Circuitos e montagens de alta tensão para se beneficiar dos chips SiC que oferecem classificações de tensão sem precedentes e comutação de velocidade ultra-alta
Dulles, Virgínia., Nov 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anunciam a disponibilidade imediata de 8000 Retificadores V SiC PiN; 8000 Retificadores Schottky V SiC, 3300 V SiC Schottky Retificadores e 6500 Tiristores V SiC em formato de matriz nua. Esses produtos exclusivos representam os dispositivos SiC de maior tensão do mercado, e é especificamente voltado para instrumentação de petróleo e gás, circuitos multiplicadores de tensão e montagens de alta tensão.
Os circuitos contemporâneos de ultra-alta tensão sofrem de baixa eficiência de circuito e grandes tamanhos porque as correntes de recuperação reversa dos retificadores de silício descarregam os capacitores conectados em paralelo. Em temperaturas mais altas de junção do retificador, esta situação piora ainda mais, pois a corrente de recuperação reversa nos retificadores de silício aumenta com a temperatura. Com conjuntos de alta tensão com restrições térmicas, as temperaturas da junção aumentam facilmente, mesmo quando correntes modestas são passadas. Os retificadores SiC de alta tensão oferecem características únicas que prometem revolucionar os conjuntos de alta tensão. GeneSiC’s 8000 V e 3300 Os retificadores V Schottky apresentam corrente de recuperação reversa zero que não muda com a temperatura. Esta tensão relativamente alta em um único dispositivo permite uma redução nos estágios de multiplicação de tensão necessários em circuitos geradores de alta tensão típicos, através do uso de tensões de entrada CA mais altas. As características de chaveamento quase ideais permitem a eliminação / redução dramática de redes de balanceamento de tensão e circuitos de amortecimento. 8000 Os retificadores V PiN oferecem níveis de corrente mais altos e temperaturas operacionais mais altas. 6500 Chips V SiC Thyristor também estão disponíveis para acelerar R&D de novos sistemas.
“Esses produtos mostram a forte liderança da GeneSiC no desenvolvimento de chips SiC nas classificações multi-kV. Acreditamos que o 8000 A classificação V vai além do que os dispositivos de silício podem oferecer em temperaturas nominais, e permitirá benefícios significativos para nossos clientes. VF baixo de GeneSiC, Os retificadores e tiristores SiC de baixa capacitância permitirão benefícios no nível do sistema que antes não eram possíveis” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Destaques técnicos
- Tjmax = 210oC
- Correntes de Fuga Reversas < 50 uA em 175oC
- Taxa de Recuperação Reversa 558 nC (típica).
8000 Destaques técnicos do retificador Schottky V/50 mA SiC Bare Die
- Capacitância Total 25 pF (típica, no -1 V, 25oC).
- Coeficiente de temperatura positivo em VF
- Tjmax = 175oC
6500 V SiC Thyristor Bare Die Die Destaques técnicos
- Três ofertas - 80 Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Amperes (GA060TH65-CAU); e 40 Amperes (GA040TH65-CAU)
- Tjmax = 200oC
3300 Destaques técnicos do retificador de matriz nua V/0.3 A SiC
- Queda no estado de 1.7 V em 0.3 UMA
- Coeficiente de temperatura positivo em VF
- Tjmax = 175oC
- Carga capacitiva 52 nC (típica).
Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo velha, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências do governo dos Estados Unidos, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, DTRA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, bem como os principais contratantes do governo. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.
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