme becerisi; Navitas'ın teknolojisini yeni pazarlara ve uygulamalara ölçeklendirme yeteneği; rekabetin Navitas'ın işi üzerindeki etkileri, nüfuz etmeyi umduğumuz pazarlarda yerleşik bir mevcudiyete ve kaynaklara sahip rakiplerin eylemleri dahil, silisyum karbür pazarları dahil; Navitas'ın ve GeneSiC'in müşterilerinin son pazarlarındaki talep seviyesi, hem genel olarak hem de birbirini izleyen ürün veya teknoloji nesilleri ile ilgili olarak; Navitas'ın çekme yeteneği, kilit kalifiye personeli eğitin ve elde tutun; hükümetin ticaret politikalarındaki değişiklikler, tarifelerin uygulanması dahil; COVID-19 salgınının Navitas'ın işi üzerindeki etkisi, faaliyet sonuçları ve mali durum; COVID-19 salgınının küresel ekonomi üzerindeki etkisi, Navitas'ın tedarik zinciri ve müşterilerin ve tedarikçilerin tedarik zincirleri dahil ancak bunlarla sınırlı olmamak üzere; Amerika Birleşik Devletleri ve yabancı ülkelerdeki düzenleyici gelişmeler; ve Navitas'ın fikri mülkiyet haklarını koruma yeteneği. Bunlar ve diğer risk faktörleri, Risk Faktörleri bölümü p'den başlayarak. 11 bizim Form 10-K ile ilgili yıllık rapor Aralıkta sona eren yıl için 31, 2021, Menkul Kıymetler ve Borsa Komisyonu'na sunduğumuz (saniye") Martta 31, 2022 ve bundan sonra değiştirildiği şekliyle, ve SEC'e sunduğumuz diğer belgelerde, Form 10-Q ile ilgili üç aylık raporlarımız dahil. Bu risklerden herhangi biri gerçekleşirse veya varsayımlarımız yanlış çıkarsa, gerçek sonuçlar, bu ileriye dönük ifadelerin ima ettiği sonuçlardan önemli ölçüde farklı olabilir. Navitas'ın farkında olmadığı veya Navitas'ın şu anda önemsiz olduğuna inandığı ve gerçek sonuçların ileriye dönük beyanlarda yer alanlardan maddi olarak farklı olmasına neden olabilecek ek riskler olabilir.. Ek olarak, ileriye dönük ifadeler Navitas'ın beklentilerini yansıtır, bu basın bülteninin tarihi itibariyle gelecekteki olayların ve görüşlerin planları veya tahminleri. Navitas, sonraki olayların ve gelişmelerin Navitas'ın değerlendirmelerinin değişmesine neden olacağını tahmin ediyor. ancak, Navitas, bu ileriye dönük beyanları gelecekte bir noktada güncellemeyi seçebilir., Navitas özellikle bunu yapma yükümlülüğünü reddeder.. Bu ileriye dönük beyanların, bu basın bülteninin tarihinden sonraki herhangi bir tarih itibariyle Navitas'ın değerlendirmelerini temsil ettiğine güvenilmemelidir..

Navitas Hakkında

Yarı İletken Enerji (Nasdaq: NVTS) galyum nitrürde endüstri lideridir (GaN) güç IC'leri, da kuruldu 2014. GaNFast™ güç IC'leri, GaN gücünü sürücü ile entegre eder, kontrol, daha hızlı şarj sağlamak için algılama ve koruma, mobil cihazlar için daha yüksek güç yoğunluğu ve daha fazla enerji tasarrufu, tüketici, veri merkezi, EV ve güneş enerjisi pazarları. Üzerinde 165 Navitas patentleri verildi veya beklemede. Üzerinde 50 milyon ünite, bildirilen sıfır GaN saha hatasıyla sevk edildi, ve Navitas, sektörün ilk ve tek 20 yıllık garantisini tanıttı. Navitas, dünyanın ilk yarı iletken şirketidir. CarbonNeutral®-sertifikalı.

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Yarı İletken silisyum karbürde öncü ve dünya lideridir (SiC) teknoloji. Önde gelen küresel üreticiler, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC teknolojisine güveniyor. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomiktir ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerji tasarrufunda önemli bir rol oynar. GeneSiC, geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde önde gelen patentlere sahiptir., daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $5 milyar tarafından 2025. Temel tasarım gücümüz, süreç ve teknoloji, müşterilerimizin nihai ürününe daha fazla değer katar, silisyum karbür endüstrisinde yeni standartlar belirleyen performans ve maliyet ölçütleri ile.

İletişim bilgileri

Medya

Graham Robertson, CMO Büyük Köprüler

Graham@GrandBridges.com

yatırımcılar

Stephen Oliver, Başkan Yardımcısı Kurumsal Pazarlama & yatırımcı ilişkileri

ir@navitassemi.com

Yarı İletken Enerji, GaNFast, GaNSense ve Navitas logosu, Navitas Semiconductor Limited'in ticari markaları veya tescilli ticari markalarıdır.. Diğer tüm markalar, ürün adları ve markaları, ilgili sahiplerinin ürünlerini veya hizmetlerini tanımlamak için kullanılan ticari markalar veya tescilli ticari markalardır veya olabilir.

Güç Sistemi Tasarım Röportajları GeneSiC

nürnberg, Almanya Mayıs 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor Başkanı, Power Systems Design'dan Alix Paultre ile röportaj yaptı (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) Nürnberg'deki PCIM fuarında, Almanya.

Sağlam bir şekilde birlikte paketlenmiş SiC Transistör-Diyot kombinasyonu, yalıtılmış, 4-Kurşunlu, mini modül paketleme, Açılma enerji kayıplarını azaltır ve yüksek frekanslı güç dönüştürücüler için esnek devre tasarımları sağlar

DULES, VA, Mayıs 13, 2015 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün hemen kullanılabilirliğini duyurdu 20 İzole edilmiş mOhm-1200 V SiC Bağlantı Transistör-Diyotları, 4-Esneklik sunarken son derece düşük Açılma enerji kayıpları sağlayan kurşunlu mini modül paketleme, yüksek frekanslı güç dönüştürücülerinde modüler tasarımlar. yüksek frekans kullanımı, yüksek voltaj ve düşük direnç özelliğine sahip SiC Transistörler ve Doğrultucular, yüksek çalışma frekanslarında daha yüksek güç kullanımı gerektiren elektronik uygulamaların boyutunu/ağırlığını/hacmini azaltacaktır.. Bu cihazlar, indüksiyonlu ısıtıcılar da dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., plazma jeneratörleri, hızlı şarj cihazları, DC-DC dönüştürücüler, ve anahtarlamalı mod güç kaynakları.

1200 V/20 mOhm Silisyum Karbür Bağlantı Transistör Doğrultucu - Ayrı Kapı Kaynağı ve Sink özelliği sağlayan İzole SOT-227 paketinde paketlenmiştir

Birlikte paketlenmiş SiC Bağlantı Transistörleri (SJT)-GeneSiC tarafından sunulan SiC Redresörleri, endüktif anahtarlama uygulamalarına benzersiz bir şekilde uygulanabilir, çünkü SJT'ler tek geniş bant aralıklı anahtar teklifleridir. >10 mikro saniye tekrarlayan kısa devre özelliği, hatta 80% anma gerilimlerinin (Örneğin. 960 V için bir 1200 V cihazı). 10 nsn'nin altındaki yükselme/düşme sürelerine ve kare ters yönlü güvenli çalışma alanına ek olarak (RBSOA), Yeni konfigürasyondaki Kapı Dönüş terminali, anahtarlama enerjilerini azaltma yeteneğini önemli ölçüde iyileştirir. Bu yeni ürün sınıfı, bağlantı sıcaklığından bağımsız geçici enerji kayıpları ve anahtarlama süreleri sunar.. GeneSiC'den SiC Bağlantı Transistörleri kapı oksit içermez, normalde kapalı, direncin pozitif sıcaklık katsayısını sergilemek, ve düşük Kapı voltajlarında sürülebilir, diğer SiC anahtarlarının aksine.
Bu mini modüllerde kullanılan SiC Schottky Redresörleri, düşük durum voltajı düşüşlerini gösterir, iyi aşırı gerilim akım derecelendirmeleri ve yüksek sıcaklıklarda endüstrinin en düşük kaçak akımları. Sıcaklıktan bağımsız, sıfıra yakın ters kurtarma anahtarlama özellikleri, SiC Schottky doğrultucular, yüksek verimli devrelerde kullanım için ideal adaylardır..
“GeneSiC'nin SiC Transistör ve Doğrultucu ürünleri, düşük durum ve anahtarlama kayıplarını gerçekleştirmek için tasarlanmış ve üretilmiştir.. Bu teknolojilerin yenilikçi bir pakette bir araya getirilmesi, geniş bant aralığı tabanlı cihazlar gerektiren güç devrelerinde örnek bir performans vaat ediyor.. Mini modül ambalajı, H-Bridge gibi çeşitli güç devrelerinde kullanım için mükemmel tasarım esnekliği sunar, Flyback ve çok seviyeli invertörler” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.
Bugün piyasaya sürülen ürünler şunları içerir:
20 mOhm/1200 V SiC Bağlantı Transistörü/Redresör Eş Paketi (GA50SICP12-227):
• Yalıtılmış SOT-227/mini blok/İzotop paketi
• Transistör Akım Kazancı (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (paketleme ile sınırlı)
• Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <10 nanosaniye tipik.

Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir. Cihazlar hemen GeneSiC'lerden temin edilebilir. Yetkili Distribütörler.

Daha fazla bilgi için, lütfen ziyaret edin: https://192.168.88.14/ticari-sic/sic-modules-copack/

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon diyot modülleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, kuyu içi petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Yüksek sıcaklık (>210^ÖC) Küçük form faktörlü metal kutu paketlerindeki Bağlantı Transistörleri ve Redresörleri, amplifikasyon dahil çeşitli uygulamalar için devrim niteliğinde performans avantajları sunar, düşük gürültülü devre ve kuyu içi aktüatör kontrolleri

DULES, VA, Mart 9, 2015 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün bir kompakt serisinin hemen kullanılabilirliğini duyuruyor, TO-46 metal kutu paketlerinde yüksek sıcaklık SiC Bağlantı Transistörlerinin yanı sıra bir dizi doğrultucu. Bu ayrı bileşenler, aşağıdakilerden daha yüksek ortam sıcaklıklarında çalışmak üzere tasarlanmış ve üretilmiştir. 215^ÖC. Yüksek sıcaklık kullanımı, yüksek voltaj ve düşük direnç özelliğine sahip SiC Transistörler ve Doğrultucular, yüksek sıcaklıklarda daha yüksek güç kullanımı gerektiren elektronik uygulamaların boyutunu/ağırlığını/hacmini azaltacaktır.. Bu cihazlar, çok çeşitli kuyu içi devreler dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda kullanım için hedeflenmiştir., jeotermal enstrümantasyon, solenoid çalıştırma, genel amaçlı amplifikasyon, ve anahtarlamalı mod güç kaynakları.

Yüksek Sıcaklık SiC Bağlantı Transistörleri (SJT) GeneSiC tarafından sunulan, 10 nsn'nin altında yükselme/düşme süreleri sergileyerek >10 MHz anahtarlamanın yanı sıra kare ters taraflı güvenli çalışma alanı (RBSOA). Geçici enerji kayıpları ve anahtarlama süreleri bağlantı sıcaklığından bağımsızdır. Bu anahtarlar geçit oksit içermez, normalde kapalı, direncin pozitif sıcaklık katsayısını sergilemek, tarafından yönlendirilebilir ve 0/+5 V TTL kapısı sürücüleri, diğer SiC anahtarlarının aksine. SJT'nin diğer SiC anahtarlarına kıyasla benzersiz avantajları, daha yüksek uzun vadeli güvenilirliğidir, >20 usec kısa devre özelliği, ve üstün çığ yeteneği. Bu cihazlar, diğer SiC anahtarlarından çok daha yüksek doğrusallık vaat ettikleri için verimli amplifikatörler olarak kullanılabilir..

GeneSiC tarafından sunulan Yüksek Sıcaklık SiC Schottky Redresörleri, düşük durum voltajı düşüşleri gösteriyor, ve yüksek sıcaklıklarda endüstrinin en düşük kaçak akımları. Sıcaklıktan bağımsız, sıfıra yakın ters kurtarma anahtarlama özellikleri, SiC Schottky redresörleri, yüksek verimlilikte kullanım için ideal adaylardır., yüksek sıcaklık devreleri. TO-46 metal kutu paketleri ve bu ürünleri oluşturmak için kullanılan ilgili paketleme süreçleri, yüksek güvenilirliğin kritik olduğu yerlerde uzun süreli kullanım sağlar.

“GeneSiC'nin Transistör ve Doğrultucu ürünleri, yüksek sıcaklıkta çalışmayı sağlamak için sıfırdan tasarlanmış ve üretilmiştir.. Bu kompakt TO-46 paketlenmiş SJT'ler, yüksek akım kazançları sunar (>110), 0/+5 V TTL kontrolü, ve sağlam performans. Bu cihazlar düşük iletim kayıpları ve yüksek doğrusallık sunar. “SHT” doğrultucu serimizi tasarlıyoruz, yüksek sıcaklıklarda düşük kaçak akımlar sunmak. Bu metal kutu ambalajlı ürünler, küçük form faktörü sunmak için geçen yıl piyasaya sürülen TO-257 ve metal SMD ürünlerimizi güçlendiriyor., titreşime dayanıklı çözümler” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor Başkanı.

Bugün piyasaya sürülen ürünler şunları içerir::

240 mOhm SiC Bağlantı Transistörleri:

• 300 V engelleme gerilimi. Parça numarası GA05JT03-46
• 100 V engelleme gerilimi. Parça numarası GA05JT01-46
• Şu anki kazanç (H_FE) >110
• T_jmax = 210^ÖC
• Açmak / kapamak; Yükseliş/Düşüş Zamanları <10 nanosaniye tipik.

kadar 4 Amper Yüksek Sıcaklık Schottky diyotları:

• 600 V engelleme gerilimi. Parça numarası GB02SHT06-46
• 300 V engelleme gerilimi. Parça numarası GB02SHT03-46
• 100 V engelleme gerilimi. Parça numarası GB02SHT01-46
• Toplam kapasitif şarj 9 nC
• T_jmax = 210^ÖC.

Tüm cihazlar 100% tam voltaj/akım değerlerine göre test edilmiştir ve metal kutu TO-46 paketlerine yerleştirilmiştir. Cihazlar, GeneSiC'nin Yetkili Distribütörlerinden hemen temin edilebilir..

GeneSiC Semiconductor Inc Hakkında.

GeneSiC Semiconductor Inc. yüksek sıcaklıkta lider bir yenilikçidir, yüksek güçlü ve ultra yüksek voltajlı silisyum karbür (SiC) cihazlar, ve çok çeşitli güç yarı iletkenlerinin küresel tedarikçisi. Cihaz portföyü SiC tabanlı doğrultucu içerir, transistör, ve tristör ürünleri, yanı sıra Silikon diyot modülleri. GeneSiC, SiC güç cihazlarındaki en son gelişmeleri kapsayan kapsamlı fikri mülkiyet ve teknik bilgi geliştirmiştir., alternatif enerjiye yönelik ürünlerle, otomotiv, kuyu içi petrol sondajı, motor kontrolü, güç kaynağı, toplu taşıma, ve kesintisiz güç kaynağı uygulamaları. İçinde 2011, şirket prestijli R kazandı&Ultra yüksek voltajlı SiC Tristörlerin ticarileştirilmesi için D100 ödülü.

Daha fazla bilgi için, lütfen ziyaret edin https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; ve https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Yüksek anahtarlama hızları ve davranışa dayalı modeller için optimize edilmiş Kapı Sürücü Kartı, güç elektroniği tasarım mühendislerinin kart düzeyinde değerlendirme ve devre simülasyonunda SJT'lerin faydalarını doğrulamasını ve ölçmesini sağlar

DULES, V.A., kasım 19, 2014 — GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri bugün Gate Driver değerlendirme panosunun hemen kullanılabilirliğini duyurdu ve endüstrinin en düşük kayıplı anahtarları olan SiC Bağlantı Transistörü için tasarım desteğini genişletti (SJT) – tam nitelikli bir LTSPICE IV modeliyle. Yeni Gate Sürücü Kartını Kullanma, güç dönüştürme devresi tasarımcıları, 15 nanosaniye altının faydalarını doğrulayabilir, SiC Bağlantı Transistörlerinin sıcaklıktan bağımsız anahtarlama özellikleri, düşük sürücü güç kayıpları ile. Yeni SPICE modellerinin dahil edilmesi, devre tasarımcıları, GeneSiC'nin SJT'lerinin, karşılaştırılabilir dereceli cihazlar için geleneksel silikon güç anahtarlama cihazlarıyla mümkün olandan daha yüksek bir verimlilik düzeyi elde etmek için sağladığı faydaları kolayca değerlendirebilir.

Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4, GeneSiC'den SJT'lere uygulanabilir

SiC Bağlantı Transistörleri, diğer SiC Transistör teknolojilerinden önemli ölçüde farklı özelliklere sahiptir., yanı sıra Silikon Transistörler. SiC Bağlantı Transistörlerinin avantajlarından yararlanmak için sürücü çözümleri sağlamak için yüksek anahtarlama hızları sunarken düşük güç kayıpları sağlayabilen Gate Sürücü kartlarına ihtiyaç vardı.. GeneSiC tamamen izole edilmiştir GA03IDDJT30-FR4 Geçit sürücü kartı, küçük yükselme/düşme süreleri sağlamak için gereken voltaj/akım dalga biçimlerini en uygun şekilde koşullandırmak için 0/12V ve bir TTL sinyali alır, Açık durumdayken Normalde KAPALI SJT'nin iletimini sürdürmek için sürekli akım gereksinimini en aza indirirken. Pin konfigürasyonu ve form faktörleri diğer SiC transistörlere benzer şekilde tutulur. GeneSiC ayrıca, gerçekleştirilen sürücü tasarımı yeniliklerinin faydalarını birleştirmelerini sağlamak için son kullanıcıya Gerber dosyalarını ve Malzeme Listelerini yayınladı..

SJT'ler, iyi davranışlı durum ve anahtarlama özellikleri sunar, Temel fizik tabanlı modellerle de oldukça iyi uyum sağlayan davranış tabanlı SPICE modelleri oluşturmayı kolaylaştırır. İyi kurulmuş ve anlaşılmış fizik tabanlı modelleri kullanma, Cihaz davranışıyla yapılan kapsamlı testlerden sonra SPICE parametreleri yayınlandı. GeneSiC'in SPICE modelleri, tüm cihaz veri sayfalarında deneysel olarak ölçülen verilerle karşılaştırılır ve tüm cihazlara uygulanabilir. 1200 V ve 1700 V SiC Bağlantı Transistörleri piyasaya sürüldü.
GeneSiC'nin SJT'leri, aşağıdakilerden daha fazla anahtarlama frekansları sunma yeteneğine sahiptir. 15 IGBT tabanlı çözümlerden kat kat daha yüksek. Daha yüksek anahtarlama frekansları, daha küçük manyetik ve kapasitif elemanlar sağlayabilir, böylece toplam boyutu küçültmek, güç elektroniği sistemlerinin ağırlığı ve maliyeti.

Bu SiC Bağlantı Transistörü SPICE modeli, GeneSiC'nin kapsamlı tasarım destek araçları paketine katkıda bulunur, teknik döküman, ve güç elektroniği mühendislerine GeneSiC'nin kapsamlı SiC Bağlantı Transistörleri ve Doğrultucuları ailesini yeni nesil güç sistemlerine uygulamak için gerekli tasarım kaynaklarını sağlamak için güvenilirlik bilgileri.

GeneSiC's Gate Driver Board veri sayfaları ve SJT SPICE modelleri şuradan indirilebilir: https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/