Полупроводниковая энергетика, Лидер отрасли в области силовых ИС на основе нитрида галлия, объявляет о приобретении GeneSiC Semiconductor, Пионер карбида кремния

 

Секунда, Калифорния., 15 августа, 2022 - Энергетический полупроводник (Насдак: НВТС), лидер отрасли в области нитрида галлия (GaN) силовые ИС, сегодня объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor, карбид кремния (SiC) пионер с глубоким опытом в разработке и производстве силовых устройств SiC. Сделка сразу же становится выгодной для Navitas, поскольку GeneSiC очень прибыльна., с более чем 25% Маржа EBITDA. Календарь 2022 выручка ожидается примерно $25 миллионов с продемонстрированным ежегодным темпом роста более 60%. Объединенная компания создает всеобъемлющую, передовой портфель технологий в области силовых полупроводников нового поколения — как GaN, так и SiC — с совокупными рыночными возможностями, оцениваемыми более чем в $20 миллиардов в год по 2026.

«GeneSiC является идеальным партнером для Navitas, поскольку она нацелена на разработку лидирующей в отрасли технологии SiC.,— сказал Джин Шеридан., Генеральный директор и соучредитель Navitas. «Navitas вложила значительные средства в глобальные продажи., команды эксплуатации и технической поддержки, наряду с центрами проектирования систем в EV и дата-центрах. Эти возможности являются идеальным дополнением к GeneSiC и еще больше ускорят их рост как в синергетических, так и в новых клиентах и ​​на рынках.. Сегодня, мы сделали важный шаг в реализации миссии нашей компании «Электрифицировать наш мир™» и обеспечить переход нашей планеты от ископаемого топлива к экологически чистой, эффективный, электроэнергия."

«Запатентованная технология GeneSiC, передовые технологии и инновационные, опытная команда является решающим фактором роста нашей компании. Наши SiC MOSFET предлагают самые высокие в отрасли характеристики, надежность, и надежность - параметры, имеющие решающее значение для широкого распространения электромобилей и связанной с ними инфраструктуры.,— сказал президент GeneSiC д-р. Ранбир Сингх. «С почти 20 лет передовой R&Д, проверенные платформы, над 500 разнообразные клиенты, и рост выручки и прибыльности, мы можем использовать опыт Navitas в области массового производства и стратегию выхода на рынок для увеличения доходов SiC.. Мы очень рады этому новому партнерству».

доктор. Сингх присоединяется к Navitas в качестве исполнительного вице-президента по бизнесу GeneSiC, и Navitas рассчитывает сохранить всех членов команды GeneSiC..

В силовых полупроводниках, и GaN, и SiC являются превосходными материалами по сравнению с устаревшим кремнием., включение более высоких скоростей, большая экономия энергии, более быстрая зарядка, и значительно уменьшенный размер, масса, и стоимость. Вместе, эти дополнительные, материалы нового поколения предназначены для широкого спектра применений, начиная от зарядных устройств для смартфонов мощностью 20 Вт., до 20кВт зарядных устройств для электромобилей, до систем сетевой инфраструктуры мощностью 20 МВт и всего, что между ними. С более 500 клиенты, приобретение GeneSiC обеспечивает диверсифицированные и синергетические рынки и клиентов, и ускоряет получение доходов Navitas в стратегическом, приложения с более высокой мощностью:

  • Электромобиль: Микросхемы Navitas GaN оптимизированы для систем электромобилей с напряжением 400 В., а технология GeneSiC идеально подходит для систем электромобилей на 800 В., с существующими клиентами по доходам и развитию, включая BYD — мировую #1 поставщик электромобилей, Land Rover, Мерседес АМГ, Джили, Шинри, LG Магна, Сааб, и инновации, вместе с десятками других.
  • Солнечная & Хранилище энергии: ИС Navitas GaN обслуживают жилую солнечную энергию, в то время как GeneSiC получает немедленный доход от более высокой мощности, коммерческие клиенты, использующие солнечную энергию и аккумулирующие энергию, включая АПС, Передовая энергия, Чинт, Подсолнух, Гроватт, CATL, Exide и многие другие..
  • Расширение промышленных рынков: Высоковольтные продукты GeneSiC приносят немедленный доход на широком спектре дополнительных промышленных рынков, в том числе на железнодорожном транспорте., UPS, ветер, мощность сети, промышленные двигатели, и медицинская визуализация.

Детали транзакции

Ожидается, что приобретение GeneSiC немедленно увеличит прибыль Navitas на акцию.. Общее вознаграждение составило примерно $100 миллион наличными, 24.9 миллионов акций Navitas и возможные выплаты в размере до $25 миллионов при условии достижения существенных целей по доходам для бизнеса GeneSiC за четыре финансовых квартала, заканчивающихся в сентябре. 30, 2023. Более подробная информация о GeneSiC доступна на сайте ir.navitassemi.com..

Советники

Jefferies LLC выступала в качестве финансового консультанта Navitas, а Bank of America выступала в качестве финансового консультанта GeneSiC.. Юридическая группа TCF, PLLC выступала в качестве юридического консультанта Navitas и Gibson., Данн & ТОО «Крутчер» выступило юридическим консультантом GeneSiC..

Конференц-связь и веб-трансляции

Приобретение GeneSiC будет обсуждаться в рамках Navitas Q2. 2022 звонок о доходах:

Когда: Понедельник, август 15й, 2022

Время: 2:00 вечера. Тихий океан / 5:00 вечера. Восточный

Бесплатный номер телефона: (800) 715-9871 или (646) 307-1963

Идентификатор конференции: 6867001

Прямая трансляция: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Повтор: Повтор звонка будет доступен в разделе «Отношения с инвесторами» на веб-сайте Компании по адресу https://ir.navitassemi.com/.

Предостережение относительно прогнозных заявлений

Этот пресс-релиз включает «прогнозные заявления» по смыслу Раздела 21E Закона о ценных бумагах и биржах от 1934, с изменениями, внесенными. Прогнозные заявления могут быть идентифицированы с помощью таких слов, как «мы ожидаем» или «ожидается, что," "оценивать," "план," "проект," "прогноз," "намереваться," "предвидеть," "полагать," "стремиться,”или другие подобные выражения, которые предсказывают или указывают на будущие события или тенденции или которые не являются утверждениями об исторических вопросах. Эти прогнозные заявления включают, но не ограничиваются, заявления относительно оценок и прогнозов других финансовых показателей и показателей эффективности, а также прогнозы рыночных возможностей и доли рынка. Эти утверждения основаны на различных предположениях, независимо от того, указаны ли они в этом пресс-релизе. Эти заявления также основаны на текущих ожиданиях руководства Navitas и не являются прогнозами фактической производительности.. Такие прогнозные заявления предоставляются только в иллюстративных целях и не предназначены для использования в качестве, и на нее не должен полагаться ни один инвестор, поскольку, гарантия, гарантия, предсказание или окончательное утверждение факта или вероятности. Реальные события и обстоятельства трудно или невозможно предсказать, и они будут отличаться от предположений и ожиданий.. Многие реальные события и обстоятельства, влияющие на производительность, находятся вне контроля Navitas.. Прогнозные заявления подвержены ряду рисков и неопределенностей, включая возможность того, что ожидаемый рост бизнеса Navitas и GeneSiC не будет реализован, или не будут реализованы в течение ожидаемых периодов времени, из-за, среди прочего, неспособность успешно интегрировать GeneSiC в бизнес-системы и операционные системы Navitas; влияние приобретения на отношения с клиентами и поставщиками или неспособность сохранить и расширить эти отношения; успех или неудача других усилий по развитию бизнеса; Финансовое состояние и результаты деятельности Navitas; Способность Navitas точно прогнозировать будущие доходы с целью надлежащего составления бюджета и корректировки расходов Navitas.; Способность Navitas диверсифицировать свою клиентскую базу и развивать отношения на новых рынках; Способность Navitas масштабировать свою технологию на новые рынки и приложения; влияние конкуренции на бизнес Navitas, включая действия конкурентов с установленным присутствием и ресурсами на рынках, на которые мы надеемся проникнуть, включая рынки карбида кремния; уровень спроса на конечных рынках клиентов Navitas и GeneSiC, как в целом, так и в отношении последующих поколений продуктов или технологий; Способность Navitas привлекать, обучать и удерживать ключевой квалифицированный персонал; изменения в государственной торговой политике, включая введение тарифов; влияние пандемии COVID-19 на бизнес Navitas, результаты деятельности и финансовое состояние; влияние пандемии COVID-19 на мировую экономику, включая, помимо прочего, цепочку поставок Navitas и цепочки поставок клиентов и поставщиков; изменения в законодательстве США и других стран; и способность Navitas защищать свои права на интеллектуальную собственность. Эти и другие факторы риска обсуждаются в Раздел «Факторы риска» начиная с п. 11 из нашего годовой отчет по форме 10-К за год, закончившийся в декабре 31, 2021, которые мы подали в Комиссию по ценным бумагам и биржам («СПК») на марше 31, 2022 и с последующими изменениями, и в других документах мы подаем в SEC, включая наши ежеквартальные отчеты по форме 10-Q. Если какой-либо из этих рисков материализуется или наши предположения окажутся неверными, фактические результаты могут существенно отличаться от результатов, подразумеваемых этими прогнозными заявлениями.. Могут быть дополнительные риски, о которых Navitas не знает или которые Navitas в настоящее время считает несущественными, которые также могут привести к тому, что фактические результаты будут существенно отличаться от тех, которые содержатся в прогнозных заявлениях.. Кроме того, прогнозные заявления отражают ожидания Navitas, планы или прогнозы будущих событий и взглядов на дату настоящего пресс-релиза. Navitas ожидает, что последующие события и события приведут к изменению оценок Navitas.. Однако, в то время как Navitas может решить обновить эти прогнозные заявления в какой-то момент в будущем., Navitas прямо отказывается от каких-либо обязательств делать это. На эти прогнозные заявления не следует полагаться как на оценку Navitas на любую дату, следующую за датой настоящего пресс-релиза..

О Навитас

Полупроводниковая энергетика (Насдак: НВТС) является лидером отрасли в области нитрида галлия (GaN) силовые ИС, основан в 2014. Силовые ИС GaNFast™ объединяют мощность GaN с приводом, контроль, обнаружение и защита для более быстрой зарядки, более высокая плотность мощности и большая экономия энергии для мобильных устройств, потребитель, Дата центр, Рынки электромобилей и солнечных батарей. Над 165 Патенты Navitas выданы или находятся на рассмотрении. Над 50 миллионов единиц было отгружено без зарегистрированных отказов полей GaN, и Navitas представили первую и единственную в отрасли 20-летнюю гарантию. Navitas — первая в мире компания, производящая полупроводники. CarbonNeutral®-проверенный.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Полупроводник является пионером и мировым лидером в области карбида кремния (SiC) технологии. Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, более экономичны и играют ключевую роль в энергосбережении в широком спектре мощных систем.. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной., рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $5 миллиард по 2025. Наши основные преимущества в дизайне, процессы и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, с показателями производительности и стоимости, устанавливающими новые стандарты в производстве карбида кремния.

Контактная информация

СМИ

Грэм Робертсон, Директор по маркетингу Гранд Бриджс

Грэм@GrandBridges.com

Инвесторы

Стивен Оливер, вице-президент по корпоративному маркетингу & Отношения с инвесторами

ir@navitassemi.com

Полупроводниковая энергетика, GaNFast, GaNSense и логотип Navitas являются товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками Navitas Semiconductor Limited.. Все остальные бренды, названия продуктов и знаки являются или могут быть товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками, используемыми для идентификации продуктов или услуг их соответствующих владельцев..

SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ 750 В обеспечивают непревзойденную производительность и надежность

750V G3R SiC МОП-транзистор

DULLES, VA, июнь 04, 2021 — SiC МОП-транзисторы GeneSiC нового поколения 750 В G3R ™ обеспечат беспрецедентный уровень производительности., надежность и качество, превосходящие аналоги. Преимущества системы включают низкие перепады в открытом состоянии при рабочих температурах., более высокая скорость переключения, повышенная удельная мощность, минимальный звон (низкий EMI) и компактный размер системы. GeneSiC’s G3R ™, предлагается в оптимизированных дискретных корпусах с низкой индуктивностью (SMD и сквозное отверстие), оптимизированы для работы с минимальными потерями мощности во всех рабочих условиях и сверхбыстрыми скоростями переключения. Эти устройства обладают значительно лучшими характеристиками по сравнению с современными SiC MOSFET..

750V G3R SiC МОП-транзистор

«Высокоэффективное использование энергии стало критически важным достижением в преобразователях энергии следующего поколения, а силовые устройства на основе SiC продолжают оставаться ключевыми компонентами, способствующими этой революции.. После многих лет разработок работа над достижением самого низкого сопротивления в открытом состоянии и надежных характеристик при коротких замыканиях и лавинах, мы рады выпустить лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC на 750 В. Наш G3R ™ позволяет разработчикам силовой электроники решать сложные задачи по эффективности., цели по плотности мощности и качеству в таких приложениях, как солнечные инверторы, Бортовые зарядные устройства для электромобилей и серверные / телекоммуникационные источники питания. Гарантированное качество, поддержанный быстрым оборотом и крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, еще больше увеличивает их ценностное предложение. ” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Самая низкая плата за ворота в отрасли (Qграмм) и внутреннее сопротивление затвора (RG(INT))
  • Самый низкий RDS(НА) меняться с температурой
  • Низкая выходная емкость (Cнас) и емкость Миллера (CGD)
  • 100% лавина (UIL) протестировано во время производства
  • Лучшая в отрасли стойкость к короткому замыканию
  • Быстрый и надежный корпусный диод с низким VF и низкий QRR
  • Высокое и стабильное пороговое напряжение затвора (VTH) во всех температурных и дренажных условиях
  • Усовершенствованная технология упаковки для снижения термического сопротивления и звона
  • Равномерность изготовления RDS(НА), VTH и напряжение пробоя (BV)
  • Обширный портфель продуктов и более безопасная цепочка поставок с крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности

Приложения –

  • Солнечная (PV) Инверторы
  • Электромобиль / Бортовые зарядные устройства HEV
  • Сервер & Источники питания для телекоммуникаций
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • DC-DC преобразователи
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Хранение энергии и зарядка аккумуляторов
  • Индукционный нагрев

Все SiC-МОП-транзисторы GeneSiC Semiconductor предназначены для автомобильных приложений. (AEC-q101) и с поддержкой PPAP.

G3R60MT07J - 750 В 60 мОм TO-263-7 G3R&торговля SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750 В 60 мОм TO-247-4 G3R&торговля SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750 В 60 мОм TO-247-3 G3R&торговля SiC MOSFET

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Электроника

Элемент Newark Farnell14

Mouser Electronics

Стрелка Электроника

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

5SiC-диоды Шоттки MPS ™ поколения 650 В для лучшей в своем классе эффективности

Gen5 650V SiC Schottky MPS ™

DULLES, VA, май 28, 2021 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик карбида кремния (SiC) силовые полупроводниковые приборы, объявляет о доступности 5-го поколения (GE *** серия) Выпрямители SiC Schottky MPS ™, которые устанавливают новый стандарт благодаря своему превосходному показателю цены и качества., лучшая в отрасли устойчивость к импульсным токам и лавинам, и качественное изготовление.

«GeneSiC был одним из первых производителей SiC, который начал коммерческую поставку SiC-выпрямителей Шоттки в 2011. После более чем десятилетия поставок высокопроизводительных и качественных SiC выпрямителей в промышленность, мы рады выпустить наше 5-е поколение SiC Schottky MPS ™ (Объединенный-ПиН-Шоттки) диоды, обеспечивающие лучшую в отрасли производительность во всех аспектах для достижения целей высокой эффективности и удельной мощности в таких приложениях, как серверные / телекоммуникационные источники питания и зарядные устройства. Революционная особенность, которая делает наше 5-е поколение (GE *** серия) SiC диоды Шоттки MPS ™ выделяются среди аналогов низким встроенным напряжением. (также известный как напряжение колена);он обеспечивает самые низкие потери проводимости диодов при любых условиях нагрузки, что имеет решающее значение для приложений, требующих высокоэффективного использования энергии.. В отличие от диодов других конкурентов, SiC-диоды также обладают характеристиками с низким уровнем перегиба., дополнительная особенность наших диодов Gen5 заключается в том, что они по-прежнему выдерживают высокий уровень лавинной (UIL) надежность, которую наши клиенты ожидают от GeneSiC Gen3 (GC *** серия) и Gen4 (GD *** серия) SiC Schottky MPS ™” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Вице-президент по технологиям GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Низкое встроенное напряжение – Самые низкие потери проводимости для всех условий нагрузки
  • Высшая фигура заслуг – QC x VF
  • Оптимальная цена
  • Расширенные возможности импульсного тока
  • 100% Лавина (UIL) Проверено
  • Низкое тепловое сопротивление для работы в режиме охлаждения
  • Нулевое прямое и обратное восстановление
  • Температурно-независимое быстрое переключение
  • Положительный температурный коэффициент VF

Приложения –

  • Повышающий диод в коррекции коэффициента мощности (PFC)
  • Источники питания для серверов и телекоммуникаций
  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Свободный ход / Антипараллельный диод в инверторах

GE04MPS06E - 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E - 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E - 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E - 650 В 10 А TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A - 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A - 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A - 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06A - 650 В 10 А TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE12MPS06A - 650 В 12 А TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE2X8MPS06D - 650 В 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

GE2X10MPS06D - 650 В 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

Новые SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3-го поколения с лучшими в отрасли показателями качества

DULLES, VA, февраль 12, 2020 — Новое поколение SiC MOSFET 1200V G3R ™ от GeneSiC Semiconductor с RDS(НА) уровни от 20 мОм к 350 мОм обеспечивает беспрецедентный уровень производительности, надежность и качество, превосходящие аналоги. Преимущества системы включают более высокую эффективность, более высокая частота переключения, повышенная удельная мощность, уменьшение звонка (ЭМИ) и компактный размер системы.

GeneSiC объявляет о выпуске своих ведущих в отрасли полевых МОП-транзисторов из карбида кремния 3-го поколения с лучшими в отрасли характеристиками., надежность и качество для достижения невиданного ранее уровня эффективности и надежности системы в автомобильной и промышленной сфере.

Эти SiC МОП-транзисторы G3R ™, предлагается в оптимизированных дискретных корпусах с низкой индуктивностью (SMD и сквозное отверстие), оптимизированы для систем энергоснабжения, требующих повышенного уровня эффективности и сверхбыстрой скорости переключения. Эти устройства имеют значительно более высокие уровни производительности по сравнению с конкурирующими продуктами.. Гарантированное качество, поддержанный быстрым оборотом крупносерийного производства, еще больше увеличивает их ценностное предложение.

«После многих лет разработок работа над достижением самого низкого сопротивления в открытом состоянии и улучшенных характеристик короткого замыкания, мы рады выпустить лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC MOSFET на 1200 В и более 15+ продукты с дискретным и голым чипом. Если системы силовой электроники следующего поколения должны соответствовать требованиям эффективности, плотность мощности и цели качества в таких приложениях, как автомобилестроение, промышленный, Возобновляемая энергия, транспорт, IT и телеком, тогда они требуют значительно улучшенных характеристик и надежности устройства по сравнению с доступными в настоящее время SiC MOSFET.” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Superior Qграмм х RDS(НА) добродетель – SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ имеют самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии и очень низкий заряд затвора., в результате 20% лучший показатель качества, чем у любого другого аналогичного устройства конкурентов
  • Низкие потери проводимости при всех температурах – Полевые МОП-транзисторы GeneSiC обладают самой мягкой температурной зависимостью сопротивления в открытом состоянии, что обеспечивает очень низкие потери проводимости при всех температурах.; значительно лучше, чем любые другие траншейные и планарные SiC MOSFET на рынке
  • 100 % лавина испытана – Надежная способность UIL является критическим требованием для большинства полевых приложений.. Дискретные SiC-МОП-транзисторы GeneSiC на 1200 В 100 % лавина (UIL) протестировано во время производства
  • Низкий заряд затвора и низкое внутреннее сопротивление затвора – Эти параметры имеют решающее значение для реализации сверхбыстрого переключения и достижения максимальной эффективности. (низкий Eon -Eoff) в широком диапазоне частот переключения приложений
  • Нормально-стабильная работа до 175 ° C – Все SiC MOSFET-транзисторы GeneSiC спроектированы и изготовлены с использованием самых современных процессов для создания стабильной и надежной продукции в любых условиях эксплуатации без риска неисправности.. Превосходное качество оксида затвора этих устройств предотвращает возникновение порога (VTH) дрейф
  • Низкие емкости устройства – G3R ™ разработаны для более быстрого и эффективного управления с их низкими емкостями устройства - Ciss, Косс и Crss
  • Быстрый и надежный корпусный диод с низким внутренним зарядом – Полевые МОП-транзисторы GeneSiC демонстрируют низкий уровень заряда обратного восстановления (QRR) при всех температурах; 30% лучше, чем любое устройство конкурентов с аналогичным рейтингом. Это обеспечивает дальнейшее снижение потерь мощности и увеличивает рабочие частоты.
  • Легкость использования – SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ рассчитаны на питание от +15 В. / -5Привод ворот V. Это обеспечивает широчайшую совместимость с существующими коммерческими драйверами затворов IGBT и SiC MOSFET.

Приложения –

  • Электромобиль – Силовая передача и зарядка
  • Солнечный инвертор и накопитель энергии
  • Промышленный моторный привод
  • Бесперебойный источник питания (UPS)
  • Импульсный источник питания (SMPS)
  • Двунаправленные преобразователи постоянного тока в постоянный
  • Умные сети и HVDC
  • Индукционный нагрев и сварка
  • Применение импульсной мощности

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Электроника

Элемент Newark Farnell14

Mouser Electronics

Стрелка Электроника

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

Все SiC-МОП-транзисторы GeneSiC Semiconductor предназначены для автомобильных приложений. (AEC-q101) и с поддержкой PPAP. Все устройства предлагаются в промышленном стандарте D2PAK., Пакеты ТО-247 и СОТ-227.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3300 В и 1700 В 1000 мОм революционизируют миниатюризацию вспомогательных источников питания

DULLES, VA, Декабрь 4, 2020 — GeneSiC объявляет о доступности ведущих в отрасли дискретных SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В, оптимизированных для достижения беспрецедентной миниатюризации., надежность и экономия энергии при производстве электроэнергии.

GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик комплексного портфеля карбида кремния (SiC) силовые полупроводники, объявляет о поступлении в продажу нового поколения SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В 1000 мОм - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, и G2R1000MT33J. Эти SiC MOSFET обеспечивают превосходный уровень производительности., на основе флагманских деятелей заслуг (FoM) которые улучшают и упрощают системы энергоснабжения в накопителях энергии, Возобновляемая энергия, промышленные двигатели, инверторы общего назначения и промышленное освещение. Выпущенные продукты:

G2R1000MT33J - 3300 В, 1000 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700 В, 1000 мОм TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700 В, 1000 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700 В, 450 мОм TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700 В, 450 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

Новые SiC МОП-транзисторы GeneSiC на 3300 В и 1700 В, доступны в вариантах 1000 мОм и 450 мОм в виде дискретных корпусов SMD и сквозных отверстий, оптимизированы для систем энергоснабжения, требующих повышенного уровня эффективности и сверхбыстрой скорости переключения. Эти устройства имеют значительно более высокие уровни производительности по сравнению с конкурирующими продуктами.. Гарантированное качество, поддержанные быстрым оборотом крупносерийного производства, еще больше увеличивают их ценностное предложение.

«В таких приложениях, как солнечные инверторы на 1500 В, МОП-транзистор во вспомогательном источнике питания может выдерживать напряжения в диапазоне 2500 В., в зависимости от входного напряжения, коэффициент трансформации трансформатора и выходное напряжение. Полевые МОП-транзисторы с высоким пробивным напряжением устраняют необходимость в последовательно соединенных переключателях в Flyback, Повышающий и прямой преобразователи, что сокращает количество деталей и упрощает схему. Дискретные SiC-МОП-транзисторы GeneSiC на 3300 В и 1700 В позволяют разработчикам использовать более простую топологию на основе одного переключателя и в то же время предоставлять клиентам надежные, компактная и экономичная система” сказал Сумит Джадав, Старший менеджер по приложениям в GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Превосходный индекс цены и качества
  • Флагманский Qграмм х RDS(НА) добродетель
  • Низкая внутренняя емкость и низкий заряд затвора
  • Низкие потери при любых температурах
  • Высокая устойчивость к лавинам и коротким замыканиям
  • Контрольное пороговое напряжение для стабильной работы при нормальном выключении до 175 ° C

Приложения –

  • Возобновляемая энергия (солнечные инверторы) и хранение энергии
  • Промышленные двигатели (и связь)
  • Инверторы общего назначения
  • Промышленное освещение
  • Пьезо драйверы
  • Генераторы ионных пучков

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

Ведущие в отрасли SiC-МОП-транзисторы на 6,5 кВ от GeneSiC – Авангард новой волны приложений

6.5SiC MOSFET кВ

DULLES, VA, Октябрь 20, 2020 — GeneSiC выпускает полевые МОП-транзисторы из карбида кремния 6,5 кВ, чтобы стать лидером в обеспечении беспрецедентного уровня производительности., эффективность и надежность в приложениях преобразования энергии среднего напряжения, таких как тяга, импульсная энергетика и инфраструктура интеллектуальных сетей.

GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) силовые полупроводники, объявляет о поступлении в продажу голых чипов SiC MOSFET на 6,5 кВ - G2R300MT65-CAL и G2R325MS65-CAL. Полные модули SiC, использующие эту технологию, скоро будут выпущены. Ожидается, что приложения будут включать тягу, импульсная мощность, инфраструктура интеллектуальных сетей и другие преобразователи среднего напряжения.

G2R300MT65-CAL - 6,5 кВ, 300 мОм, G2R ™ SiC MOSFET, чистый чип

G2R325MS65-CAL - SiC MOSFET 6,5 кВ 325 мОм G2R ™ (с интегрированным-Шоттки) Голый чип

G2R100MT65-CAL - Пустой чип SiC MOSFET 6,5 кВ 100 мОм G2R ™

Инновация GeneSiC включает двукратно имплантированный металлооксидный полупроводник SiC. (DMOSFET) Конструкция устройства с переходным барьером Шоттки (JBS) выпрямитель, встроенный в элементарную ячейку SiC DMOSFET. Это передовое силовое устройство может использоваться в различных схемах преобразования энергии в системах преобразования энергии следующего поколения.. Другие важные преимущества включают более эффективную двунаправленную работу., независимое от температуры переключение, низкие потери переключения и проводимости, снижение требований к охлаждению, превосходная долговременная надежность, простота параллельного подключения устройств и экономическая выгода. Технология GeneSiC предлагает превосходные характеристики, а также имеет потенциал для уменьшения чистого следа материала SiC в преобразователях мощности..

“SiC МОП-транзисторы GeneSiC на 6,5 кВ спроектированы и изготовлены на 6-дюймовых пластинах для обеспечения низкого сопротивления в открытом состоянии., высшее качество, и превосходный индекс цены и качества. Эта технология MOSFET нового поколения обещает образцовые характеристики., превосходная прочность и долговременная надежность в системах преобразования энергии среднего напряжения.” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Вице-президент по технологиям в GeneSiC Semiconductor.

Особенности технологии 6,5 кВ G2R ™ SiC MOSFET от GeneSiC –

  • Высокая лавина (СИЮ) и стойкость к короткому замыканию
  • Superior Qграмм х RDS(НА) добродетель
  • Температурно-независимые коммутационные потери
  • Низкие емкости и низкий заряд затвора
  • Низкие потери при любых температурах
  • Нормально-стабильная работа до 175 ° C
  • +20 V / -5 Привод ворот V

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

Интервью GeneSiC на PCIM 2016 в Нюрнберге, Германия

Интервью по проектированию энергосистем GeneSiC

Нюрнберг, Германия май 12, 2016 — Президент GeneSiC Semiconductor дал интервью Аликс Полтре из Power Systems Design. (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) на выставке PCIM в Нюрнберге, Германия.

 

Переходные транзисторы-диоды из карбида кремния, предлагаемые в 4 Выводной мини-модуль

Комбинация SiC-транзистор-диод в одном корпусе в прочном, изолированные, 4-Свинцовый, упаковка мини-модуля снижает потери энергии при включении и позволяет создавать гибкие схемы для высокочастотных преобразователей энергии

DULLES, VA, май 13, 2015 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности 20 SiC переходные транзисторы-диоды мОм-1200 В в изолированном, 4-Корпус мини-модуля с выводами, обеспечивающий чрезвычайно низкие потери энергии при включении и одновременно обеспечивающий гибкость, модульные конструкции в высокочастотных преобразователях мощности. Использование высокой частоты, SiC-транзисторы и выпрямители с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии уменьшат размер / вес / объем электронных приложений, требующих более высокой мощности на высоких рабочих частотах. Эти устройства предназначены для использования в широком спектре приложений, включая индукционные нагреватели., генераторы плазмы, быстрые зарядные устройства, DC-DC преобразователи, и импульсные блоки питания.

Выпрямитель Co-pack SOT-227 Isotop на карбид кремниевых переходных транзисторах

1200 Выпрямитель на транзисторных транзисторах с карбидом кремния, В / 20 мОм, собранный в изолированном корпусе SOT-227, обеспечивающем возможность раздельного затвора источника и приемника

Совместно упакованные SiC переходные транзисторы (СДТ)-Выпрямители SiC, предлагаемые GeneSiC, однозначно применимы для приложений с индуктивной коммутацией, потому что SJT - единственные широкополосные переключатели, предлагаемые >10 возможность повторного короткого замыкания в микросекундах, даже при 80% номинальных напряжений (например. 960 V для 1200 V устройство). В дополнение к временам нарастания / спада менее 10 нс и квадрату безопасной рабочей зоны с обратным смещением (РБСОА), клемма Gate Return в новой конфигурации значительно улучшает возможность снижения энергий переключения. Этот новый класс продуктов предлагает переходные потери энергии и время переключения, которые не зависят от температуры перехода.. SiC-переходные транзисторы от GeneSiC не содержат оксидов затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут работать при низких напряжениях затвора, в отличие от других переключателей SiC.
Выпрямители SiC Шоттки, используемые в этих мини-модулях, показывают низкие падения напряжения в открытом состоянии., хорошие характеристики импульсного тока и самые низкие в отрасли токи утечки при повышенных температурах. С независимым от температуры, характеристика переключения с обратным восстановлением, близкая к нулю, Выпрямители SiC Шоттки - идеальные кандидаты для использования в высокоэффективных схемах..
“SiC транзисторы и выпрямители компании GeneSiC спроектированы и изготовлены для обеспечения низких потерь в открытом состоянии и коммутации.. Комбинация этих технологий в инновационном корпусе обещает образцовые характеристики в силовых цепях, требующих устройств на основе широкой запрещенной зоны.. Упаковка мини-модуля предлагает большую гибкость конструкции для использования в различных цепях питания, таких как H-Bridge., Обратные и многоуровневые инверторы” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.
Выпущенный сегодня продукт включает
20 Совместная упаковка SiC-транзистора / выпрямителя мОм / 1200 В (GA50SICP12-227):
• Изолированный корпус SOT-227 / мини-блок / Isotop
• Коэффициент усиления транзистора (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (ограничено упаковкой)
• Включить / выключить; Время подъема/спада <10 наносекунды типичные.

Все устройства 100% испытано на полное номинальное напряжение / ток. Устройства сразу же доступны в GeneSiC’s Официальные дистрибьюторы.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите: https://192.168.88.14/коммерческий-sic / sic-modules-copack /

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые диодные модули. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, скважинное бурение нефтяных скважин, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

Высокотемпературные SiC-транзисторы и выпрямители общего назначения по низкой цене

Высокая температура (>210оC) Переходные транзисторы и выпрямители в корпусе из металлических корпусов малого форм-фактора предлагают революционные преимущества производительности для различных приложений, включая усиление., схема с низким уровнем шума и управление скважинным приводом

DULLES, VA, Маршировать 9, 2015 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) сегодня компания power semiconductors объявляет о поступлении в продажу линейки компактных, высокотемпературные транзисторы SiC Junction, а также линейка выпрямителей в металлических корпусах ТО-46. Эти дискретные компоненты спроектированы и изготовлены для работы при температуре окружающей среды выше 215оC. Применение высокой температуры, Транзисторы и выпрямители SiC с высоким напряжением и низким сопротивлением во включенном состоянии уменьшат размер/вес/объем электронных приложений, требующих более высокой мощности при повышенных температурах.. Эти устройства предназначены для использования в самых разных областях, включая широкий спектр скважинных контуров., геотермальные приборы, электромагнитное срабатывание, усиление общего назначения, и импульсные блоки питания.

Транзисторы с высокотемпературным соединением SiC (СДТ) предлагаемые GeneSiC, демонстрируют время нарастания/спада менее 10 нс, что позволяет >10 Переключение МГц, а также квадратная область безопасной работы с обратным смещением (РБСОА). Переходные потери энергии и время переключения не зависят от температуры перехода.. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и способны управляться 0/+5 Драйверы затвора V TTL, в отличие от других переключателей SiC. Уникальными преимуществами SJT по сравнению с другими коммутаторами SiC является более высокая надежность в долгосрочной перспективе., >20 возможность использования короткого замыкания, и превосходная лавинная способность. Эти устройства можно использовать в качестве эффективных усилителей, поскольку они обещают гораздо более высокую линейность, чем любой другой переключатель SiC..

Высокотемпературные выпрямители SiC Schottky, предлагаемые GeneSiC, демонстрируют низкое падение напряжения во включенном состоянии., и самые низкие в отрасли токи утечки при повышенных температурах. С независимым от температуры, характеристика переключения с обратным восстановлением, близкая к нулю, SiC-выпрямители Шоттки идеально подходят для использования в высокоэффективных системах., высокотемпературные контуры. Упаковка металлических банок TO-46, а также связанные с ней процессы упаковки, используемые для создания этих продуктов, позволяют использовать их в течение длительного времени, когда важна высокая надежность..

“Транзисторы и выпрямители GeneSiC разрабатываются и производятся с нуля для обеспечения работы при высоких температурах.. Эти компактные SJT в корпусе TO-46 обеспечивают высокий коэффициент усиления по току. (>110), 0/+5 V ТТЛ-управление, и надежная производительность. Эти устройства обеспечивают низкие потери проводимости и высокую линейность.. Мы разрабатываем нашу линейку выпрямителей «SHT», обеспечивать низкие токи утечки при высоких температурах. Эти продукты в металлической упаковке дополняют наши продукты TO-257 и металлические SMD, выпущенные в прошлом году, предлагая компактный форм-фактор., вибростойкие решения” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Продукты, выпущенные сегодня, включают:Транзисторные диоды TO-46 SiC

240 мОм SiC переходные транзисторы:

  • 300 В запирающее напряжение. Номер части ГА05ДЖТ03-46
  • 100 В запирающее напряжение. Номер части ГА05ДЖТ01-46
  • Текущее усиление (часКЭ) >110
  • Тjmax знак равно 210оC
  • Включение / выключение; Время подъема/спада <10 наносекунды типичные.

Вплоть до 4 Ампер высокотемпературные диоды Шоттки:

  • 600 В запирающее напряжение. Номер части ГБ02ШТ06-46
  • 300 В запирающее напряжение. Номер части ГБ02ШТ03-46
  • 100 В запирающее напряжение. Номер части ГБ02ШТ01-46
  • Общий емкостной заряд 9 нКл
  • Тjmax знак равно 210оC.

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение/ток и размещены в металлических корпусах TO-46. Устройства сразу доступны у авторизованных дистрибьюторов GeneSiC..

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые диодные модули. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, скважинное бурение нефтяных скважин, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

За дополнительной информацией, пожалуйста, посетите https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; и https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Плата драйвера затвора и модели SPICE для переходных транзисторов из карбида кремния (СДТ) Выпущенный

Плата драйвера затвора, оптимизированная для высоких скоростей переключения, и модели, основанные на поведении, позволяют инженерам-проектировщикам силовой электроники проверять и количественно оценивать преимущества SJT при оценке на уровне платы и моделировании схем

DULLES, В.А., ноябрь 19, 2014 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Компания Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности оценочной платы драйвера затвора и расширяет свою конструктивную поддержку переключателей с наименьшими потерями в отрасли - SiC Junction Transistor. (СДТ) - с полностью квалифицированной моделью LTSPICE IV. Использование новой платы драйвера затвора, Разработчики схем преобразования мощности могут проверить преимущества менее 15 наносекунд, температурно-независимые коммутационные характеристики SiC-переходных транзисторов, с низкими потерями мощности драйвера. Включение новых моделей SPICE, Разработчики схем могут легко оценить преимущества SJT GeneSiC для достижения более высокого уровня эффективности, чем это возможно с обычными кремниевыми устройствами переключения питания для устройств сопоставимого номинала..

GA03IDDJT30-FR4_image

Плата драйвера затвора GA03IDDJT30-FR4, применимая к SJT от GeneSiC

SiC-переходные транзисторы имеют значительно отличающиеся характеристики от других технологий SiC-транзисторов., а также кремниевые транзисторы. Платы драйверов затвора, которые могут обеспечивать низкие потери мощности при сохранении высоких скоростей переключения, были необходимы для обеспечения приводных решений для использования преимуществ SiC Junction Transistors.. GeneSiC полностью изолирован Торговые журналы Плата драйвера затвора принимает сигнал 0/12 В и TTL для оптимального согласования форм сигналов напряжения / тока, необходимых для обеспечения небольшого времени нарастания / спада, при этом минимизируя потребность в постоянном токе для поддержания нормального выключенного SJT в проводящем состоянии во включенном состоянии.. Конфигурация выводов и форм-факторы аналогичны другим транзисторам SiC.. GeneSiC также выпустила файлы Gerber и спецификации для конечных пользователей, чтобы они могли использовать преимущества реализованных инноваций в дизайне драйверов..

SJT предлагают хорошие характеристики включения и переключения, упрощение создания моделей SPICE на основе поведения, которые также хорошо согласуются с базовыми моделями на основе физики. Использование хорошо зарекомендовавших себя и понятных моделей, основанных на физике, Параметры SPICE были выпущены после всестороннего тестирования поведения устройства.. Модели GeneSiC SPICE сравниваются с экспериментально измеренными данными во всех технических описаниях устройств и применимы ко всем 1200 V и 1700 Выпущены переходные транзисторы V SiC.
SJT GeneSiC способны обеспечивать частоты переключения, превышающие 15 раз выше, чем решения на базе IGBT. Их более высокие частоты переключения позволяют использовать магнитные и емкостные элементы меньшего размера., тем самым уменьшая общий размер, вес и стоимость систем силовой электроники.

Эта SPICE-модель SiC Junction Transistor дополняет полный набор средств поддержки проектирования GeneSiC., техническая документация, и информация о надежности, чтобы предоставить инженерам силовой электроники ресурсы для проектирования, необходимые для внедрения обширного семейства SiC-транзисторов и выпрямителей GeneSiC в системы питания следующего поколения..

Таблицы данных платы драйверов затворов GeneSiC и модели SJT SPICE можно загрузить с https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/