Publicerat den

Halvledarenergi, Branschledare inom Gallium Nitride Power ICs, Tillkännager förvärv av GeneSiC Semiconductor, Kiselkarbid Pioneer

 

Den andra, CA., 15 augusti, 2022 - Energihalvledare (Nasdaq: NVTS), branschledande inom galliumnitrid (GaN) strömkretsar, tillkännagav idag förvärvet av GeneSiC Semiconductor, en kiselkarbid (Sic) pionjär med djup expertis inom design och process för SiC-kraftenheter. Transaktionen är omedelbart positiv för Navitas eftersom GeneSiC är mycket lönsamt, med mer än 25% EBITDA-marginaler. Kalender 2022 intäkterna förväntas bli ca $25 miljoner med påvisade årliga tillväxttakt på över 60%. Det sammanslagna företaget skapar en heltäckande, branschledande teknologiportfölj inom nästa generations krafthalvledare – både GaN och SiC – med en sammanlagd marknadsmöjlighet som uppskattas till över $20 miljarder per år med 2026.

"GeneSiC är en idealisk partner för Navitas med deras fokus och framgång i att utveckla branschledande SiC-teknologi,” sa Gene Sheridan, Navitas VD och medgrundare. ”Navitas har betydande investeringar i global försäljning, verksamhet och teknisk support, tillsammans med systemdesigncenter i EV och datacenter. Dessa funktioner är ett perfekt komplement till GeneSiC och kommer att ytterligare accelerera deras tillväxt på både synergistiska och nya kunder och marknader. I dag, vi har tagit ett stort steg i vårt företags uppdrag att "elektrifiera vår värld™" och driva vår planets övergång från fossila bränslen till rena, effektiv, elektrisk energi."

"GeneSiC är patentskyddad, avancerad teknik och innovativ, erfarna team är avgörande faktorer för vårt företags tillväxt. Våra SiC MOSFETs erbjuder branschens högsta prestanda, pålitlighet, och robusthet – parametrar som är avgörande för en utbredd användning av elfordon och tillhörande infrastruktur,” sa GeneSiCs president Dr. Ranbir Singh. "Med nästan 20 år av ledande R&D, beprövade plattformar, över 500 olika kunder, och växande intäkter och lönsamhet, vi kan dra nytta av Navitas massproduktionsexpertis och go-to-market-strategi för att accelerera SiC-intäkter. Vi är mycket glada över detta nya partnerskap.”

Gå till Kontakt. Singh kommer till Navitas som Executive Vice President för GeneSiC-verksamheten och Navitas förväntar sig att behålla alla medlemmar i GeneSiC-teamet.

I krafthalvledare, både GaN och SiC är överlägsna material jämfört med äldre kisel, möjliggör högre hastigheter, större energibesparingar, snabbare laddning, och avsevärt reducerad storlek, vikt, och kostnad. Tillsammans, dessa kompletterar varandra, Nästa generations material adresserar ett brett utbud av applikationer från 20W smartphone-laddare, till 20kW EV-laddare, till 20MW nätinfrastruktursystem och allt däremellan. Med över 500 kunder, GeneSiC-förvärvet levererar diversifierade och synergistiska marknader och kunder, och accelererar Navitas intäkter inom strategiska, applikationer med högre effekt:

  • Elektriskt fordon: Navitas GaN IC:er är optimerade för 400V EV-system, och GeneSiC-tekniken är idealisk för 800V EV-system, med befintliga intäkter och utvecklingskunder som inkluderar BYD – världens #1 EV leverantör, Land Rover, Mercedes AMG, Geely, Shinry, LG Magna, Saab, och innovation, tillsammans med dussintals andra.
  • Sol & Energilagring: Navitas GaN ICs tjänar solenergi i bostäder, medan GeneSiC har omedelbara intäkter i högre effekt, kommersiella sol- och energilagringskunder, inklusive APS, Avancerad energi, Chint, Sungrow, Growatt, CATL, Exide och många andra.
  • Bredare industriella marknader: GeneSiC högspänningsprodukter ger omedelbara intäkter på ett brett utbud av ytterligare industriella marknader som inkluderar järnväg, POSTEN, vind, nätkraft, industriella motorer, och medicinsk bildbehandling.

Transaktions Detaljer

Förvärvet av GeneSiC förväntas omedelbart bidra till Navitas vinst per aktie. Totalt vederlag bestod av ca $100 miljoner i kontanter, 24.9 miljoner aktier i Navitas aktier och eventuella tilläggsköpeskillingar på upp till $25 miljoner förutsatt att betydande intäktsmål för GeneSiC-verksamheten uppnås under de fyra räkenskapskvartal som slutar i september 30, 2023. Mer information om GeneSiC finns på ir.navitassemi.com.

Rådgivare

Jefferies LLC agerade finansiell rådgivare till Navitas och Bank of America agerade finansiell rådgivare till GeneSiC. TCF Law Group, PLLC agerade som juridisk rådgivare åt Navitas och Gibson, Dunn & Crutcher LLP agerade som juridisk rådgivare till GeneSiC.

Information om konferenssamtal och webbsändning

GeneSiC-förvärvet kommer att diskuteras som en del av Navitas Q2 2022 intäkter samtal:

När: måndag, augusti 15th, 2022

Tid: 2:00 kl. Stilla havet / 5:00 kl. Östra

Gratis uppringning: (800) 715-9871 eller (646) 307-1963

Konferens-ID: 6867001

Live webbsändning: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Repris: En uppspelning av samtalet kommer att vara tillgänglig från Investor Relations-sektionen på företagets webbplats på https://ir.navitassemi.com/.

Varningsmeddelande om framåtblickande uttalanden

Detta pressmeddelande innehåller "framåtblickande uttalanden" i den mening som avses i avsnitt 21E i Securities Exchange Act av 1934, i dess ändrade lydelse. Framåtblickande uttalanden kan identifieras genom användning av ord som "vi förväntar oss" eller "förväntas vara,” ”uppskattning," "planen," "projekt," "prognos,” ”ämnar,” ”förutse," "tro," "söka,” eller andra liknande uttryck som förutsäger eller indikerar framtida händelser eller trender eller som inte är uttalanden om historiska frågor. Dessa framåtblickande uttalanden inkluderar, men är inte begränsade till, uttalanden om uppskattningar och prognoser för andra finansiella och prestationsmått och prognoser för marknadsmöjligheter och marknadsandelar. Dessa uttalanden bygger på olika antaganden, oavsett om det är identifierat i detta pressmeddelande. Dessa uttalanden är också baserade på nuvarande förväntningar från ledningen för Navitas och är inte förutsägelser om faktiska prestationer. Sådana framåtblickande uttalanden tillhandahålls endast i illustrativt syfte och är inte avsedda att tjäna som, och får inte litas på av någon investerare som, en garanti, en försäkran, en förutsägelse eller ett definitivt uttalande om fakta eller sannolikhet. Faktiska händelser och omständigheter är svåra eller omöjliga att förutse och kommer att skilja sig från antaganden och förväntningar. Många faktiska händelser och omständigheter som påverkar prestandan ligger utanför Navitas kontroll. Framåtriktade uttalanden är föremål för ett antal risker och osäkerhetsfaktorer, inklusive möjligheten att den förväntade tillväxten av Navitas och GeneSiCs verksamheter inte kommer att realiseras, eller inte kommer att realiseras inom förväntade tidsperioder, på grund av, bland annat, misslyckandet med att framgångsrikt integrera GeneSiC i Navitas affärs- och operativa system; effekten av förvärvet på kund- och leverantörsrelationer eller underlåtenhet att behålla och utöka dessa relationer; framgång eller misslyckande för andra affärsutvecklingsinsatser; Navitas finansiella ställning och resultat av verksamheten; Navitas förmåga att exakt förutsäga framtida intäkter i syfte att på lämpligt sätt budgetera och justera Navitas utgifter; Navitas förmåga att diversifiera sin kundbas och utveckla relationer på nya marknader; Navitas förmåga att skala sin teknologi till nya marknader och applikationer; effekterna av konkurrens på Navitas verksamhet, inklusive åtgärder från konkurrenter med etablerad närvaro och resurser på marknader vi hoppas kunna penetrera, inklusive kiselkarbidmarknader; efterfrågan på Navitas och GeneSiC:s kunders slutmarknader, både generellt och med avseende på successiva generationer av produkter eller teknologi; Navitas förmåga att attrahera, utbilda och behålla nyckelkvalificerad personal; förändringar i regeringens handelspolitik, inklusive införande av tullar; effekterna av covid-19-pandemin på Navitas verksamhet, verksamhetsresultat och ekonomisk ställning; effekterna av covid-19-pandemin på den globala ekonomin, inklusive men inte begränsat till Navitas leveranskedja och kunders och leverantörers leveranskedjor; lagstiftningsutvecklingen i USA och andra länder; och Navitas förmåga att skydda sina immateriella rättigheter. Dessa och andra riskfaktorer diskuteras i Riskfaktorer avsnitt börjar på sid. 11 av vår årsrapport på formulär 10-K för året som slutade i december 31, 2021, som vi lämnade in till Securities and Exchange Commission ("SEC") på marsch 31, 2022 och som därefter ändrats, och i andra dokument arkiverar vi till SEC, inklusive våra kvartalsrapporter på Form 10-Q. Om någon av dessa risker förverkligas eller om våra antaganden visar sig vara felaktiga, faktiska resultat kan skilja sig väsentligt från resultaten som antyds av dessa framåtblickande uttalanden. Det kan finnas ytterligare risker som Navitas inte är medveten om eller som Navitas för närvarande anser är oväsentliga som också kan orsaka att faktiska resultat avviker väsentligt från de som finns i de framåtblickande uttalandena. För övrigt, Framåtriktade uttalanden speglar Navitas förväntningar, planer eller prognoser för framtida händelser och åsikter från och med datumet för detta pressmeddelande. Navitas förutser att efterföljande händelser och utveckling kommer att få Navitas bedömningar att ändras. i alla fall, medan Navitas kan välja att uppdatera dessa framåtblickande uttalanden någon gång i framtiden, Navitas frånsäger sig uttryckligen all skyldighet att göra det. Dessa framåtblickande uttalanden bör inte litas på som representerar Navitas bedömningar från och med något datum efter datumet för detta pressmeddelande.

Om Navitas

Halvledarenergi (Nasdaq: NVTS) är branschledande inom galliumnitrid (GaN) strömkretsar, grundad i 2014. GaNFast™-strömkretsar integrerar GaN-kraft med drivenhet, kontrollera, avkänning och skydd för att möjliggöra snabbare laddning, högre effekttäthet och större energibesparingar för mobilen, konsument, datacenter, EV- och solenergimarknader. Över 165 Navitas patent är utfärdade eller under behandling. Över 50 miljoner enheter har skickats med noll rapporterade GaN-fältfel, och Navitas introducerade branschens första och enda 20-åriga garanti. Navitas är världens första halvledarföretag CarbonNeutral®-auktoriserad.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom kiselkarbid (Sic) teknologi. Ledande globala tillverkare är beroende av GeneSiCs teknologi för att höja prestanda och effektivitet hos sina produkter. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt och spelar en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. GeneSiC innehar ledande patent på bredbands-gap kraftenhetsteknologier, en marknad som beräknas nå mer än $5 miljarder med 2025. Våra kärnstyrkor med design, process och teknik tillför mer värde till våra kunders slutprodukt, med prestanda och kostnadsmått som sätter nya standarder inom kiselkarbidindustrin.

Kontaktinformation

Media

Graham Robertson, CMO Grand Bridges

Graham@GrandBridges.com

Investerare

Stephen Oliver, VP Corporate Marketing & Investerarrelationer

ir@navitassemi.com

Halvledarenergi, GaNFast, GaNSense och Navitas logotyp är varumärken eller registrerade varumärken som tillhör Navitas Semiconductor Limited. Alla andra märken, produktnamn och märken är eller kan vara varumärken eller registrerade varumärken som används för att identifiera produkter eller tjänster från sina respektive ägare.

Publicerat den

G3R ™ 750V SiC MOSFET erbjuder oöverträffad prestanda och tillförlitlighet

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, Juni 04, 2021 — GeneSiCs nästa generations 750V G3R ™ SiC MOSFETs kommer att leverera enastående prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar låga fall på plats vid driftstemperaturer, snabbare växlingshastigheter, ökad effekttäthet, minimal ringning (låg EMI) och kompakt systemstorlek. GeneSiCs G3R ™, erbjuds i optimerade diskreta paket med låg induktans (SMD och genomgående hål), är optimerade för att fungera med lägsta effektförluster under alla driftsförhållanden och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med samtida SiC MOSFET.

750V G3R SiC MOSFET

”Högeffektiv energianvändning har blivit en kritisk leverans i nästa generations kraftomvandlare och SiC-kraftenheter är fortfarande de viktigaste komponenterna som driver denna revolution. Efter år av utvecklingsarbete för att uppnå det lägsta motståndet i staten och robust kortslutnings- och lavinprestanda, vi är glada att kunna släppa branschens bäst prestanda 750V SiC MOSFET. Våra G3R ™ gör det möjligt för kraftelektronikdesigners att möta den utmanande effektiviteten, effektdensitet och kvalitetsmål i applikationer som solomvandlare, EV-inbyggda laddare och server- / telekomströmförsörjning. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning och bilkvalificerad högvolymtillverkning förbättrar deras värdeproposition ytterligare. ” sa Dr. Ranbir Singh, President på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Branschens lägsta portavgift (FG) och inre grindmotstånd (RG(INT))
  • Lägsta RDS(PÅ) förändras med temperaturen
  • Låg uteffekt (CUSA) och mjukare kapacitans (CGD)
  • 100% lavin (UIL) testas under produktionen
  • Branschledande kortslutningsmotstånd
  • Snabb och pålitlig karossdiod med låg VF och låg QRR
  • Hög och stabil grindtröskelspänning (VTH) över alla temperatur- och dräneringsförspänningsförhållanden
  • Avancerad förpackningsteknik för lägre värmebeständighet och lägre ringning
  • Tillverkningsuniformitet av RDS(PÅ), VTH och nedbrytningsspänning (BV)
  • Omfattande produktportfölj och säkrare leveranskedja med bilkvalificerad högvolymtillverkning

Ansökningar –

  • Sol (PV) Omvandlare
  • EV / HEV-laddare
  • Server & Telekom nätaggregat
  • Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
  • DC-DC-omvandlare
  • Strömförsörjning med omkopplat läge (SMPS)
  • Energilagring och batteriladdning
  • Induktionsuppvärmning

Alla GeneSiC Semiconductors SiC MOSFETs är riktade för fordonsapplikationer (AEC-q101) och PPAP-kapabla.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handla SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handla SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handla SiC MOSFET

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ eller kontakta sales@genesicsemi.com

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

5generationens 650V SiC Schottky MPS ™ -dioder för bästa effektivitet i klassen

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLES, VA, Maj 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av kiselkarbid (Sic) krafthalvledarenheter, tillkännager tillgängligheten av 5:e generationen (GE***-serien) SiC Schottky MPS™-likriktare som sätter upp ett nytt riktmärke med sitt överlägsna pris-prestandaindex, branschledande överspänningsström och lavinstabilitet, och högkvalitativ tillverkning.

"GeneSiC var en av de första SiC-tillverkarna som kommersiellt levererade SiC Schottky-likriktare i 2011. Efter mer än ett decennium av att leverera högpresterande och högkvalitativa SiC-likriktare i branschen, vi är glada över att släppa vår 5:e generation av SiC Schottky MPS™ (Merged-PiN-Schottky) dioder som erbjuder branschledande prestanda i alla aspekter för att uppfylla målen för hög effektivitet och effekttäthet i applikationer som server-/telekomströmförsörjning och batteriladdare. Den revolutionerande egenskapen som gör vår 5:e generation (GE***-serien) SiC Schottky MPS™-dioder sticker ut bland sina kamrater är den låga inbyggda spänningen (även känd som knäspänning);det möjliggör lägsta diodledningsförluster vid alla belastningsförhållanden – avgörande för applikationer som kräver högeffektiv energianvändning. I motsats till andra konkurrerande SiC-dioder också utformade för att erbjuda lågknäegenskaper, en ytterligare egenskap hos våra Gen5-dioddesigner är att de fortfarande håller den höga lavinnivån (UIL) robusthet som våra kunder har förväntat sig av GeneSiC:s Gen3 (GC***-serien) och Gen4 (GD***-serien) SiC Schottky MPS ™” sa Dr. Siddarth Sundaresan, Vice President of Technology på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Låg inbyggd spänning – Lägsta ledningsförluster för alla belastningsförhållanden
  • Överlägsen förtjänstgestalt – QC x VF
  • Optimal prisprestanda
  • Förbättrad strömstyrka
  • 100% Lavin (UIL) Testad
  • Lågt termiskt motstånd för kyldrift
  • Noll återställning framåt och bakåt
  • Temperaturoberoende snabbväxling
  • Positiv temperaturkoefficient för VF

Ansökningar –

  • Boost Diode i Power Factor Correction (PFC)
  • Strömförsörjning för server och telekom
  • Solar växelriktare
  • Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
  • Batteriladdare
  • Frihjuling / Antiparallell diod i växelriktare

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ eller kontakta sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiC: s nya tredje generationens SiC MOSFET med branschens bästa resultat

DULLES, VA, februari 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors nästa generations 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer från 20 mΩ till 350 mΩ levererar oöverträffade nivåer av prestanda, robusthet och kvalitet som överstiger dess motsvarigheter. Systemfördelarna inkluderar högre effektivitet, snabbare omkopplingsfrekvens, ökad effekttäthet, minskad ringning (EMI) och kompakt systemstorlek.

GeneSiC tillkännager tillgängligheten av sina branschledande 3: e generationens kiselkarbid MOSFET som har branschledande prestanda, robusthet och kvalitet att utnyttja aldrig tidigare sett nivåer av effektivitet och systemtillförlitlighet i fordons- och industriapplikationer.

Dessa G3R ™ SiC MOSFET, erbjuds i optimerade diskreta paket med låg induktans (SMD och genomgående hål), är mycket optimerade för kraftsystemkonstruktioner som kräver förhöjda effektivitetsnivåer och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med konkurrerande produkter. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning med hög volymtillverkning förbättrar deras värdeproposition ytterligare.

”Efter år av utvecklingsarbete för att uppnå det lägsta motståndet i staten och förbättrad kortslutningsprestanda, Vi är glada att kunna släppa branschens bäst presterande 1200V SiC MOSFET med över 15+ diskreta och nakna chipprodukter. Om nästa generations kraftelektroniksystem ska möta den utmanande effektiviteten, effektdensitet och kvalitetsmål i applikationer som bil, industriell, förnybar energi, transport, IT och telekom, då kräver de avsevärt förbättrad enhetsprestanda och tillförlitlighet jämfört med nuvarande SiC MOSFET” sa Dr. Ranbir Singh, President på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Superior QG x RDS(PÅ) förtjänst – G3R ™ SiC MOSFETs har branschens lägsta motstånd med en mycket låg portladdning, vilket leder till 20% bättre meriter än någon annan liknande konkurrent
  • Låga ledningsförluster vid alla temperaturer – GeneSiCs MOSFETs har det mjukaste temperaturberoendet av on-state motstånd för att erbjuda mycket låga ledningsförluster vid alla temperaturer; betydligt bättre än någon annan dike och plana SiC MOSFET på marknaden
  • 100 % lavin testad – Robust UIL-kapacitet är ett kritiskt krav för majoriteten av fältapplikationer. GeneSiC: s 1200V SiC MOSFET diskreta är 100 % lavin (UIL) testas under produktionen
  • Låg grindladdning och lågt motstånd mot inre grindar – Dessa parametrar är kritiska för att realisera ultrasnabb växling och uppnå högsta effektivitet (låg Eon -Eoff) över ett brett spektrum av applikationsomkopplingsfrekvenser
  • Normalt avstängd stabil drift upp till 175 ° C – Alla GeneSiCs SiC MOSFETs är designade och tillverkade med toppmoderna processer för att leverera produkter som är stabila och tillförlitliga under alla driftsförhållanden utan risk för funktionsfel. Den överlägsna grindoxidkvaliteten hos dessa enheter förhindrar tröskelvärden (VTH) drift
  • Låga enhetskapacitanser – G3R ™ är utformade för att köra snabbare och effektivare med sina låga kapaciteter - Ciss, Coss och Crss
  • Snabb och pålitlig kroppsdiod med låg egen laddning – GeneSiCs MOSFETs har en jämförbar låg omvänd återvinningsavgift (FRR) vid alla temperaturer; 30% bättre än någon liknande klassad konkurrent. Detta ger ytterligare minskning av effektförluster och ökar driftsfrekvensen
  • Enkel användning – G3R ™ SiC MOSFETs är konstruerade för att köras vid + 15V / -5V gate drive. Detta erbjuder bredaste kompatibilitet med befintliga kommersiella IGBT- och SiC MOSFET-drivrutiner

Ansökningar –

  • Elektriskt fordon – Drivlina och laddning
  • Solinverter och energilagring
  • Industrial Motor Drive
  • Avbrottsfri strömförsörjning (POSTEN)
  • Switchat läge Strömförsörjning (SMPS)
  • Dubbelriktad DC-DC-omvandlare
  • Smart Grid och HVDC
  • Induktionsuppvärmning och svetsning
  • Pulsad kraftapplikation

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronik

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakta sales@genesicsemi.com

Alla GeneSiC Semiconductors SiC MOSFETs är riktade för fordonsapplikationer (AEC-q101) och PPAP-kapabla. Alla enheter erbjuds i industristandard D2PAK, TO-247 och SOT-227 paket.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiCs 3300V och 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs revolutionerar miniatyriseringen av extra strömförsörjningar

DULLES, VA, december 4, 2020 — GeneSiC tillkännager tillgänglighet av branschledande 3300V och 1700V diskreta SiC MOSFET som är optimerade för att uppnå enastående miniatyrisering, tillförlitlighet och energibesparingar i industriell hushållningskraft.

GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av en omfattande portfölj av kiselkarbid (Sic) halvledare, tillkännager idag omedelbar tillgänglighet av nästa generations 3300V och 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, och G2R1000MT33J. Dessa SiC MOSFET möjliggör överlägsna prestandanivåer, baserat på flaggskeppssiffror av meriter (FoM) som förbättrar och förenklar kraftsystem över energilagring, förnybar energi, industriella motorer, allmänna växelriktare och industriell belysning. Produkter som släpps är:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC: s nya 3300V och 1700V SiC MOSFET, finns i 1000mΩ och 450mΩ alternativ som SMD och genomgående hål diskreta paket, är mycket optimerade för kraftsystemkonstruktioner som kräver förhöjda effektivitetsnivåer och extremt snabba växlingshastigheter. Dessa enheter har betydligt bättre prestandanivåer jämfört med konkurrerande produkter. En säker kvalitet, stöds av snabb vändning av högvolymtillverkning ytterligare förbättrar deras värdeproposition.

”I applikationer som 1500V solcellsomvandlare, MOSFET i hjälpströmförsörjning kan behöva motstå spänningar i området 2500V, beroende på ingångsspänningen, varvtalet mellan transformatorn och utspänningen. Höga nedbrytningsspänningar MOSFETs undanröjer behovet av seriekopplade omkopplare i Flyback, Boost och framåt omvandlare därigenom minska antalet delar och minska kretsens komplexitet. GeneSiC: s 3300V och 1700V diskreta SiC MOSFETs gör det möjligt för konstruktörerna att använda enklare single switch-baserad topologi och samtidigt ge kunderna pålitlig, kompakt och kostnadseffektivt system” sa Sumit Jadav, Senior Applications Manager på GeneSiC Semiconductor.

Funktioner –

  • Överlägset pris / prestandaindex
  • Flaggskepp QG x RDS(PÅ) förtjänst
  • Låg inneboende kapacitans och låg grindladdning
  • Låga förluster vid alla temperaturer
  • Hög lavin och kortslutningsegenskaper
  • Benchmark tröskelspänning för normalt avstängd drift upp till 175 ° C

Ansökningar –

  • Förnybar energi (solomvandlare) och energilagring
  • Industriella motorer (och bindning)
  • Växelriktare för allmänt ändamål
  • Industriell belysning
  • Piezo-förare
  • Jonstrålgeneratorer

Alla enheter kan köpas via auktoriserade distributörer – www.genesicsemi.com/sales-support

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakta sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiCs branschledande 6,5 kV SiC MOSFET – Vanguard för en ny våg av applikationer

6.5kV SiC MOSFET

DULLES, VA, Oktober 20, 2020 — GeneSiC släpper 6,5 kV MOSFET-kiselkarbid för att ligga i framkant när det gäller prestanda utan motstycke, effektivitet och tillförlitlighet i medelspänningseffektkonverteringstillämpningar såsom dragkraft, pulsad kraft och infrastruktur för smarta nät.

GeneSiC Semiconductor, en pionjär och global leverantör av ett brett sortiment av kiselkarbid (Sic) halvledare, tillkännager idag omedelbar tillgänglighet av 6,5 kV SiC MOSFET nakna marker - G2R300MT65-CAL och G2R325MS65-CAL. Hela SiC-moduler som använder denna teknik kommer snart att släppas. Applikationer förväntas inkludera dragkraft, pulserande kraft, infrastruktur för smarta nät och andra kraftomvandlare med mellanspänning.

G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

GeneSiCs innovation har en SiC dubbelimplanterad metalloxid halvledare (DMOSFET) enhetsstruktur med en korsningsbarriärschottky (JBS) likriktare integrerad i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denna ledande kraftenhet kan användas i en mängd olika strömomvandlingskretsar i nästa generation av kraftomvandlingssystem. Andra viktiga fördelar inkluderar effektivare dubbelriktad prestanda, temperaturoberoende omkoppling, låga kopplings- och ledningsförluster, minskade kylbehov, överlägsen långsiktig tillförlitlighet, enkel parallellanordning och kostnadsfördelar. GeneSiCs teknik erbjuder överlägsen prestanda och har också potential att minska SiC-materialets fotavtryck i kraftomvandlare.

“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs är designade och tillverkade på 6-tums skivor för att uppnå lågt motstånd mot tillståndet, högsta kvalitet, och överlägset pris / prestandaindex. Nästa generations MOSFET-teknik lovar exemplarisk prestanda, överlägsen robusthet och långsiktig tillförlitlighet i applikationer för kraftkonvertering med mellanspänning.” sa Gå till Kontakt. Siddarth Sundaresan, VP of Technology på GeneSiC Semiconductor.

GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknikfunktioner –

  • Hög lavin (UIS) och kortslutningsegenskaper
  • Superior QG x RDS(PÅ) förtjänst
  • Temperaturoberoende kopplingsförluster
  • Låga kapaciteter och låg grindladdning
  • Låga förluster vid alla temperaturer
  • Normalt avstängd stabil drift upp till 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

För datablad och andra resurser, besök – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakta sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor är en pionjär och världsledande inom Silicon Carbide-teknik, samtidigt som de investerade i högeffekts Silicon-teknologier. Gå till Kontakt. GeneSiCs elektroniska komponenter går svalare, snabbare, och mer ekonomiskt, och spela en nyckelroll för att spara energi i ett brett utbud av högeffektsystem. Vi har ledande patent på teknik för bredbandsgap-kraftenheter; en marknad som beräknas nå mer än $1 miljarder med 2022. Gå till Kontakt’ Gå till Kontakt. Gå till Kontakt.

Publicerat den

GeneSiC vinner prestigefyllda R&D100-pris för SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare

DULLES, VA, december 5, 2019 — R&D Magazine har valt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottagare av det prestigefyllda 2019 R&D 100 Pris för utveckling av SiC-baserad monolitisk transistor-likriktaromkopplare.

GeneSiC Semiconductor Inc., en viktig innovatör inom Silicon Carbide-baserade kraftenheter hedrade med tillkännagivandet att den har tilldelats det prestigefyllda 2019 R&D 100 Tilldela. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC för att introducera en av de mest betydelsefulla, nyligen introducerade forsknings - och utvecklingsframsteg bland flera discipliner under 2018. R&D Magazine kände igen GeneSiCs mellanspänning SiC-kraftenhetsteknik för sin förmåga att monolitiskt integrera MOSFET och Schottky-likriktare på ett enda chip. Dessa funktioner som uppnås med GeneSiCs enhet gör det möjligt för forskare inom kraftelektronik att utveckla nästa generations kraftelektroniska system som växelriktare och DC-DC-omvandlare. Detta möjliggör produktutveckling inom elfordon, laddningsinfrastruktur, förnybar energi och energilagring. GeneSiC har bokat order från flera kunder mot demonstration av avancerad kraftelektronikhårdvara med hjälp av dessa enheter och fortsätter att utveckla sin familj av Silicon Carbide MOSFET-produkter. R&D på tidig version för applikationer för kraftkonvertering utvecklades genom US Dept. av energi och samarbete med Sandia National Laboratories.

Den årliga tekniktävlingen som drivs av R&D Magazine utvärderade bidrag från olika företag och branschaktörer, forskningsorganisationer och universitet runt om i världen. Tidningens redaktörer och en panel av externa experter fungerade som domare, utvärdera varje post i termer av dess betydelse för vetenskap och forskning.

Enligt R&D Magazine, vinner en R&D 100 Priset ger ett kvalitetsmärke som industrin känner till, regering, och akademin som bevis på att produkten är en av årets mest innovativa idéer. Den här utmärkelsen erkänner GeneSiC som en global ledare inom skapandet av teknologibaserade produkter som gör skillnad i hur vi arbetar och lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC är en snabb innovatör inom SiC-kraftenheter och har ett starkt engagemang för utvecklingen av kiselkarbid (Sic) baserade enheter för: (a) HV-HF SiC-enheter för Power Grid, Pulsad kraft och riktade energivapen; och (b) Högtemperatur SiC-kraftenheter för flygplansmanöverdon och oljeutforskning. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvecklar kiselkarbid (Sic) baserade halvledaranordningar för hög temperatur, strålning, och kraftnätapplikationer. Detta inkluderar utveckling av likriktare, FET, bipolära enheter såväl som partiklar & fotoniska detektorer. GeneSiC har tillgång till en omfattande svit med halvledardesign, tillverkning, karakteriserings- och testanläggningar för sådana anordningar. GeneSiC utnyttjar sin kärnkompetens inom enhets- och processdesign för att utveckla bästa möjliga SiC-enheter för sina kunder. Företaget utmärker sig genom att tillhandahålla högkvalitativa produkter som är specifikt anpassade till varje kunds krav. GeneSiC har prima / underkontrakt från stora amerikanska myndigheter inklusive ARPA-E, USA: s avdelning för energi, Marin, DARPA, Avdelningen för inrikes säkerhet, Handelsavdelningen och andra avdelningar inom den amerikanska avdelningen. av försvaret. GeneSiC fortsätter att snabbt förbättra utrustningen och personalinfrastrukturen i Dulles, Virginia anläggning. Företaget anställer aggressivt personal som har erfarenhet av tillverkning av sammansatta halvledare, halvledartestning och detektordesign. Ytterligare information om företaget och dess produkter kan erhållas genom att ringa GeneSiC på 703-996-8200 eller genom att besökawww.genesicsemi.com.