Yarı İletken Enerji, Galyum Nitrür Güç IC'lerinde Endüstri Lideri, GeneSiC Semiconductor'ın Satın Alındığını Duyurdu, Silisyum Karbür Öncü

 

İkinci, CA., 15 Ağustos, 2022 - Yarı İletken Enerji (Nasdaq: NVTS), galyum nitrürde endüstri lideri (GaN) güç IC'leri, bugün GeneSiC Semiconductor'ın satın alındığını duyurdu, bir silisyum karbür (SiC) SiC güç cihazı tasarımı ve sürecinde derin uzmanlığa sahip öncü. GeneSiC oldukça karlı olduğu için işlem Navitas'a hemen kazandırılıyor, daha fazlasıyla 25% FAVÖK marjları. Takvim 2022 gelirlerin yaklaşık olması beklenmektedir. $25 üzerinde kanıtlanmış yıllık büyüme oranları ile milyon 60%. Birleşen şirket, kapsamlı bir, Yeni nesil güç yarı iletkenlerinde (hem GaN hem de SiC) sektör lideri teknoloji portföyü ve toplam pazar fırsatı $20 yılda milyar 2026.

“GeneSiC, sektör lideri SiC teknolojisini geliştirmeye odaklanmaları ve başarılarıyla Navitas için ideal bir ortaktır.,dedi Gene Sheridan, Navitas CEO'su ve kurucu ortağı. “Navitas'ın küresel satışlarda önemli yatırımları var, operasyonlar ve teknik destek ekipleri, EV ve veri merkezlerindeki sistem tasarım merkezleriyle birlikte. Bu yetenekler, GeneSiC için mükemmel bir tamamlayıcıdır ve hem sinerjik hem de yeni müşteriler ve pazarlarda büyümelerini daha da hızlandıracaktır.. Bugün, şirketimizin "Dünyamızı Elektriklendirmek™" misyonunda büyük bir adım attık ve gezegenimizin fosil yakıtlardan temiz enerjiye geçişini sağladık, verimli, elektrik enerjisi."

“GeneSiC'in patent korumalı, ileri teknoloji ve yenilikçi, Tecrübeli ekip, şirketimizin büyümesinde kritik faktörlerdir.. SiC MOSFET'lerimiz endüstrinin en yüksek performansını sunar, güvenilirlik, ve sağlamlık – elektrikli araçların ve ilgili altyapının yaygın olarak benimsenmesi için kritik parametreler,dedi GeneSiC Başkanı Dr.. Ranbir Singh. “Neredeyse 20 yıllarca öncü R&NS, kanıtlanmış platformlar, üzerinde 500 farklı müşteriler, ve artan gelir ve karlılık, SiC gelirlerini hızlandırmak için Navitas'ın seri üretim uzmanlığından ve pazara açılma stratejisinden yararlanabiliriz. Bu yeni ortaklık için çok heyecanlıyız.”

Dr.. Singh, GeneSiC işinden sorumlu Başkan Yardımcısı olarak Navitas'a katıldı ve Navitas, GeneSiC ekibinin tüm üyelerini elinde tutmayı umuyor.

Güç yarı iletkenlerinde, hem GaN hem de SiC, eski silikona göre üstün malzemelerdir, daha yüksek hızların etkinleştirilmesi, daha fazla enerji tasarrufu, daha hızlı şarj, ve önemli ölçüde küçültülmüş boyut, ağırlık, ve maliyet. Birlikte, bu tamamlayıcılar, yeni nesil malzemeler, 20W akıllı telefon şarj cihazlarından geniş bir uygulama yelpazesine hitap ediyor, 20kW EV şarj cihazlarına, 20MW şebeke altyapısı sistemlerine ve aradaki her şeye. bitti ile 500 müşteriler, GeneSiC satın alımı, çeşitlendirilmiş ve sinerjik pazarlar ve müşteriler sunar, ve stratejik olarak Navitas'ın gelirini hızlandırır, daha yüksek güçlü uygulamalar:

  • Elektrikli araç: Navitas GaN IC'leri 400V EV sistemleri için optimize edilmiştir, ve GeneSiC teknolojisi, 800V EV sistemleri için idealdir, BYD dahil olmak üzere mevcut gelir ve geliştirme müşterileri ile - dünyanın #1 EV tedarikçisi, Land Rover, mercedes amg, Geeley, Parlak, LG Magna, Saab, ve İnovasyon, onlarcası ile birlikte.
  • Güneş & Enerji Depolama: Navitas GaN IC'leri konut güneş enerjisi hizmeti veriyor, GeneSiC daha yüksek güçte anında gelir elde ederken, ticari güneş enerjisi ve enerji depolama müşterileri, APS dahil, Gelişmiş Enerji, Çint, gün ışığı, büyümek, CATL, Exide ve diğerleri.
  • Daha Geniş Endüstriyel Pazarlar: GeneSiC yüksek voltaj ürünleri, demiryolu dahil olmak üzere çok çeşitli ek endüstriyel pazarlarda anında gelir sağlar., GÜÇ KAYNAĞI, rüzgâr, şebeke gücü, endüstriyel motorlar, ve tıbbi görüntüleme.

ödeme detayları

GeneSiC'in satın alınmasının, Navitas'ın hisse başına kazancına hemen eklenmesi bekleniyor.. Toplam değerlendirme yaklaşık olarak oluşuyordu $100 milyon nakit, 24.9 milyon Navitas hissesi ve olası kazanç ödemeleri $25 Eylül ayında sona eren dört mali çeyrek boyunca GeneSiC işi için önemli gelir hedeflerine ulaşılmasına bağlı milyon 30, 2023. GeneSiC hakkında daha fazla bilgi ir.navitassemi.com adresinde mevcuttur..

Danışman

Jefferies LLC, Navitas'ın finansal danışmanı olarak hareket etti ve Bank of America, GeneSiC'in finansal danışmanı olarak hareket etti.. TCF Hukuk Grubu, PLLC, Navitas ve Gibson'a hukuk danışmanı olarak hareket etti, Dunn & Crutcher LLP, GeneSiC'in hukuk danışmanı olarak görev yaptı.

Konferans Görüşmesi ve Web Yayını Bilgileri

GeneSiC edinimi, Navitas Q2'nin bir parçası olarak tartışılacak 2022 kazanç çağrısı:

Ne zaman: Pazartesi, Ağustos 15inci, 2022

Zaman: 2:00 öğleden sonra. Pasifik / 5:00 öğleden sonra. Doğu

Ücretsiz Arama: (800) 715-9871 veya (646) 307-1963

Konferans Kimliği: 6867001

Canlı Web Yayını: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Tekrar oynat: Görüşmenin tekrarına Şirket internet sitesindeki Yatırımcı İlişkileri bölümünden ulaşılabilecektir. https://ir.navitassemi.com/.

İleriye Dönük Beyanlara İlişkin Uyarıcı Beyan

Bu basın bülteni, ABD Menkul Kıymetler Borsası Kanunu'nun 21E Bölümü anlamında "ileriye dönük beyanlar" içermektedir. 1934, olarak değiştirilmiştir. İleriye dönük ifadeler, "bekliyoruz" veya "olması bekleniyor" gibi kelimelerin kullanılmasıyla tanımlanabilir.," "tahmin etmek," "plan,” “proje," "tahmin etmek," "niyet etmek," "beklemek," "inanmak," "aramak,” veya gelecekteki olayları veya eğilimleri tahmin eden veya gösteren veya tarihsel konuların ifadesi olmayan diğer benzer ifadeler. Bu ileriye dönük ifadeler şunları içerir:, ama bunlarla sınırlı değil, diğer mali ve performans ölçümlerinin tahminleri ve tahminleri ile pazar fırsatı ve pazar payı tahminlerine ilişkin beyanlar. Bu ifadeler çeşitli varsayımlara dayanmaktadır., bu basın bülteninde tanımlanmış olsun ya da olmasın. Bu beyanlar ayrıca Navitas yönetiminin mevcut beklentilerine dayanmaktadır ve gerçek performansa ilişkin tahminler değildir.. Bu tür ileriye dönük ifadeler yalnızca açıklama amaçlıdır ve ileriye dönük ifadeler olarak hizmet etmesi amaçlanmamıştır., ve herhangi bir yatırımcı tarafından güvenilmemelidir., garanti, bir güvence, bir tahmin veya kesin bir gerçek veya olasılık ifadesi. Gerçek olay ve koşulların tahmin edilmesi zor veya imkansızdır ve varsayımlardan ve beklentilerden farklı olacaktır.. Performansı etkileyen birçok gerçek olay ve koşul Navitas'ın kontrolü dışındadır.. İleriye dönük ifadeler bir dizi risk ve belirsizliğe tabidir, Navitas'ın ve GeneSiC'in işletmelerinin beklenen büyümesinin gerçekleşmeme olasılığı dahil, veya beklenen süreler içinde gerçekleşmeyecek, dolayı, Diğer şeylerin yanı sıra, GeneSiC'i Navitas'ın iş ve operasyonel sistemlerine başarılı bir şekilde entegre edememe; Satın almanın müşteri ve tedarikçi ilişkileri üzerindeki etkisi veya bu ilişkileri koruma ve genişletmedeki başarısızlık; diğer iş geliştirme çabalarının başarısı veya başarısızlığı; Navitas'ın mali durumu ve faaliyet sonuçları; Navitas'ın, Navitas'ın giderlerini uygun şekilde bütçelemek ve ayarlamak amacıyla gelecekteki gelirleri doğru bir şekilde tahmin etme yeteneği; Navitas'ın müşteri tabanını çeşitlendirme ve yeni pazarlarda ilişkiler geliştirme becerisi; Navitas'ın teknolojisini yeni pazarlara ve uygulamalara ölçeklendirme yeteneği; rekabetin Navitas'ın işi üzerindeki etkileri, nüfuz etmeyi umduğumuz pazarlarda yerleşik bir mevcudiyete ve kaynaklara sahip rakiplerin eylemleri dahil, silisyum karbür pazarları dahil; Navitas'ın ve GeneSiC'in müşterilerinin son pazarlarındaki talep seviyesi, hem genel olarak hem de birbirini izleyen ürün veya teknoloji nesilleri ile ilgili olarak; Navitas'ın çekme yeteneği, kilit kalifiye personeli eğitin ve elde tutun; hükümetin ticaret politikalarındaki değişiklikler, tarifelerin uygulanması dahil; COVID-19 salgınının Navitas'ın işi üzerindeki etkisi, faaliyet sonuçları ve mali durum; COVID-19 salgınının küresel ekonomi üzerindeki etkisi, Navitas'ın tedarik zinciri ve müşterilerin ve tedarikçilerin tedarik zincirleri dahil ancak bunlarla sınırlı olmamak üzere; Amerika Birleşik Devletleri ve yabancı ülkelerdeki düzenleyici gelişmeler; ve Navitas'ın fikri mülkiyet haklarını koruma yeteneği. Bunlar ve diğer risk faktörleri, Risk Faktörleri bölümü p'den başlayarak. 11 bizim Form 10-K ile ilgili yıllık rapor Aralıkta sona eren yıl için 31, 2021, Menkul Kıymetler ve Borsa Komisyonu'na sunduğumuz (saniye") Martta 31, 2022 ve bundan sonra değiştirildiği şekliyle, ve SEC'e sunduğumuz diğer belgelerde, Form 10-Q ile ilgili üç aylık raporlarımız dahil. Bu risklerden herhangi biri gerçekleşirse veya varsayımlarımız yanlış çıkarsa, gerçek sonuçlar, bu ileriye dönük ifadelerin ima ettiği sonuçlardan önemli ölçüde farklı olabilir. Navitas'ın farkında olmadığı veya Navitas'ın şu anda önemsiz olduğuna inandığı ve gerçek sonuçların ileriye dönük beyanlarda yer alanlardan maddi olarak farklı olmasına neden olabilecek ek riskler olabilir.. Ek olarak, ileriye dönük ifadeler Navitas'ın beklentilerini yansıtır, bu basın bülteninin tarihi itibariyle gelecekteki olayların ve görüşlerin planları veya tahminleri. Navitas, sonraki olayların ve gelişmelerin Navitas'ın değerlendirmelerinin değişmesine neden olacağını tahmin ediyor. ancak, Navitas, bu ileriye dönük beyanları gelecekte bir noktada güncellemeyi seçebilir., Navitas özellikle bunu yapma yükümlülüğünü reddeder.. Bu ileriye dönük beyanların, bu basın bülteninin tarihinden sonraki herhangi bir tarih itibariyle Navitas'ın değerlendirmelerini temsil ettiğine güvenilmemelidir..

Navitas Hakkında

Yarı İletken Enerji (Nasdaq: NVTS) galyum nitrürde endüstri lideridir (GaN) güç IC'leri, da kuruldu 2014. GaNFast™ güç IC'leri, GaN gücünü sürücü ile entegre eder, kontrol, daha hızlı şarj sağlamak için algılama ve koruma, mobil cihazlar için daha yüksek güç yoğunluğu ve daha fazla enerji tasarrufu, tüketici, veri merkezi, EV ve güneş enerjisi pazarları. Üzerinde 165 Navitas patentleri verildi veya beklemede. Üzerinde 50 milyon ünite, bildirilen sıfır GaN saha hatasıyla sevk edildi, ve Navitas, sektörün ilk ve tek 20 yıllık garantisini tanıttı. Navitas, dünyanın ilk yarı iletken şirketidir. CarbonNeutral®-sertifikalı.

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Yarı İletken silisyum karbürde öncü ve dünya lideridir (SiC) teknoloji. Önde gelen küresel üreticiler, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC teknolojisine güveniyor. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomiktir ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerji tasarrufunda önemli bir rol oynar. GeneSiC, geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde önde gelen patentlere sahiptir., daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $5 milyar tarafından 2025. Temel tasarım gücümüz, süreç ve teknoloji, müşterilerimizin nihai ürününe daha fazla değer katar, silisyum karbür endüstrisinde yeni standartlar belirleyen performans ve maliyet ölçütleri ile.

İletişim bilgileri

Medya

Graham Robertson, CMO Büyük Köprüler

Graham@GrandBridges.com

yatırımcılar

Stephen Oliver, Başkan Yardımcısı Kurumsal Pazarlama & yatırımcı ilişkileri

ir@navitassemi.com

Yarı İletken Enerji, GaNFast, GaNSense ve Navitas logosu, Navitas Semiconductor Limited'in ticari markaları veya tescilli ticari markalarıdır.. Diğer tüm markalar, ürün adları ve markaları, ilgili sahiplerinin ürünlerini veya hizmetlerini tanımlamak için kullanılan ticari markalar veya tescilli ticari markalardır veya olabilir.

G3R™ 750V SiC MOSFET'ler Eşsiz Performans ve Güvenilirlik Sunar

750V G3R SiC MOSFET

DULES, VA, Haziran 04, 2021 — GeneSiC'in yeni nesil 750V G3R™SiC MOSFET'leri, benzeri görülmemiş düzeyde performans sunacak, emsallerini aşan sağlamlık ve kalite. Sistem avantajları, çalışma sıcaklıklarında düşük durum düşüşlerini içerir, daha hızlı anahtarlama hızları, artan güç yoğunluğu, minimum zil sesi (düşük EMI) ve kompakt sistem boyutu. GeneSiC G3R™, optimize edilmiş düşük endüktanslı ayrı paketlerde sunulur (SMD ve açık delik), tüm çalışma koşullarında ve ultra hızlı anahtarlama hızlarında en düşük güç kayıplarıyla çalışacak şekilde optimize edilmiştir. Bu cihazlar, çağdaş SiC MOSFET'lere kıyasla önemli ölçüde daha iyi performans seviyelerine sahiptir..

750V G3R SiC MOSFET

"Yüksek verimli enerji kullanımı, yeni nesil güç dönüştürücülerinde kritik bir çıktı haline geldi ve SiC güç cihazları bu devrimi yönlendiren temel bileşenler olmaya devam ediyor.. En düşük durum direncine ve sağlam kısa devre ve çığ performansına ulaşmak için yıllarca süren geliştirme çalışmalarından sonra, endüstrinin en iyi performans gösteren 750V SiC MOSFET'lerini piyasaya sürmekten heyecan duyuyoruz. G3R™ ürünümüz, güç elektroniği tasarımcılarının zorlu verimliliği karşılamasını sağlar, solar invertörler gibi uygulamalarda güç yoğunluğu ve kalite hedefleri, EV yerleşik şarj cihazları ve sunucu/telekom güç kaynakları. Garantili bir kalite, hızlı geri dönüş ve otomotiv nitelikli yüksek hacimli üretim ile desteklenen, değer tekliflerini daha da geliştiriyor. ” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor şirketinde President.

Özellikleri –

  • Endüstrinin en düşük kapı ücreti (QG) ve iç kapı direnci (RG(INT))
  • En düşük RDS(AÇIK) sıcaklıkla değişim
  • Düşük çıkış kapasitansı (CBİZE) ve mil kapasitansı (CGD)
  • 100% çığ (ÜS) üretim sırasında test edildi
  • Endüstri lideri kısa devre dayanım özelliği
  • Düşük V ile hızlı ve güvenilir vücut diyotuF ve düşük QRR
  • Yüksek ve kararlı kapı eşik voltajı (VTH) tüm sıcaklık ve drenaj önyargı koşullarında
  • Daha düşük termal direnç ve daha düşük zil sesi için gelişmiş paketleme teknolojisi
  • R'nin üretim tekdüzeliğiDS(AÇIK), VTH ve arıza gerilimi (BV)
  • Kapsamlı ürün portföyü ve otomotiv nitelikli yüksek hacimli üretim ile daha güvenli tedarik zinciri

Uygulamalar –

  • Güneş (PV) İnvertörler
  • EV / HEV Yerleşik Şarj Cihazları
  • sunucu & Telekom Güç Kaynakları
  • Kesintisiz güç kaynakları (GÜÇ KAYNAĞI)
  • DC-DC Dönüştürücüler
  • Anahtarlamalı Güç Kaynakları (SMPS)
  • Enerji Depolama ve Pil Şarjı
  • İndüksiyonlu Isıtma

GeneSiC Semiconductor’ın SiC MOSFET’lerinin tümü otomotiv uygulamaları için hedeflenmiştir (AEC-q101) ve PPAP uyumlu.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&SiC MOSFET ticareti

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&SiC MOSFET ticareti

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&SiC MOSFET ticareti

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ veya iletişim sales@genesicsemi.com

Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Elektronik

Arrow Elektronik

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

5Sınıfının En İyisi Verimlilik için. Nesil 650V SiC Schottky MPS ™ Diyotlar

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULES, VA, Mayıs 28, 2021 — GeneSiC Yarı İletken, Silisyum Karbür'ün öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletken cihazlar, 5. neslin kullanılabilirliğini duyurdu (GE*** serisi) Üstün fiyat-performans indeksi ile yeni bir ölçüt oluşturan SiC Schottky MPS™ doğrultucular, endüstri lideri aşırı akım ve çığ sağlamlığı, ve kaliteli üretim.

“GeneSiC, ticari olarak SiC Schottky redresörlerini ticari olarak tedarik eden ilk SiC üreticilerinden biriydi. 2011. Sektörde on yılı aşkın bir süredir yüksek performanslı ve kaliteli SiC doğrultucular tedarik ettikten sonra, 5. nesil SiC Schottky MPS™ ürünümüzü piyasaya sürmekten heyecan duyuyoruz (Birleştirilmiş-PiN-Schottky) sunucu/telekom güç kaynakları ve pil şarj cihazları gibi uygulamalarda yüksek verimlilik ve güç yoğunluğu hedeflerini karşılamak için her açıdan endüstri lideri performans sunan diyotlar. 5. Nesilimizi yapan devrim niteliğindeki özellik (GE*** serisi) SiC Schottky MPS™ diyotları, düşük yerleşik voltajıyla benzerleri arasında öne çıkıyor (diz gerilimi olarak da bilinir);tüm yük koşullarında en düşük diyot iletim kayıplarını sağlar – yüksek verimli enerji kullanımı gerektiren uygulamalar için çok önemlidir. Diğer rakip SiC diyotların aksine, düşük diz özellikleri sunmak üzere tasarlanmıştır, Gen5 diyot tasarımlarımızın ek bir özelliği de, bu yüksek çığ seviyesini hala korumalarıdır. (ÜS) müşterilerimizin GeneSiC'nin Gen3'ünden beklediği sağlamlık (GC*** serisi) ve Gen4 (GD*** serisi) SiC Schottky MPS ™” dedi Dr. Siddarth Sundaresan, GeneSiC Semiconductor'da Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı.

Özellikleri –

  • Düşük Dahili Voltaj – Tüm Yük Koşullarında En Düşük İletim Kaybı
  • Üstün Liyakat Figürü – KK x VF
  • Optimum Fiyat Performansı
  • Gelişmiş Dalgalanma Akımı Yeteneği
  • 100% çığ (ÜS) test edildi
  • Soğutucu Çalışması için Düşük Termal Direnç
  • Sıfır İleri ve Geri Kurtarma
  • Sıcaklıktan Bağımsız Hızlı Anahtarlama
  • VF'nin Pozitif Sıcaklık Katsayısı

Uygulamalar –

  • Güç Faktörü Düzeltmesinde Güçlendirme Diyodu (PFC)
  • Sunucu ve Telekom Güç Kaynakları
  • Güneş İnvertörleri
  • Kesintisiz güç kaynakları (GÜÇ KAYNAĞI)
  • Pil Şarj Cihazları
  • serbest dönüş / İnvertörlerde Paralel Karşıtı Diyot

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ veya iletişim sales@genesicsemi.com

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

GeneSiC’nin Endüstrinin En İyi Liyakat Figürüne Sahip Yeni 3. Nesil SiC MOSFET'leri

DULES, VA, Şubat 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor’ın RDS'li yeni nesil 1200V G3R ™ SiC MOSFET'leri(AÇIK) değişen seviyeler 20 mΩ ila 350 mΩ benzeri görülmemiş düzeyde performans sunar, emsallerini aşan sağlamlık ve kalite. Sistem avantajları daha yüksek verimliliği içerir, daha hızlı anahtarlama frekansı, artan güç yoğunluğu, azaltılmış zil sesi (EMI) ve kompakt sistem boyutu.

GeneSiC, endüstri lideri performansa sahip endüstri lideri 3. nesil Silikon Karbür MOSFET'lerin kullanılabilirliğini duyurdu, Otomotiv ve endüstriyel uygulamalarda daha önce hiç görülmemiş düzeyde verimlilik ve sistem güvenilirliği sağlamak için sağlamlık ve kalite.

Bu G3R ™ SiC MOSFET'leri, optimize edilmiş düşük endüktanslı ayrı paketlerde sunulur (SMD ve açık delik), yüksek verimlilik seviyeleri ve ultra hızlı anahtarlama hızları gerektiren güç sistemi tasarımları için son derece optimize edilmiştir. Bu cihazlar, rakip ürünlere kıyasla önemli ölçüde daha iyi performans seviyelerine sahiptir.. Garantili bir kalite, hızlı geri dönüşlü yüksek hacimli üretim ile desteklenen, değer önerilerini daha da geliştirir.

"Yıllar süren geliştirme çalışmalarından sonra, en düşük durum üstü direnci ve gelişmiş kısa devre performansını elde etmeye yönelik çalışmalar, Endüstrinin en iyi performans gösteren 1200V SiC MOSFET'lerini piyasaya sürmekten heyecan duyuyoruz. 15+ ayrık ve çıplak çipli ürünler. Yeni nesil güç elektroniği sistemleri zorlu verimliliği karşılayacaksa, otomotiv gibi uygulamalarda güç yoğunluğu ve kalite hedefleri, Sanayi, yenilenebilir enerji, toplu taşıma, BT ve telekom, daha sonra, şu anda mevcut SiC MOSFET'lere kıyasla önemli ölçüde geliştirilmiş cihaz performansı ve güvenilirlik gerektirirler” dedi Dr. Ranbir Singh, GeneSiC Semiconductor şirketinde President.

Özellikleri –

  • Üstün QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü – G3R ™ SiC MOSFET'ler, çok düşük bir kapı şarjı ile endüstrinin en düşük durum üzerinde direncine sahiptir, sonuçlanan 20% diğer benzer rakip cihazlardan daha iyi değer
  • Tüm sıcaklıklarda düşük iletim kayıpları – GeneSiC’nin MOSFET'leri, tüm sıcaklıklarda çok düşük iletim kayıpları sunmak için durumdaki direncin en yumuşak sıcaklık bağımlılığına sahiptir.; piyasadaki diğer tüm hendek ve düzlemsel SiC MOSFET'lerden önemli ölçüde daha iyi
  • 100 % çığ testi yapıldı – Sağlam UIL yeteneği, saha uygulamalarının çoğu için kritik bir gerekliliktir. GeneSiC’nin 1200V SiC MOSFET ayrık 100 % çığ (ÜS) üretim sırasında test edildi
  • Düşük kapı şarjı ve düşük iç kapı direnci – Bu parametreler, ultra hızlı anahtarlamanın gerçekleştirilmesi ve en yüksek verimliliklerin elde edilmesi açısından kritik öneme sahiptir. (düşük Eon -Eoff) çok çeşitli uygulama anahtarlama frekanslarında
  • 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma – GeneSiC’in tüm SiC MOSFET'leri, herhangi bir arıza riski olmaksızın tüm çalışma koşullarında kararlı ve güvenilir ürünler sunmak için son teknoloji proseslerle tasarlanmış ve üretilmiştir.. Bu cihazların üstün geçit oksit kalitesi, herhangi bir eşiği önler (VTH) sürüklenme
  • Düşük cihaz kapasitansları – G3R ™, düşük cihaz kapasiteleri ile daha hızlı ve daha verimli sürmek üzere tasarlanmıştır - Ciss, Coss ve Crss
  • Düşük dahili şarjlı hızlı ve güvenilir gövde diyotu – GeneSiC’nin MOSFET'leri, karşılaştırmalı düşük ters geri kazanım ücretine sahiptir (QRR) tüm sıcaklıklarda; 30% benzer şekilde derecelendirilen rakip cihazlardan daha iyi. Bu, güç kayıplarında daha fazla azalma sağlar ve çalışma frekanslarını artırır
  • Kullanım kolaylığı – G3R ™ SiC MOSFET'ler + 15V'de çalıştırılmak üzere tasarlanmıştır / -5V kapısı sürücüsü. Bu, mevcut ticari IGBT ve SiC MOSFET geçit sürücüleriyle en geniş uyumluluğu sunar

Uygulamalar –

  • Elektrikli araç – Güç Aktarma Sistemi ve Şarj Etme
  • Solar İnvertör ve Enerji Depolama
  • Endüstriyel Motor Sürücüsü
  • Kesintisiz güç kaynağı (GÜÇ KAYNAĞI)
  • Anahtarlamalı Mod Güç Kaynağı (SMPS)
  • Çift yönlü DC-DC dönüştürücüler
  • Akıllı Şebeke ve HVDC
  • İndüksiyonla Isıtma ve Kaynak
  • Darbeli Güç Uygulaması

Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Elektronik

Arrow Elektronik

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet veya iletişim sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductor’ın SiC MOSFET’lerinin tümü otomotiv uygulamaları için hedeflenmiştir (AEC-q101) ve PPAP uyumlu. Tüm cihazlar endüstri standardı D2PAK'ta sunulmaktadır, TO-247 ve SOT-227 paketleri.

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

GeneSiC’in 3300V ve 1700V 1000mΩ SiC MOSFET'leri, Yardımcı Güç Kaynaklarının Minyatürleştirilmesinde Devrim Yapıyor

DULES, VA, Aralık 4, 2020 — GeneSiC, benzersiz bir minyatürleştirme elde etmek için optimize edilmiş endüstri lideri 3300V ve 1700V ayrık SiC MOSFET'lerin kullanılabilirliğini duyurdu, endüstriyel temizlik gücünde güvenilirlik ve enerji tasarrufu.

GeneSiC Yarı İletken, kapsamlı bir Silisyum Karbür portföyünün öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, bugün, yeni nesil 3300V ve 1700V 1000mΩ SiC MOSFET'lerin - G2R1000MT17J'nin hemen kullanılabilirliğini duyuruyor, G2R1000MT17D, ve G2R1000MT33J. Bu SiC MOSFET'ler üstün performans seviyeleri sağlar, amiral gemisi liyakat rakamlarına göre (FoM) enerji depolamada güç sistemlerini geliştiren ve basitleştiren, yenilenebilir enerji, endüstriyel motorlar, genel amaçlı invertörler ve endüstriyel aydınlatma. Serbest bırakılan ürünler:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC’nin yeni 3300V ve 1700V SiC MOSFET'leri, SMD ve Through-Hole ayrı paketler olarak 1000mΩ ve 450mΩ seçenekleri mevcuttur, yüksek verimlilik seviyeleri ve ultra hızlı anahtarlama hızları gerektiren güç sistemi tasarımları için son derece optimize edilmiştir. Bu cihazlar, rakip ürünlere kıyasla önemli ölçüde daha iyi performans seviyelerine sahiptir.. Garantili bir kalite, hızlı geri dönüşlü yüksek hacimli üretim ile desteklenen, değer önerilerini daha da geliştirir.

"1500V solar inverterler gibi uygulamalarda, Yardımcı güç kaynağındaki MOSFET, 2500V aralığındaki voltajlara dayanmak zorunda kalabilir, giriş voltajına bağlı olarak, transformatörün dönüş oranı ve çıkış voltajı. Yüksek arıza voltajı MOSFET'leri Flyback'te seri bağlı anahtarlara olan ihtiyacı ortadan kaldırır, Yükseltme ve İletme dönüştürücüler, böylece parça sayısını azaltır ve devre karmaşıklığını azaltır. GeneSiC’nin 3300V ve 1700V ayrık SiC MOSFET'leri, tasarımcıların daha basit tek anahtar tabanlı topoloji kullanmasına ve aynı zamanda müşterilere güvenilir, kompakt ve uygun maliyetli sistem” Sumit Jadav dedi, GeneSiC Semiconductor şirketinde Senior Applications Manager.

Özellikleri –

  • Üstün fiyat-performans endeksi
  • Amiral gemisi QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü
  • Düşük iç kapasite ve düşük kapı şarjı
  • Tüm sıcaklıklarda düşük kayıplar
  • Yüksek çığ ve kısa devre sağlamlığı
  • 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma için kıyaslama eşik voltajı

Uygulamalar –

  • Yenilenebilir enerji (güneş invertörleri) ve enerji depolama
  • Endüstriyel motorlar (ve bağ)
  • Genel amaçlı invertörler
  • Endüstriyel aydınlatma
  • Piezo sürücüleri
  • İyon ışını jeneratörleri

Tüm cihazlar yetkili distribütörlerden satın alınabilir – www.genesicsemi.com/sales-support

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet veya iletişim sales@genesicsemi.com

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

GeneSiC’in Sektör Lideri 6.5kV SiC MOSFET'leri – Yeni Bir Uygulama Dalgası için Öncü

6.5kV SiC MOSFET'leri

DULES, VA, Ekim 20, 2020 — GeneSiC, benzeri görülmemiş seviyelerde performans sunmada öncü olmak için 6.5kV silisyum karbür MOSFET'leri piyasaya sürdü., çekiş gibi orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında verimlilik ve güvenilirlik, darbeli güç ve akıllı şebeke altyapısı.

GeneSiC Yarı İletken, geniş bir Silisyum Karbür yelpazesinin öncü ve küresel tedarikçisi (SiC) güç yarı iletkenleri, bugün 6.5kV SiC MOSFET çıplak yongaların - G2R300MT65-CAL ve G2R325MS65-CAL - hemen kullanılabilir olduğunu duyurdu. Bu teknolojiyi kullanan tam SiC modülleri yakında piyasaya sürülecek. Uygulamaların çekiş içermesi bekleniyor, darbeli güç, akıllı şebeke altyapısı ve diğer orta gerilim güç dönüştürücüler.

G2R300MT65-CAL - 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Çıplak Çip

G2R325MS65-CAL - 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (Entegre Schottky ile) Çıplak Çip

G2R100MT65-CAL - 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Çıplak Çip

GeneSiC’nin yeniliği SiC çift implante metal oksit yarı iletkeni içerir (DMOSFET) kavşak bariyerli cihaz yapısı schottky (JBS) SiC DMOSFET birim hücresine entegre redresör. Bu öncü güç cihazı, yeni nesil güç dönüştürme sistemlerinde çeşitli güç dönüştürme devrelerinde kullanılabilir.. Diğer önemli avantajlar arasında daha verimli çift yönlü performans bulunur, sıcaklıktan bağımsız anahtarlama, düşük anahtarlama ve iletim kayıpları, azaltılmış soğutma gereksinimleri, üstün uzun vadeli güvenilirlik, paralelleme cihazlarının kolaylığı ve maliyet avantajları. GeneSiC’nin teknolojisi üstün performans sunar ve ayrıca güç dönüştürücülerdeki net SiC malzeme ayak izini azaltma potansiyeline sahiptir..

“GeneSiC’in 6,5 kV SiC MOSFET'leri, düşük durumdaki direnci sağlamak için 6 inçlik gofretler üzerinde tasarlanmış ve üretilmiştir., en yüksek kalite, ve üstün fiyat-performans endeksi. Bu yeni nesil MOSFET teknolojisi, mükemmel performans vaat ediyor, orta gerilim güç dönüştürme uygulamalarında üstün sağlamlık ve uzun vadeli güvenilirlik.” dedim Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiC Semiconductor'da Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı.

GeneSiC’nin 6.5kV G2R ™ SiC MOSFET teknolojisi özellikleri –

  • Yüksek çığ (UIS) ve kısa devre sağlamlığı
  • Üstün QG x RDS(AÇIK) liyakat figürü
  • Sıcaklıktan bağımsız anahtarlama kayıpları
  • Düşük kapasitans ve düşük kapı şarjı
  • Tüm sıcaklıklarda düşük kayıplar
  • 175 ° C'ye kadar normalde kapalı kararlı çalışma
  • +20 V / -5 V kapısı sürücüsü

Veri sayfası ve diğer kaynaklar için, ziyaret etmek – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip veya iletişim sales@genesicsemi.com

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC Semiconductor, Silisyum Karbür teknolojisinde öncü ve dünya lideridir, yüksek güçlü Silikon teknolojilerine de yatırım yaparken. Dünyanın önde gelen endüstriyel ve savunma sistemleri üreticileri, ürünlerinin performansını ve verimliliğini yükseltmek için GeneSiC'nin teknolojisine güveniyor.. GeneSiC’nin elektronik bileşenleri daha soğuk çalışır, Daha hızlı, ve daha ekonomik, ve çok çeşitli yüksek güçlü sistemlerde enerjinin korunmasında önemli bir rol oynar. Geniş bant aralıklı güç cihazı teknolojilerinde lider patentlere sahibiz; daha fazlasına ulaşması beklenen bir pazar $1 milyar tarafından 2022. Temel yetkinliğimiz müşterilerimize daha fazla değer katmaktır’ mamul. Performans ve maliyet ölçülerimiz, Silisyum Karbür endüstrisinde standartları belirliyor.

GeneSiC prestijli R'yi kazandı&SiC Tabanlı Monolitik Transistör Doğrultucu Anahtarı için D100 Ödülü

DULES, VA, Aralık 5, 2019 — r&D Magazine, GeneSiC Semiconductor Inc'i seçti. Dulles, prestijli bir alıcı olarak VA 2019 r&NS 100 SiC Tabanlı Monolitik Transistör Doğrultucu Anahtarının geliştirilmesi için ödül.

GeneSiC Semiconductor Inc, Silisyum Karbür bazlı güç cihazlarında önemli bir yenilikçi, prestijli ödüle layık görüldüğünü duyurarak onurlandırıldı. 2019 r&NS 100 ödül. Bu ödül, GeneSiC'yi en önemlilerinden birini tanıttığı için tanır., sırasında birden fazla disiplin arasında yeni tanıtılan araştırma ve geliştirme ilerlemeleri 2018. r&D Magazine, MOSFET ve Schottky doğrultucuyu tek bir çip üzerinde monolitik olarak entegre etme yeteneği nedeniyle GeneSiC'nin orta gerilim SiC güç cihazı teknolojisini tanıdı.. GeneSiC cihazı tarafından elde edilen bu yetenekler, güç elektroniği araştırmacılarının invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi yeni nesil güç elektroniği sistemleri geliştirmesine kritik bir şekilde olanak tanır.. Bu, elektrikli araçlarda ürün geliştirmelerine izin verecek, şarj altyapısı, yenilenebilir enerji ve enerji depolama endüstrileri. GeneSiC, bu cihazları kullanan gelişmiş güç elektroniği donanımının gösterilmesine yönelik birden fazla müşteriden sipariş aldı ve Silisyum Karbür MOSFET ürünleri ailesini geliştirmeye devam ediyor.. R&Güç dönüştürme uygulamaları için erken sürümde D, ABD Departmanı aracılığıyla geliştirildi. Enerji ve Sandia Ulusal Laboratuvarları ile işbirliği.

R tarafından yürütülen yıllık teknoloji yarışması&D Magazine, çeşitli şirketlerden ve sektör oyuncularından gelen girdileri değerlendirdi, dünyadaki araştırma kuruluşları ve üniversiteler. Derginin editörleri ve dışarıdan uzmanlardan oluşan bir kurul hakim olarak görev yaptı, Her girişi bilim ve araştırma dünyası için önemi açısından değerlendirmek.

R'ye göre&D Dergisi, R kazanmak&NS 100 Ödül, endüstri tarafından bilinen bir mükemmellik işareti sağlar, hükümet, ve akademi, ürünün yılın en yenilikçi fikirlerinden biri olduğunun kanıtı olarak. Bu ödül, GeneSiC'i çalışma ve yaşama şeklimizde fark yaratan teknoloji tabanlı ürünlerin yaratılmasında küresel bir lider olarak tanır..

GeneSiC Yarı İletken Hakkında, Inc.

GeneSiC, SiC güç cihazları alanında hızla gelişen bir yenilikçidir ve Silisyum Karbür geliştirmeye güçlü bir bağlılığa sahiptir. (SiC) tabanlı cihazlar: (a) Güç Şebekesi için HV-HF SiC cihazları, Darbeli güç ve Yönlendirilmiş Enerji Silahları; ve (Ranbir Singh) Uçak aktüatörleri ve petrol arama için yüksek sıcaklıklı SiC güç cihazları. GeneSiC Semiconductor Inc. Silisyum Karbür geliştirir (SiC) yüksek sıcaklık için yarı iletken cihazlar, radyasyon, ve elektrik şebekesi uygulamaları. Bu, redresörlerin geliştirilmesini içerir, FET'ler, bipolar cihazların yanı sıra parçacık & fotonik dedektörler. GeneSiC, kapsamlı bir yarı iletken tasarım paketine erişime sahiptir, yapılışı, bu tür cihazlar için karakterizasyon ve test tesisleri. GeneSiC, müşterileri için mümkün olan en iyi SiC cihazlarını geliştirmek için cihaz ve proses tasarımındaki temel yetkinliğinden yararlanır.. Şirket, her müşterinin gereksinimlerine göre özel olarak ayarlanmış yüksek kaliteli ürünler sunarak kendini farklı kılar.. GeneSiC, ARPA-E dahil olmak üzere büyük ABD Devlet kurumlarından ana/alt sözleşmelere sahiptir., ABD Enerji Bakanlığı, Donanma, DARPA, İç Güvenlik Departmanı, Ticaret Departmanı ve ABD Departmanı içindeki diğer departmanlar. Savunma. GeneSiC, Dulles'daki ekipman ve personel altyapısını hızla geliştirmeye devam ediyor, Virginia tesisi. Şirket, bileşik yarı iletken cihaz imalatında deneyimli personeli agresif bir şekilde işe alıyor., yarı iletken testi ve dedektör tasarımları. Şirket ve ürünleri hakkında daha fazla bilgi GeneSiC'yi arayarak elde edilebilir. 703-996-8200 veya ziyaret ederekwww.genesicsemi.com.