DULLES, VA, Outubro 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., um inovador em rápido crescimento de alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos, anunciou que recebeu três concessões separadas para pequenas empresas do Departamento de Energia dos EUA durante o EF07. As concessões SBIR e STTR serão usadas por GeneSiC para demonstrar novos dispositivos SiC de alta tensão para uma variedade de armazenamento de energia, malha energética, aplicações físicas de alta temperatura e alta energia. As aplicações de armazenamento de energia e rede elétrica estão recebendo cada vez mais atenção à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.
“Estamos satisfeitos com o nível de confiança expresso por vários escritórios do Departamento de Energia dos EUA em relação às nossas soluções de dispositivos de alta potência. A injeção deste financiamento em nossos programas de tecnologia avançada de SiC resultará em uma linha de dispositivos de SiC líder da indústria,” comentou o presidente da GeneSiC, Dr. Ranbir Singh. “Os dispositivos que estão sendo desenvolvidos nesses projetos prometem fornecer tecnologia capacitadora crítica para dar suporte a uma rede elétrica mais eficiente, e abrirá a porta para uma nova tecnologia de hardware comercial e militar que não foi realizada devido às limitações das tecnologias contemporâneas baseadas em silício.”
Os três projetos incluem:
- Um novo prêmio SBIR Fase I focado em alta corrente, Dispositivos baseados em tiristores multi-kV voltados para aplicações de armazenamento de energia.
- Um prêmio SBIR de Fase II para o desenvolvimento de dispositivos de energia multi-kV SiC para fontes de alimentação de alta tensão para aplicações de sistema de RF de alta potência concedido pelo DOE Office of Science.
- Um prêmio STTR de Fase I focado em alta tensão opticamente controlada, dispositivos de energia SiC de alta frequência para ambientes ricos em interferência eletromagnética, incluindo sistemas de energia RF de alta potência, e sistemas de armas de energia dirigida.
Junto com os prêmios, GeneSiC transferiu recentemente as operações para um laboratório expandido e prédio de escritórios em Dulles, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, atualizando significativamente seu equipamento, infraestrutura e está em processo de adição de pessoal-chave adicional.
“GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes, apoiando isso com acesso a um amplo conjunto de fabricação, caracterização e instalações de teste,” concluiu Dr. Singh. “Acreditamos que essas capacidades foram efetivamente validadas pelo US DOE com esses novos prêmios.”
Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitando Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.
