SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3300 В и 1700 В 1000 мОм революционизируют миниатюризацию вспомогательных источников питания
Полупроводниковая энергетика, Лидер отрасли в области силовых ИС на основе нитрида галлия, объявляет о приобретении GeneSiC Semiconductor, Пионер карбида кремния
GeneSiC выигрывает проект по управлению питанием от НАСА в поддержку будущих миссий по исследованию Венеры
Гибридные модули SiC выпрямителя Шоттки / Si IGBT от GeneSiC обеспечивают работу при температуре 175 ° C