Переключатели SiC, предлагающие самые низкие потери проводимости и превосходную способность к короткому замыканию, выпущенные для высокочастотных цепей питания
Даллес, Вирджиния., Октябрь 28, 2014 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Компания Power Semiconductors объявляет о немедленном выпуске семейства устройств 1700 В и низкого сопротивления в открытом состоянии. 1200 SiC-переходные транзисторы в корпусе TO-247. Использование высокого напряжения, высокая частота, SiC-транзисторы с высокой температурой и низким сопротивлением в открытом состоянии повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем приложений силовой электроники, требующих более высоких напряжений на шине. Эти устройства предназначены для использования в широком спектре приложений, включая микросети постоянного тока., Автомобильные зарядные устройства, сервер, телекоммуникационные и сетевые источники питания, источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, Системы ветроэнергетики, и промышленные системы управления двигателями.
SiC переходные транзисторы (СДТ) предлагаемые GeneSiC демонстрируют сверхбыструю коммутационную способность (аналогично SiC MOSFET), квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также не зависящие от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут управляться коммерческими драйверами ворот, в отличие от других переключателей SiC. Уникальными преимуществами SJT по сравнению с другими коммутаторами SiC является более высокая надежность в долгосрочной перспективе., >10 возможность использования короткого замыкания, и превосходная лавинная способность
“Эти улучшенные SJT предлагают гораздо более высокий коэффициент усиления по току. (>100), высокая стабильность и надежность по сравнению с другими переключателями SiC. SJT GeneSiC предлагают чрезвычайно низкие потери проводимости при номинальных токах, поскольку превосходные потери при отключении в силовых цепях. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, Продукты GeneSiC Transistor помогают разработчикам найти более надежное решение,” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
1700 Выпуск V SiC-переходного транзистора
- 25 мОм (GA50JT17-247), 65 мОм (GA16JT17-247), 220 мОм (GA04JT17-247)
- Текущее усиление (часКЭ) >90
- Тjmax знак равно 175оC
- Включение / выключение; Время подъема/спада <30 наносекунды типичные.
1200 Выпуск V SiC-переходного транзистора
- 25 мОм (GA50JT12-247), 120 мОм (GA10JT12-247), 210 мОм (GA05JT12-247)
- Текущее усиление (часКЭ) >90
- Тjmax знак равно 175оC
- Включение / выключение; Время подъема/спада <30 наносекунды типичные.
Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Пакеты TO-247, соответствующие RoHS. Устройства сразу же доступны у официальных дистрибьюторов GeneSiC..
За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/коммерчески-sic / sic-junction-транзисторы /
