Плата драйвера затвора, оптимизированная для высоких скоростей переключения, и модели, основанные на поведении, позволяют инженерам-проектировщикам силовой электроники проверять и количественно оценивать преимущества SJT при оценке на уровне платы и моделировании схем
DULLES, В.А., ноябрь 19, 2014 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Компания Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности оценочной платы драйвера затвора и расширяет свою конструктивную поддержку переключателей с наименьшими потерями в отрасли - SiC Junction Transistor. (СДТ) - с полностью квалифицированной моделью LTSPICE IV. Использование новой платы драйвера затвора, Разработчики схем преобразования мощности могут проверить преимущества менее 15 наносекунд, температурно-независимые коммутационные характеристики SiC-переходных транзисторов, с низкими потерями мощности драйвера. Включение новых моделей SPICE, Разработчики схем могут легко оценить преимущества SJT GeneSiC для достижения более высокого уровня эффективности, чем это возможно с обычными кремниевыми устройствами переключения питания для устройств сопоставимого номинала..
Плата драйвера затвора GA03IDDJT30-FR4, применимая к SJT от GeneSiC
SiC-переходные транзисторы имеют значительно отличающиеся характеристики от других технологий SiC-транзисторов., а также кремниевые транзисторы. Платы драйверов затвора, которые могут обеспечивать низкие потери мощности при сохранении высоких скоростей переключения, были необходимы для обеспечения приводных решений для использования преимуществ SiC Junction Transistors.. GeneSiC полностью изолирован Торговые журналы Плата драйвера затвора принимает сигнал 0/12 В и TTL для оптимального согласования форм сигналов напряжения / тока, необходимых для обеспечения небольшого времени нарастания / спада, при этом минимизируя потребность в постоянном токе для поддержания нормального выключенного SJT в проводящем состоянии во включенном состоянии.. Конфигурация выводов и форм-факторы аналогичны другим транзисторам SiC.. GeneSiC также выпустила файлы Gerber и спецификации для конечных пользователей, чтобы они могли использовать преимущества реализованных инноваций в дизайне драйверов..
SJT предлагают хорошие характеристики включения и переключения, упрощение создания моделей SPICE на основе поведения, которые также хорошо согласуются с базовыми моделями на основе физики. Использование хорошо зарекомендовавших себя и понятных моделей, основанных на физике, Параметры SPICE были выпущены после всестороннего тестирования поведения устройства.. Модели GeneSiC SPICE сравниваются с экспериментально измеренными данными во всех технических описаниях устройств и применимы ко всем 1200 V и 1700 Выпущены переходные транзисторы V SiC.
SJT GeneSiC способны обеспечивать частоты переключения, превышающие 15 раз выше, чем решения на базе IGBT. Их более высокие частоты переключения позволяют использовать магнитные и емкостные элементы меньшего размера., тем самым уменьшая общий размер, вес и стоимость систем силовой электроники.
Эта SPICE-модель SiC Junction Transistor дополняет полный набор средств поддержки проектирования GeneSiC., техническая документация, и информация о надежности, чтобы предоставить инженерам силовой электроники ресурсы для проектирования, необходимые для внедрения обширного семейства SiC-транзисторов и выпрямителей GeneSiC в системы питания следующего поколения..
Таблицы данных платы драйверов затворов GeneSiC и модели SJT SPICE можно загрузить с https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
