GeneSiC riktar sig mot lågt tillståndsspänningsfall kiselkarbid (Sic) kraftenheter med 2-15 kV, 200° C, 20 kHz-betyg som en nyckel som möjliggör teknik för nästa generations avancerade verktyg och militär hårdvara. Den omedelbara applikationen för sådana enheter inkluderar elnät, riktade energivapensystem, partikelacceleratorer för fysiska experiment med hög energi, järnvägsfordon, medicinsk, och högeffektiva rörbaserade RADAR-system.

GeneSiC utvecklas också 600-3300 V-effekttransistorer och likriktarprodukter för Aerospace, Hybridelektriska fordon och oljeborrningstillämpningar som kräver kraftkänslig kontroll, kommunikation, datoranvändning, framdrivnings- och hälsoövervakningssystem. Effektkretselement som krävs för att bearbeta effekt mellan energiproduktion / lagringspunkt och förbrukningspunkt i dessa system är:

Temperatur robusthet och strålningshårda egenskaper hos GeneSiCs enheter gör att dessa kretselement kan fungera under extrema temperaturer och höga strålningsmiljöer. De låga on-state och växlingsförlusterna för GeneSiCs enheter möjliggör mycket högre energiomvandlingseffektivitet, samtidigt som du erbjuder en mängd olika funktioner som skydd mot överbelastning / kortslutning, överspänningsskydd, synkronisering, övertemperaturskydd och förmågan att springa parallellt samtidigt som det ger låg harmonisk distorsion, buller och EMI-utsläpp.

På GeneSiC Semiconductor, we collaborate with you in providing custom design services and offer early access to our newest innovations 
in SiC power device and module technology. It's our mission to stretch limits and challenge breakthrough innovations in conceiving ever 
more efficient power devices.

Our custom services also offer system-level optimization to help customers integrate our products in to your system to reach the most 
efficient solution possible!

För anpassade tjänster, snälla du kontakta oss.