Gate Driver Board optimerat för höga omkopplingshastigheter och beteendebaserade modeller gör det möjligt för kraftelektroniska designingenjörer att verifiera och kvantifiera fördelarna med SJT vid utvärdering på kortnivå och kretssimulering
DULLES, V.A., nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) krafthalvledare tillkännager idag den omedelbara tillgängligheten av Gate Driver-utvärderingskort och har utökat sitt designstöd för branschens switchar med lägsta förlust – SiC Junction Transistor (Inc) – med en fullt kvalificerad LTSPICE IV-modell. Använder det nya Gate Driver Board, strömkonverteringskretsdesigners kan verifiera fördelarna med under 15 nanosekunder, temperaturoberoende kopplingsegenskaper hos SiC Junction Transistorer, med låga effektförluster för föraren. Inkluderar de nya SPICE-modellerna, kretsdesigners kan enkelt utvärdera fördelarna med GeneSiC:s SJT:er för att uppnå en högre effektivitetsnivå än vad som är möjligt med konventionella kiselströmbrytare för enheter med jämförbart betyg.
Gate Driver Board GA03IDDJT30-FR4 gäller för SJT från GeneSiC
SiC Junction Transistorer har väsentligt andra egenskaper än andra SiC Transistor-teknologier, samt kiseltransistorer. Gate Driver-kort som kan ge låga effektförluster samtidigt som de fortfarande erbjuder höga växlingshastigheter behövdes för att tillhandahålla drivlösningar för att utnyttja fördelarna med SiC Junction Transistors. GeneSiC är helt isolerad GA03IDDJT30-FR4 Gate-drivkort tar in 0/12V och en TTL-signal för att optimalt konditionera de spännings-/strömvågformer som krävs för att ge små stig-/falltider, samtidigt som det kontinuerliga strömkravet för att hålla den normalt avstängda SJT ledande under påslaget. Stiftkonfigurationen och formfaktorerna hålls liknande andra SiC-transistorer. GeneSiC har också släppt Gerber-filer och stycklistor till slutanvändare för att göra det möjligt för dem att införliva fördelarna med de förverkligade drivrutindesigninnovationerna.
SJT erbjuder väluppfostrade on-state- och switchegenskaper, gör det enkelt att skapa beteendebaserade SPICE-modeller som stämmer anmärkningsvärt väl överens med de underliggande fysikbaserade modellerna också. Använda väletablerade och förstådda fysikbaserade modeller, SPICE-parametrar släpptes efter omfattande tester med enhetens beteende. GeneSiC:s SPICE-modeller jämförs med experimentellt uppmätta data på alla enhetsdatablad och är tillämpliga på alla 1200 V och 1700 V SiC Junction Transistors släpptes.
GeneSiC:s SJT:er kan leverera switchfrekvenser som är fler än 15 gånger högre än IGBT-baserade lösningar. Deras högre omkopplingsfrekvenser kan möjliggöra mindre magnetiska och kapacitiva element, därigenom krymper den totala storleken, vikt och kostnad för kraftelektroniksystem.
Denna SiC Junction Transistor SPICE-modell lägger till GeneSiC:s omfattande svit av designstödverktyg, teknisk dokumentation, och tillförlitlighetsinformation för att ge kraftelektronikingenjörer de designresurser som krävs för att implementera GeneSiCs omfattande familj av SiC Junction Transistorer och Likriktare i nästa generations kraftsystem.
GeneSiCs Gate Driver Board-datablad och SJT SPICE-modeller kan laddas ner från https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
