Gate Driver Board otimizado para altas velocidades de chaveamento e modelos baseados em comportamento permitem que engenheiros de projetos eletrônicos de energia verifiquem e quantifiquem os benefícios dos SJTs na avaliação de nível de placa e simulação de circuito
DULLES, V.A., Nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) Power semiconductors anuncia hoje a disponibilidade imediata da placa de avaliação Gate Driver e expandiu seu suporte de design para os interruptores de menor perda da indústria - o Transistor de junção SiC (SJT) - com um modelo LTSPICE IV totalmente qualificado. Usando o novo Gate Driver Board, designers de circuitos de conversão de energia podem verificar os benefícios de sub-15 nanossegundos, características de comutação independentes de temperatura dos transistores de junção de SiC, com baixas perdas de potência do driver. Incorporando os novos modelos SPICE, os designers de circuitos podem avaliar facilmente os benefícios que os SJTs do GeneSiC fornecem para atingir um nível mais alto de eficiência do que é possível com dispositivos de comutação de energia de silício convencionais para dispositivos de classificação comparável.
Placa de driver de porta GA03IDDJT30-FR4 aplicável para SJTs de GeneSiC
Os transistores de junção de SiC têm características significativamente diferentes do que outras tecnologias de transistores de SiC, bem como transistores de silício. Placas Gate Driver que podem fornecer baixas perdas de energia, enquanto ainda oferecem altas velocidades de chaveamento, eram necessárias para fornecer soluções de acionamento para utilizar os benefícios dos Transistores de Junção de SiC. GeneSiC totalmente isolado GA03IDDJT30-FR4 A placa do controlador de porta leva em 0 / 12V e um sinal TTL para condicionar de forma ideal as formas de onda de tensão / corrente necessárias para fornecer pequenos tempos de subida / queda, enquanto ainda minimiza o requisito de corrente contínua para manter o SJT normalmente DESLIGADO conduzindo durante o estado ligado. A configuração do pino e os fatores de forma são mantidos semelhantes a outros transistores SiC. GeneSiC também lançou arquivos Gerber e BOMs para o usuário final para permitir que eles incorporem os benefícios das inovações de design de driver realizadas.
SJTs oferecem características de estado e comutação bem comportadas, tornando mais fácil criar modelos SPICE baseados em comportamento que concordam notavelmente bem com os modelos baseados em física subjacentes também. Usando modelos baseados na física bem estabelecidos e compreendidos, Os parâmetros SPICE foram lançados após extensos testes com o comportamento do dispositivo. Os modelos SPICE do GeneSiC são comparados aos dados medidos experimentalmente em todas as planilhas de dados do dispositivo e são aplicáveis a todos 1200 V e 1700 Transistores de junção V SiC lançados.
Os SJTs do GeneSiC são capazes de fornecer frequências de comutação que são mais do que 15 vezes mais do que soluções baseadas em IGBT. Suas frequências de comutação mais altas podem permitir elementos magnéticos e capacitivos menores, diminuindo assim o tamanho geral, peso e custo dos sistemas eletrônicos de potência.
Este modelo SPICE de transistor de junção de SiC adiciona ao conjunto abrangente de ferramentas de suporte de design do GeneSiC, documentação técnica, e informações de confiabilidade para fornecer aos engenheiros de eletrônica de potência os recursos de projeto necessários para implementar a família abrangente de transistores e retificadores de junção de SiC da GeneSiC na próxima geração de sistemas de potência.
As fichas técnicas do Gate Driver Board da GeneSiC e os modelos SJT SPICE podem ser baixados de https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
