опубликовано

Полупроводниковая энергетика, Лидер отрасли в области силовых ИС на основе нитрида галлия, объявляет о приобретении GeneSiC Semiconductor, Пионер карбида кремния

 

Секунда, Калифорния., 15 августа, 2022 - Энергетический полупроводник (Насдак: НВТС), лидер отрасли в области нитрида галлия (GaN) силовые ИС, сегодня объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor, карбид кремния (SiC) пионер с глубоким опытом в разработке и производстве силовых устройств SiC. Сделка сразу же становится выгодной для Navitas, поскольку GeneSiC очень прибыльна., с более чем 25% Маржа EBITDA. Календарь 2022 выручка ожидается примерно $25 миллионов с продемонстрированным ежегодным темпом роста более 60%. Объединенная компания создает всеобъемлющую, передовой портфель технологий в области силовых полупроводников нового поколения — как GaN, так и SiC — с совокупными рыночными возможностями, оцениваемыми более чем в $20 миллиардов в год по 2026.

«GeneSiC является идеальным партнером для Navitas, поскольку она нацелена на разработку лидирующей в отрасли технологии SiC.,— сказал Джин Шеридан., Генеральный директор и соучредитель Navitas. «Navitas вложила значительные средства в глобальные продажи., команды эксплуатации и технической поддержки, наряду с центрами проектирования систем в EV и дата-центрах. Эти возможности являются идеальным дополнением к GeneSiC и еще больше ускорят их рост как в синергетических, так и в новых клиентах и ​​на рынках.. Сегодня, мы сделали важный шаг в реализации миссии нашей компании «Электрифицировать наш мир™» и обеспечить переход нашей планеты от ископаемого топлива к экологически чистой, эффективный, электроэнергия."

«Запатентованная технология GeneSiC, передовые технологии и инновационные, опытная команда является решающим фактором роста нашей компании. Наши SiC MOSFET предлагают самые высокие в отрасли характеристики, надежность, и надежность - параметры, имеющие решающее значение для широкого распространения электромобилей и связанной с ними инфраструктуры.,— сказал президент GeneSiC д-р. Ранбир Сингх. «С почти 20 лет передовой R&Д, проверенные платформы, над 500 разнообразные клиенты, и рост выручки и прибыльности, мы можем использовать опыт Navitas в области массового производства и стратегию выхода на рынок для увеличения доходов SiC.. Мы очень рады этому новому партнерству».

доктор. Сингх присоединяется к Navitas в качестве исполнительного вице-президента по бизнесу GeneSiC, и Navitas рассчитывает сохранить всех членов команды GeneSiC..

В силовых полупроводниках, и GaN, и SiC являются превосходными материалами по сравнению с устаревшим кремнием., включение более высоких скоростей, большая экономия энергии, более быстрая зарядка, и значительно уменьшенный размер, масса, и стоимость. Вместе, эти дополнительные, материалы нового поколения предназначены для широкого спектра применений, начиная от зарядных устройств для смартфонов мощностью 20 Вт., до 20кВт зарядных устройств для электромобилей, до систем сетевой инфраструктуры мощностью 20 МВт и всего, что между ними. С более 500 клиенты, приобретение GeneSiC обеспечивает диверсифицированные и синергетические рынки и клиентов, и ускоряет получение доходов Navitas в стратегическом, приложения с более высокой мощностью:

  • Электромобиль: Микросхемы Navitas GaN оптимизированы для систем электромобилей с напряжением 400 В., а технология GeneSiC идеально подходит для систем электромобилей на 800 В., с существующими клиентами по доходам и развитию, включая BYD — мировую #1 поставщик электромобилей, Land Rover, Мерседес АМГ, Джили, Шинри, LG Магна, Сааб, и инновации, вместе с десятками других.
  • Солнечная & Хранилище энергии: ИС Navitas GaN обслуживают жилую солнечную энергию, в то время как GeneSiC получает немедленный доход от более высокой мощности, коммерческие клиенты, использующие солнечную энергию и аккумулирующие энергию, включая АПС, Передовая энергия, Чинт, Подсолнух, Гроватт, CATL, Exide и многие другие..
  • Расширение промышленных рынков: Высоковольтные продукты GeneSiC приносят немедленный доход на широком спектре дополнительных промышленных рынков, в том числе на железнодорожном транспорте., UPS, ветер, мощность сети, промышленные двигатели, и медицинская визуализация.

Детали транзакции

Ожидается, что приобретение GeneSiC немедленно увеличит прибыль Navitas на акцию.. Общее вознаграждение составило примерно $100 миллион наличными, 24.9 миллионов акций Navitas и возможные выплаты в размере до $25 миллионов при условии достижения существенных целей по доходам для бизнеса GeneSiC за четыре финансовых квартала, заканчивающихся в сентябре. 30, 2023. Более подробная информация о GeneSiC доступна на сайте ir.navitassemi.com..

Советники

Jefferies LLC выступала в качестве финансового консультанта Navitas, а Bank of America выступала в качестве финансового консультанта GeneSiC.. Юридическая группа TCF, PLLC выступала в качестве юридического консультанта Navitas и Gibson., Данн & ТОО «Крутчер» выступило юридическим консультантом GeneSiC..

Конференц-связь и веб-трансляции

Приобретение GeneSiC будет обсуждаться в рамках Navitas Q2. 2022 звонок о доходах:

Когда: Понедельник, август 15й, 2022

Время: 2:00 вечера. Тихий океан / 5:00 вечера. Восточный

Бесплатный номер телефона: (800) 715-9871 или (646) 307-1963

Идентификатор конференции: 6867001

Прямая трансляция: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Повтор: Повтор звонка будет доступен в разделе «Отношения с инвесторами» на веб-сайте Компании по адресу https://ir.navitassemi.com/.

Предостережение относительно прогнозных заявлений

Этот пресс-релиз включает «прогнозные заявления» по смыслу Раздела 21E Закона о ценных бумагах и биржах от 1934, с изменениями, внесенными. Прогнозные заявления могут быть идентифицированы с помощью таких слов, как «мы ожидаем» или «ожидается, что," "оценивать," "план," "проект," "прогноз," "намереваться," "предвидеть," "полагать," "стремиться,”или другие подобные выражения, которые предсказывают или указывают на будущие события или тенденции или которые не являются утверждениями об исторических вопросах. Эти прогнозные заявления включают, но не ограничиваются, заявления относительно оценок и прогнозов других финансовых показателей и показателей эффективности, а также прогнозы рыночных возможностей и доли рынка. Эти утверждения основаны на различных предположениях, независимо от того, указаны ли они в этом пресс-релизе. Эти заявления также основаны на текущих ожиданиях руководства Navitas и не являются прогнозами фактической производительности.. Такие прогнозные заявления предоставляются только в иллюстративных целях и не предназначены для использования в качестве, и на нее не должен полагаться ни один инвестор, поскольку, гарантия, гарантия, предсказание или окончательное утверждение факта или вероятности. Реальные события и обстоятельства трудно или невозможно предсказать, и они будут отличаться от предположений и ожиданий.. Многие реальные события и обстоятельства, влияющие на производительность, находятся вне контроля Navitas.. Прогнозные заявления подвержены ряду рисков и неопределенностей, включая возможность того, что ожидаемый рост бизнеса Navitas и GeneSiC не будет реализован, или не будут реализованы в течение ожидаемых периодов времени, из-за, среди прочего, неспособность успешно интегрировать GeneSiC в бизнес-системы и операционные системы Navitas; влияние приобретения на отношения с клиентами и поставщиками или неспособность сохранить и расширить эти отношения; успех или неудача других усилий по развитию бизнеса; Финансовое состояние и результаты деятельности Navitas; Способность Navitas точно прогнозировать будущие доходы с целью надлежащего составления бюджета и корректировки расходов Navitas.; Способность Navitas диверсифицировать свою клиентскую базу и развивать отношения на новых рынках; Способность Navitas масштабировать свою технологию на новые рынки и приложения; влияние конкуренции на бизнес Navitas, включая действия конкурентов с установленным присутствием и ресурсами на рынках, на которые мы надеемся проникнуть, включая рынки карбида кремния; уровень спроса на конечных рынках клиентов Navitas и GeneSiC, как в целом, так и в отношении последующих поколений продуктов или технологий; Способность Navitas привлекать, обучать и удерживать ключевой квалифицированный персонал; изменения в государственной торговой политике, включая введение тарифов; влияние пандемии COVID-19 на бизнес Navitas, результаты деятельности и финансовое состояние; влияние пандемии COVID-19 на мировую экономику, включая, помимо прочего, цепочку поставок Navitas и цепочки поставок клиентов и поставщиков; изменения в законодательстве США и других стран; и способность Navitas защищать свои права на интеллектуальную собственность. Эти и другие факторы риска обсуждаются в Раздел «Факторы риска» начиная с п. 11 из нашего годовой отчет по форме 10-К за год, закончившийся в декабре 31, 2021, которые мы подали в Комиссию по ценным бумагам и биржам («СПК») на марше 31, 2022 и с последующими изменениями, и в других документах мы подаем в SEC, включая наши ежеквартальные отчеты по форме 10-Q. Если какой-либо из этих рисков материализуется или наши предположения окажутся неверными, фактические результаты могут существенно отличаться от результатов, подразумеваемых этими прогнозными заявлениями.. Могут быть дополнительные риски, о которых Navitas не знает или которые Navitas в настоящее время считает несущественными, которые также могут привести к тому, что фактические результаты будут существенно отличаться от тех, которые содержатся в прогнозных заявлениях.. Кроме того, прогнозные заявления отражают ожидания Navitas, планы или прогнозы будущих событий и взглядов на дату настоящего пресс-релиза. Navitas ожидает, что последующие события и события приведут к изменению оценок Navitas.. Однако, в то время как Navitas может решить обновить эти прогнозные заявления в какой-то момент в будущем., Navitas прямо отказывается от каких-либо обязательств делать это. На эти прогнозные заявления не следует полагаться как на оценку Navitas на любую дату, следующую за датой настоящего пресс-релиза..

О Навитас

Полупроводниковая энергетика (Насдак: НВТС) является лидером отрасли в области нитрида галлия (GaN) силовые ИС, основан в 2014. Силовые ИС GaNFast™ объединяют мощность GaN с приводом, контроль, обнаружение и защита для более быстрой зарядки, более высокая плотность мощности и большая экономия энергии для мобильных устройств, потребитель, Дата центр, Рынки электромобилей и солнечных батарей. Над 165 Патенты Navitas выданы или находятся на рассмотрении. Над 50 миллионов единиц было отгружено без зарегистрированных отказов полей GaN, и Navitas представили первую и единственную в отрасли 20-летнюю гарантию. Navitas — первая в мире компания, производящая полупроводники. CarbonNeutral®-проверенный.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Полупроводник является пионером и мировым лидером в области карбида кремния (SiC) технологии. Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, более экономичны и играют ключевую роль в энергосбережении в широком спектре мощных систем.. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной., рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $5 миллиард по 2025. Наши основные преимущества в дизайне, процессы и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, с показателями производительности и стоимости, устанавливающими новые стандарты в производстве карбида кремния.

Контактная информация

СМИ

Грэм Робертсон, Директор по маркетингу Гранд Бриджс

Грэм@GrandBridges.com

Инвесторы

Стивен Оливер, вице-президент по корпоративному маркетингу & Отношения с инвесторами

ir@navitassemi.com

Полупроводниковая энергетика, GaNFast, GaNSense и логотип Navitas являются товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками Navitas Semiconductor Limited.. Все остальные бренды, названия продуктов и знаки являются или могут быть товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками, используемыми для идентификации продуктов или услуг их соответствующих владельцев..

опубликовано

SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ 750 В обеспечивают непревзойденную производительность и надежность

750V G3R SiC МОП-транзистор

DULLES, VA, июнь 04, 2021 — SiC МОП-транзисторы GeneSiC нового поколения 750 В G3R ™ обеспечат беспрецедентный уровень производительности., надежность и качество, превосходящие аналоги. Преимущества системы включают низкие перепады в открытом состоянии при рабочих температурах., более высокая скорость переключения, повышенная удельная мощность, минимальный звон (низкий EMI) и компактный размер системы. GeneSiC’s G3R ™, предлагается в оптимизированных дискретных корпусах с низкой индуктивностью (SMD и сквозное отверстие), оптимизированы для работы с минимальными потерями мощности во всех рабочих условиях и сверхбыстрыми скоростями переключения. Эти устройства обладают значительно лучшими характеристиками по сравнению с современными SiC MOSFET..

750V G3R SiC МОП-транзистор

«Высокоэффективное использование энергии стало критически важным достижением в преобразователях энергии следующего поколения, а силовые устройства на основе SiC продолжают оставаться ключевыми компонентами, способствующими этой революции.. После многих лет разработок работа над достижением самого низкого сопротивления в открытом состоянии и надежных характеристик при коротких замыканиях и лавинах, мы рады выпустить лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC на 750 В. Наш G3R ™ позволяет разработчикам силовой электроники решать сложные задачи по эффективности., цели по плотности мощности и качеству в таких приложениях, как солнечные инверторы, Бортовые зарядные устройства для электромобилей и серверные / телекоммуникационные источники питания. Гарантированное качество, поддержанный быстрым оборотом и крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности, еще больше увеличивает их ценностное предложение. ” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Самая низкая плата за ворота в отрасли (Qграмм) и внутреннее сопротивление затвора (RG(INT))
  • Самый низкий RDS(НА) меняться с температурой
  • Низкая выходная емкость (Cнас) и емкость Миллера (CGD)
  • 100% лавина (UIL) протестировано во время производства
  • Лучшая в отрасли стойкость к короткому замыканию
  • Быстрый и надежный корпусный диод с низким VF и низкий QRR
  • Высокое и стабильное пороговое напряжение затвора (VTH) во всех температурных и дренажных условиях
  • Усовершенствованная технология упаковки для снижения термического сопротивления и звона
  • Равномерность изготовления RDS(НА), VTH и напряжение пробоя (BV)
  • Обширный портфель продуктов и более безопасная цепочка поставок с крупносерийным производством, отвечающим требованиям автомобильной промышленности

Приложения –

  • Солнечная (PV) Инверторы
  • Электромобиль / Бортовые зарядные устройства HEV
  • Сервер & Источники питания для телекоммуникаций
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • DC-DC преобразователи
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Хранение энергии и зарядка аккумуляторов
  • Индукционный нагрев

Все SiC-МОП-транзисторы GeneSiC Semiconductor предназначены для автомобильных приложений. (AEC-q101) и с поддержкой PPAP.

G3R60MT07J - 750 В 60 мОм TO-263-7 G3R&торговля SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750 В 60 мОм TO-247-4 G3R&торговля SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750 В 60 мОм TO-247-3 G3R&торговля SiC MOSFET

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Электроника

Элемент Newark Farnell14

Mouser Electronics

Стрелка Электроника

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

5SiC-диоды Шоттки MPS ™ поколения 650 В для лучшей в своем классе эффективности

Gen5 650V SiC Schottky MPS ™

DULLES, VA, май 28, 2021 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик карбида кремния (SiC) силовые полупроводниковые приборы, объявляет о доступности 5-го поколения (GE *** серия) Выпрямители SiC Schottky MPS ™, которые устанавливают новый стандарт благодаря своему превосходному показателю цены и качества., лучшая в отрасли устойчивость к импульсным токам и лавинам, и качественное изготовление.

«GeneSiC был одним из первых производителей SiC, который начал коммерческую поставку SiC-выпрямителей Шоттки в 2011. После более чем десятилетия поставок высокопроизводительных и качественных SiC выпрямителей в промышленность, мы рады выпустить наше 5-е поколение SiC Schottky MPS ™ (Объединенный-ПиН-Шоттки) диоды, обеспечивающие лучшую в отрасли производительность во всех аспектах для достижения целей высокой эффективности и удельной мощности в таких приложениях, как серверные / телекоммуникационные источники питания и зарядные устройства. Революционная особенность, которая делает наше 5-е поколение (GE *** серия) SiC диоды Шоттки MPS ™ выделяются среди аналогов низким встроенным напряжением. (также известный как напряжение колена);он обеспечивает самые низкие потери проводимости диодов при любых условиях нагрузки, что имеет решающее значение для приложений, требующих высокоэффективного использования энергии.. В отличие от диодов других конкурентов, SiC-диоды также обладают характеристиками с низким уровнем перегиба., дополнительная особенность наших диодов Gen5 заключается в том, что они по-прежнему выдерживают высокий уровень лавинной (UIL) надежность, которую наши клиенты ожидают от GeneSiC Gen3 (GC *** серия) и Gen4 (GD *** серия) SiC Schottky MPS ™” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Вице-президент по технологиям GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Низкое встроенное напряжение – Самые низкие потери проводимости для всех условий нагрузки
  • Высшая фигура заслуг – QC x VF
  • Оптимальная цена
  • Расширенные возможности импульсного тока
  • 100% Лавина (UIL) Проверено
  • Низкое тепловое сопротивление для работы в режиме охлаждения
  • Нулевое прямое и обратное восстановление
  • Температурно-независимое быстрое переключение
  • Положительный температурный коэффициент VF

Приложения –

  • Повышающий диод в коррекции коэффициента мощности (PFC)
  • Источники питания для серверов и телекоммуникаций
  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Зарядные устройства для аккумуляторов
  • Свободный ход / Антипараллельный диод в инверторах

GE04MPS06E - 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E - 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E - 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E - 650 В 10 А TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A - 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A - 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A - 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06A - 650 В 10 А TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE12MPS06A - 650 В 12 А TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE2X8MPS06D - 650 В 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

GE2X10MPS06D - 650 В 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

Новые SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3-го поколения с лучшими в отрасли показателями качества

DULLES, VA, февраль 12, 2020 — Новое поколение SiC MOSFET 1200V G3R ™ от GeneSiC Semiconductor с RDS(НА) уровни от 20 мОм к 350 мОм обеспечивает беспрецедентный уровень производительности, надежность и качество, превосходящие аналоги. Преимущества системы включают более высокую эффективность, более высокая частота переключения, повышенная удельная мощность, уменьшение звонка (ЭМИ) и компактный размер системы.

GeneSiC объявляет о выпуске своих ведущих в отрасли полевых МОП-транзисторов из карбида кремния 3-го поколения с лучшими в отрасли характеристиками., надежность и качество для достижения невиданного ранее уровня эффективности и надежности системы в автомобильной и промышленной сфере.

Эти SiC МОП-транзисторы G3R ™, предлагается в оптимизированных дискретных корпусах с низкой индуктивностью (SMD и сквозное отверстие), оптимизированы для систем энергоснабжения, требующих повышенного уровня эффективности и сверхбыстрой скорости переключения. Эти устройства имеют значительно более высокие уровни производительности по сравнению с конкурирующими продуктами.. Гарантированное качество, поддержанный быстрым оборотом крупносерийного производства, еще больше увеличивает их ценностное предложение.

«После многих лет разработок работа над достижением самого низкого сопротивления в открытом состоянии и улучшенных характеристик короткого замыкания, мы рады выпустить лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC MOSFET на 1200 В и более 15+ продукты с дискретным и голым чипом. Если системы силовой электроники следующего поколения должны соответствовать требованиям эффективности, плотность мощности и цели качества в таких приложениях, как автомобилестроение, промышленный, Возобновляемая энергия, транспорт, IT и телеком, тогда они требуют значительно улучшенных характеристик и надежности устройства по сравнению с доступными в настоящее время SiC MOSFET.” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Superior Qграмм х RDS(НА) добродетель – SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ имеют самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии и очень низкий заряд затвора., в результате 20% лучший показатель качества, чем у любого другого аналогичного устройства конкурентов
  • Низкие потери проводимости при всех температурах – Полевые МОП-транзисторы GeneSiC обладают самой мягкой температурной зависимостью сопротивления в открытом состоянии, что обеспечивает очень низкие потери проводимости при всех температурах.; значительно лучше, чем любые другие траншейные и планарные SiC MOSFET на рынке
  • 100 % лавина испытана – Надежная способность UIL является критическим требованием для большинства полевых приложений.. Дискретные SiC-МОП-транзисторы GeneSiC на 1200 В 100 % лавина (UIL) протестировано во время производства
  • Низкий заряд затвора и низкое внутреннее сопротивление затвора – Эти параметры имеют решающее значение для реализации сверхбыстрого переключения и достижения максимальной эффективности. (низкий Eon -Eoff) в широком диапазоне частот переключения приложений
  • Нормально-стабильная работа до 175 ° C – Все SiC MOSFET-транзисторы GeneSiC спроектированы и изготовлены с использованием самых современных процессов для создания стабильной и надежной продукции в любых условиях эксплуатации без риска неисправности.. Превосходное качество оксида затвора этих устройств предотвращает возникновение порога (VTH) дрейф
  • Низкие емкости устройства – G3R ™ разработаны для более быстрого и эффективного управления с их низкими емкостями устройства - Ciss, Косс и Crss
  • Быстрый и надежный корпусный диод с низким внутренним зарядом – Полевые МОП-транзисторы GeneSiC демонстрируют низкий уровень заряда обратного восстановления (QRR) при всех температурах; 30% лучше, чем любое устройство конкурентов с аналогичным рейтингом. Это обеспечивает дальнейшее снижение потерь мощности и увеличивает рабочие частоты.
  • Легкость использования – SiC MOSFET-транзисторы G3R ™ рассчитаны на питание от +15 В. / -5Привод ворот V. Это обеспечивает широчайшую совместимость с существующими коммерческими драйверами затворов IGBT и SiC MOSFET.

Приложения –

  • Электромобиль – Силовая передача и зарядка
  • Солнечный инвертор и накопитель энергии
  • Промышленный моторный привод
  • Бесперебойный источник питания (UPS)
  • Импульсный источник питания (SMPS)
  • Двунаправленные преобразователи постоянного тока в постоянный
  • Умные сети и HVDC
  • Индукционный нагрев и сварка
  • Применение импульсной мощности

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Электроника

Элемент Newark Farnell14

Mouser Electronics

Стрелка Электроника

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

Все SiC-МОП-транзисторы GeneSiC Semiconductor предназначены для автомобильных приложений. (AEC-q101) и с поддержкой PPAP. Все устройства предлагаются в промышленном стандарте D2PAK., Пакеты ТО-247 и СОТ-227.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

SiC МОП-транзисторы GeneSiC 3300 В и 1700 В 1000 мОм революционизируют миниатюризацию вспомогательных источников питания

DULLES, VA, Декабрь 4, 2020 — GeneSiC объявляет о доступности ведущих в отрасли дискретных SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В, оптимизированных для достижения беспрецедентной миниатюризации., надежность и экономия энергии при производстве электроэнергии.

GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик комплексного портфеля карбида кремния (SiC) силовые полупроводники, объявляет о поступлении в продажу нового поколения SiC MOSFET на 3300 В и 1700 В 1000 мОм - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, и G2R1000MT33J. Эти SiC MOSFET обеспечивают превосходный уровень производительности., на основе флагманских деятелей заслуг (FoM) которые улучшают и упрощают системы энергоснабжения в накопителях энергии, Возобновляемая энергия, промышленные двигатели, инверторы общего назначения и промышленное освещение. Выпущенные продукты:

G2R1000MT33J - 3300 В, 1000 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700 В, 1000 мОм TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700 В, 1000 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700 В, 450 мОм TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700 В, 450 мОм TO-263-7 SiC MOSFET

Новые SiC МОП-транзисторы GeneSiC на 3300 В и 1700 В, доступны в вариантах 1000 мОм и 450 мОм в виде дискретных корпусов SMD и сквозных отверстий, оптимизированы для систем энергоснабжения, требующих повышенного уровня эффективности и сверхбыстрой скорости переключения. Эти устройства имеют значительно более высокие уровни производительности по сравнению с конкурирующими продуктами.. Гарантированное качество, поддержанные быстрым оборотом крупносерийного производства, еще больше увеличивают их ценностное предложение.

«В таких приложениях, как солнечные инверторы на 1500 В, МОП-транзистор во вспомогательном источнике питания может выдерживать напряжения в диапазоне 2500 В., в зависимости от входного напряжения, коэффициент трансформации трансформатора и выходное напряжение. Полевые МОП-транзисторы с высоким пробивным напряжением устраняют необходимость в последовательно соединенных переключателях в Flyback, Повышающий и прямой преобразователи, что сокращает количество деталей и упрощает схему. Дискретные SiC-МОП-транзисторы GeneSiC на 3300 В и 1700 В позволяют разработчикам использовать более простую топологию на основе одного переключателя и в то же время предоставлять клиентам надежные, компактная и экономичная система” сказал Сумит Джадав, Старший менеджер по приложениям в GeneSiC Semiconductor.

Характеристики –

  • Превосходный индекс цены и качества
  • Флагманский Qграмм х RDS(НА) добродетель
  • Низкая внутренняя емкость и низкий заряд затвора
  • Низкие потери при любых температурах
  • Высокая устойчивость к лавинам и коротким замыканиям
  • Контрольное пороговое напряжение для стабильной работы при нормальном выключении до 175 ° C

Приложения –

  • Возобновляемая энергия (солнечные инверторы) и хранение энергии
  • Промышленные двигатели (и связь)
  • Инверторы общего назначения
  • Промышленное освещение
  • Пьезо драйверы
  • Генераторы ионных пучков

Все устройства доступны для покупки у официальных дистрибьюторов. – www.genesicsemi.com/sales-support

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

Ведущие в отрасли SiC-МОП-транзисторы на 6,5 кВ от GeneSiC – Авангард новой волны приложений

6.5SiC MOSFET кВ

DULLES, VA, Октябрь 20, 2020 — GeneSiC выпускает полевые МОП-транзисторы из карбида кремния 6,5 кВ, чтобы стать лидером в обеспечении беспрецедентного уровня производительности., эффективность и надежность в приложениях преобразования энергии среднего напряжения, таких как тяга, импульсная энергетика и инфраструктура интеллектуальных сетей.

GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) силовые полупроводники, объявляет о поступлении в продажу голых чипов SiC MOSFET на 6,5 кВ - G2R300MT65-CAL и G2R325MS65-CAL. Полные модули SiC, использующие эту технологию, скоро будут выпущены. Ожидается, что приложения будут включать тягу, импульсная мощность, инфраструктура интеллектуальных сетей и другие преобразователи среднего напряжения.

G2R300MT65-CAL - 6,5 кВ, 300 мОм, G2R ™ SiC MOSFET, чистый чип

G2R325MS65-CAL - SiC MOSFET 6,5 кВ 325 мОм G2R ™ (с интегрированным-Шоттки) Голый чип

G2R100MT65-CAL - Пустой чип SiC MOSFET 6,5 кВ 100 мОм G2R ™

Инновация GeneSiC включает двукратно имплантированный металлооксидный полупроводник SiC. (DMOSFET) Конструкция устройства с переходным барьером Шоттки (JBS) выпрямитель, встроенный в элементарную ячейку SiC DMOSFET. Это передовое силовое устройство может использоваться в различных схемах преобразования энергии в системах преобразования энергии следующего поколения.. Другие важные преимущества включают более эффективную двунаправленную работу., независимое от температуры переключение, низкие потери переключения и проводимости, снижение требований к охлаждению, превосходная долговременная надежность, простота параллельного подключения устройств и экономическая выгода. Технология GeneSiC предлагает превосходные характеристики, а также имеет потенциал для уменьшения чистого следа материала SiC в преобразователях мощности..

“SiC МОП-транзисторы GeneSiC на 6,5 кВ спроектированы и изготовлены на 6-дюймовых пластинах для обеспечения низкого сопротивления в открытом состоянии., высшее качество, и превосходный индекс цены и качества. Эта технология MOSFET нового поколения обещает образцовые характеристики., превосходная прочность и долговременная надежность в системах преобразования энергии среднего напряжения.” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Вице-президент по технологиям в GeneSiC Semiconductor.

Особенности технологии 6,5 кВ G2R ™ SiC MOSFET от GeneSiC –

  • Высокая лавина (СИЮ) и стойкость к короткому замыканию
  • Superior Qграмм х RDS(НА) добродетель
  • Температурно-независимые коммутационные потери
  • Низкие емкости и низкий заряд затвора
  • Низкие потери при любых температурах
  • Нормально-стабильная работа до 175 ° C
  • +20 V / -5 Привод ворот V

Для таблицы и других ресурсов, визит – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip или свяжитесь с sales@genesicsemi.com

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor - пионер и мировой лидер в области технологии карбида кремния., а также инвестировал в мощные кремниевые технологии. Ведущие мировые производители промышленных и оборонных систем полагаются на технологии GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции.. Электронные компоненты GeneSiC охлаждаются., Быстрее, и более экономично, и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре систем большой мощности. У нас есть ведущие патенты на технологии устройств питания с широкой запрещенной зоной.; рынок, который, по прогнозам, достигнет более чем $1 миллиард по 2022. Наша основная компетенция заключается в повышении ценности наших клиентов’ конечный продукт. Наши показатели производительности и стоимости устанавливают стандарты в отрасли производства карбида кремния..

опубликовано

GeneSiC выигрывает престижную премию R&Награда D100 за монолитный транзисторно-выпрямительный переключатель на основе карбида кремния

DULLES, VA, Декабрь 5, 2019 — р&Журнал D выбрал GeneSiC Semiconductor Inc.. Даллеса, VA как лауреат престижной 2019 р&Д 100 Награда за разработку монолитного транзисторно-выпрямительного коммутатора на основе SiC..

GeneSiC Semiconductor Inc., ключевой новатор в силовых устройствах на основе карбида кремния был удостоен чести объявить о том, что он был удостоен престижной награды 2019 р&Д 100 Награда. Эта награда присуждается GeneSiC за внедрение одного из самых значительных, недавно представленные достижения в области исследований и разработок среди нескольких дисциплин во время 2018. р&Журнал D Magazine признал технологию GeneSiC SiC для устройств среднего напряжения за ее способность монолитно интегрировать полевой МОП-транзистор и выпрямитель Шоттки на одном кристалле.. Эти возможности, достигнутые устройством GeneSiC, позволяют исследователям силовой электроники разрабатывать силовые электронные системы нового поколения, такие как инверторы и преобразователи постоянного тока.. Это позволит разрабатывать продукты для электромобилей., зарядная инфраструктура, возобновляемые источники энергии и отрасли хранения энергии. GeneSiC получила заказы от нескольких клиентов на демонстрацию передового оборудования силовой электроники с использованием этих устройств и продолжает развивать свое семейство карбид-кремниевых МОП-транзисторов.. Р&Ранняя версия D для приложений преобразования энергии была разработана Департаментом США.. энергетики и сотрудничество с Sandia National Laboratories.

Ежегодный технологический конкурс, проводимый R&Журнал D оценил работы различных компаний и игроков отрасли., исследовательские организации и университеты по всему миру. В качестве судей выступили редакторы журнала и группа внешних экспертов., оценка каждой записи с точки зрения ее важности для мира науки и исследований.

Согласно Р&Журнал Д, выиграть R&Д 100 Награда представляет собой знак качества, известный в отрасли, правительство, и научное сообщество как доказательство того, что продукт является одной из самых инновационных идей года.. Эта награда признает GeneSiC мировым лидером в создании продуктов на основе технологий, которые меняют то, как мы работаем и живем..

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.