Categoria: Comunicados de imprensa

O segundo, CA., 15 de agosto, 2022 - Semicondutor de energia (Nasdaq: NVTS), o líder da indústria em nitreto de gálio (GaN) CIs de alimentação, anunciou hoje a aquisição da GeneSiC Semiconductor, carboneto de silício (SiC) pioneiro com profunda experiência em design e processo de dispositivos de energia SiC. A transação é imediatamente benéfica para a Navitas, pois o GeneSiC é altamente lucrativo, Com mais de 25% margens EBITDA. Calendário 2022 As receitas são estimadas em aproximadamente $25 milhões com taxas de crescimento anuais comprovadas de mais de 60%. A empresa combinada cria um abrangente, portfólio de tecnologia líder do setor em semicondutores de potência de próxima geração - GaN e SiC - com uma oportunidade de mercado agregada estimada em mais de $20 bilhões por ano por 2026.

“A GeneSiC é um parceiro ideal para a Navitas com seu foco e sucesso no desenvolvimento da tecnologia SiC líder do setor,” disse Gene Sheridan, CEO e co-fundador da Navitas. “Navitas tem investimentos significativos em vendas globais, operações e equipes de suporte técnico, juntamente com centros de design de sistemas em EV e data centers. Esses recursos são um complemento perfeito para o GeneSiC e irão acelerar ainda mais seu crescimento em clientes e mercados sinérgicos e novos.. Hoje, demos um passo importante na missão de nossa empresa de 'Eletrificar Nosso Mundo™' e impulsionar a transição de nosso planeta de combustíveis fósseis para fontes limpas, eficiente, energia elétrica."

“Protegido por patente da GeneSiC, tecnologia avançada e inovadora, equipe experiente são fatores críticos no crescimento de nossa empresa. Nossos SiC MOSFETs oferecem o mais alto desempenho do setor, confiabilidade, e robustez – parâmetros críticos para a adoção generalizada de veículos elétricos e infraestrutura associada,” disse o presidente da GeneSiC, Dr.. Ranbir Singh. “Com quase 20 anos de R de ponta&D, plataformas comprovadas, sobre 500 clientes diversos, e crescente receita e lucratividade, podemos aproveitar a experiência de produção em massa e a estratégia de entrada no mercado da Navitas para acelerar as receitas do SiC. Estamos muito entusiasmados com esta nova parceria.”

Dr. Singh junta-se à Navitas como vice-presidente executivo para os negócios GeneSiC e a Navitas espera manter todos os membros da equipe GeneSiC.

Em semicondutores de potência, tanto GaN quanto SiC são materiais superiores ao silício herdado, permitindo velocidades mais altas, maior economia de energia, carregamento mais rápido, e tamanho significativamente reduzido, peso, e custo. Junto, esses complementares, os materiais de última geração atendem a uma ampla gama de aplicações, desde carregadores de smartphones de 20 W, para carregadores EV de 20kW, a sistemas de infraestrutura de rede de 20MW e tudo mais. Com mais 500 clientes, a aquisição da GeneSiC oferece mercados e clientes diversificados e sinérgicos, e acelera a receita da Navitas em estratégias, aplicações de maior potência:

• Veículo elétrico: Os ICs Navitas GaN são otimizados para sistemas EV de 400V, e a tecnologia GeneSiC é ideal para sistemas EV de 800V, com receita existente e clientes de desenvolvimento que incluem BYD - o #1 fornecedor de VE, Land Rover, Mercedes AMG, Geely, brilhante, LG Magna, Saab, e Inovação, junto com dezenas de outros.
• Solar & Armazenamento de energia: Navitas GaN ICs atendem energia solar residencial, enquanto GeneSiC tem receita imediata em maior poder, clientes comerciais de armazenamento solar e de energia, incluindo APS, Energia Avançada, chint, sol, Growatt, CATL, Exide e muitos outros.
• Mercados industriais mais amplos: Os produtos de alta tensão GeneSiC trazem receita imediata em uma ampla gama de mercados industriais adicionais, que incluem ferroviário, UPS, vento, rede elétrica, motores industriais, e imagens médicas.

Detalhes da transação

Espera-se que a aquisição da GeneSiC seja imediatamente um acréscimo ao lucro por ação da Navitas. A consideração total consistiu em aproximadamente $100 milhões em dinheiro, 24.9 milhões de ações da Navitas e possíveis pagamentos de até $25 milhões condicionados ao cumprimento de metas substanciais de receita para o negócio GeneSiC nos quatro trimestres fiscais encerrados em setembro 30, 2023. Mais informações sobre GeneSiC estão disponíveis em ir.navitassemi.com.

Conselheiros

A Jefferies LLC atuou como consultora financeira da Navitas e o Bank of America atuou como consultora financeira da GeneSiC. Grupo Jurídico TCF, A PLLC atuou como consultora jurídica da Navitas e da Gibson, Dunn & Crutcher LLP atuou como consultora jurídica da GeneSiC.

Informações sobre teleconferência e webcast

A aquisição da GeneSiC será discutida como parte do Navitas Q2 2022 chamada de ganhos:

Quando: Segunda-feira, agosto 15^º, 2022

Tempo: 2:00 PM. Pacífico / 5:00 PM. Oriental

Discagem Gratuita: (800) 715-9871 ou (646) 307-1963

ID da conferência: 6867001

Webcast ao vivo: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Repetir: Uma reprise da teleconferência estará disponível na seção de Relações com Investidores do site da Empresa em https://ir.navitassemi.com/.

Declaração de advertência sobre declarações prospectivas

Este comunicado à imprensa inclui “declarações prospectivas” de acordo com o significado da Seção 21E do Securities Exchange Act de 1934, conforme alterado. As declarações prospectivas podem ser identificadas pelo uso de palavras como "esperamos" ou "espera-se que sejam," "estimativa," "plano," "projeto," "previsão," "pretende,” “antecipar," "acreditar," "procurar,” ou outras expressões semelhantes que preveem ou indicam eventos ou tendências futuras ou que não são declarações de assuntos históricos. Essas declarações prospectivas incluem, mas não se limitam a, declarações sobre estimativas e previsões de outras métricas financeiras e de desempenho e projeções de oportunidade de mercado e participação de mercado. Essas declarações são baseadas em várias suposições, identificados ou não neste comunicado de imprensa. Essas declarações também são baseadas nas expectativas atuais da administração da Navitas e não são previsões do desempenho real. Tais declarações prospectivas são fornecidas apenas para fins ilustrativos e não se destinam a servir como, e não deve ser invocado por qualquer investidor como, uma garantia, uma garantia, uma previsão ou uma declaração definitiva de fato ou probabilidade. Eventos e circunstâncias reais são difíceis ou impossíveis de prever e serão diferentes das suposições e expectativas. Muitos eventos e circunstâncias reais que afetam o desempenho estão além do controle da Navitas. As declarações prospectivas estão sujeitas a uma série de riscos e incertezas, incluindo a possibilidade de que o crescimento esperado dos negócios da Navitas e da GeneSiC não se concretize, ou não será realizado dentro dos prazos esperados, devido a, entre outras coisas, a falha em integrar com sucesso o GeneSiC aos sistemas operacionais e de negócios da Navitas; o efeito da aquisição nos relacionamentos com clientes e fornecedores ou a falha em reter e expandir esses relacionamentos; o sucesso ou fracasso de outros esforços de desenvolvimento de negócios; Situação financeira e resultados das operações da Navitas; A capacidade da Navitas de prever com precisão as receitas futuras com a finalidade de orçar e ajustar adequadamente as despesas da Navitas; A capacidade da Navitas de diversificar sua base de clientes e desenvolver relacionamentos em novos mercados; A capacidade da Navitas de escalar sua tecnologia para novos mercados e aplicações; os efeitos da concorrência nos negócios da Navitas, incluindo ações de concorrentes com presença e recursos estabelecidos em mercados que esperamos penetrar, incluindo mercados de carboneto de silício; o nível de demanda nos mercados finais dos clientes da Navitas e da GeneSiC, tanto em geral quanto em relação a sucessivas gerações de produtos ou tecnologia; A capacidade da Navitas de atrair, treinar e reter pessoal qualificado chave; mudanças nas políticas comerciais do governo, incluindo a imposição de tarifas; o impacto da pandemia de COVID-19 nos negócios da Navitas, resultados das operações e situação financeira; o impacto da pandemia de COVID-19 na economia global, incluindo, entre outros, a cadeia de suprimentos da Navitas e as cadeias de suprimentos de clientes e fornecedores; desenvolvimentos regulatórios nos Estados Unidos e em outros países; e a capacidade da Navitas de proteger seus direitos de propriedade intelectual. Esses e outros fatores de risco são discutidos no Seção de Fatores de Risco começando em p. 11 nosso relatório anual no Formulário 10-K para o ano encerrado em dezembro 31, 2021, que arquivamos na Comissão de Valores Mobiliários (o segundo") Em março 31, 2022 e conforme posteriormente alterado, e em outros documentos que arquivamos na SEC, incluindo nossos relatórios trimestrais no Formulário 10-Q. Se algum desses riscos se materializar ou nossas suposições se mostrarem incorretas, os resultados reais podem diferir materialmente dos resultados implícitos nessas declarações prospectivas. Pode haver riscos adicionais dos quais a Navitas não esteja ciente ou que a Navitas atualmente acredita serem imateriais, que também podem fazer com que os resultados reais difiram materialmente daqueles contidos nas declarações prospectivas. Além disso, declarações prospectivas refletem as expectativas da Navitas, planos ou previsões de eventos futuros e pontos de vista na data deste comunicado à imprensa. A Navitas antecipa que eventos e desenvolvimentos subsequentes farão com que as avaliações da Navitas mudem. Contudo, enquanto a Navitas pode optar por atualizar essas declarações prospectivas em algum momento no futuro, A Navitas especificamente se isenta de qualquer obrigação de fazê-lo. Essas declarações prospectivas não devem ser consideradas como representando as avaliações da Navitas em qualquer data posterior à data deste comunicado à imprensa.

Sobre a Navitas

Energia Semicondutora (Nasdaq: NVTS) é líder na indústria de nitreto de gálio (GaN) CIs de alimentação, fundado em 2014. Os ICs de energia GaNFast™ integram a energia GaN com o drive, ao controle, detecção e proteção para permitir um carregamento mais rápido, maior densidade de potência e maior economia de energia para dispositivos móveis, consumidor, Centro de dados, Mercados EV e solar. Sobre 165 As patentes da Navitas são emitidas ou pendentes. Sobre 50 milhões de unidades foram enviadas com zero falhas de campo GaN relatadas, e a Navitas apresentou a primeira e única garantia de 20 anos do setor. A Navitas é a primeira empresa de semicondutores do mundo a ser CarbonNeutral®-certificado.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em carboneto de silício (SiC) tecnologia. Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado projetado para atingir mais de $5 bilhões por 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo estabelecendo novos padrões na indústria de carboneto de silício.

Informações de Contato

meios de comunicação

Graham Robertson, CMO Grandes Pontes

Graham@GrandBridges.com

investidores

Stephen Oliver, vice-presidente de marketing corporativo & Relações com Investidores

ir@navitassemi.com

Energia Semicondutora, GaNFast, GaNSense e o logotipo Navitas são marcas comerciais ou marcas registradas da Navitas Semiconductor Limited. Todas as outras marcas, nomes e marcas de produtos são ou podem ser marcas comerciais ou marcas registradas usadas para identificar produtos ou serviços de seus respectivos proprietários.

Entrevistas de projeto de sistema de energia GeneSiC

Nuremberg, Alemanha maio 12, 2016 — O presidente da GeneSiC Semiconductor foi entrevistado por Alix Paultre, da Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) no show PCIM em Nuremberg, Alemanha.

Combinação de transistor-diodo SiC co-embalado em um robusto, isolado, 4-Com chumbo, embalagem de mini-módulo reduz as perdas de energia ao ligar e permite projetos de circuitos flexíveis para conversores de energia de alta frequência

DULLES, VA, Posso 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anuncia hoje a disponibilidade imediata de 20 mOhm-1200 V SiC transistor-diodos de junção em um isolado, 4-Embalagem de mini-módulo com chumbo que permite perdas de energia extremamente baixas, oferecendo flexibilidade, projetos modulares em conversores de potência de alta frequência. O uso de alta frequência, Transistores e retificadores de SiC com capacidade de alta tensão e baixa resistência reduzirão o tamanho/peso/volume de aplicações eletrônicas que exigem maior manuseio de energia em altas frequências de operação. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicações, incluindo aquecedores por indução, geradores de plasma, carregadores rápidos, Conversores DC-DC, e fontes de alimentação comutadas.

1200 Retificador de junção de carboneto de silício V/20 mOhm - empacotado em um pacote SOT-227 isolado, fornecendo recursos separados de fonte de porta e coletor

Transistores de junção SiC co-embalados (SJT)-Os retificadores de SiC oferecidos pela GeneSiC são aplicáveis ​​exclusivamente a aplicações de comutação indutiva porque os SJTs são os únicos switches de banda larga que oferecem >10 capacidade de curto-circuito repetitivo microsec, Mesmo em 80% das tensões nominais (por exemplo. 960 V para um 1200 dispositivo V). Além dos tempos de subida/descida abaixo de 10 ns e uma área de operação segura com polarização reversa quadrada (RBSOA), o terminal Gate Return na nova configuração melhora significativamente a capacidade de reduzir as energias de comutação. Esta nova classe de produtos oferece perdas de energia transitórias e tempos de comutação independentes da temperatura da junção. Os transistores de junção SiC da GeneSiC são livres de óxido de porta, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, e são capazes de serem acionados em baixas tensões de Gate, ao contrário de outros switches SiC.
Os retificadores SiC Schottky usados ​​nesses minimódulos mostram baixas quedas de tensão no estado ligado, boas classificações de corrente de surto e as correntes de fuga mais baixas do setor em temperaturas elevadas. Com temperatura independente, características de comutação de recuperação reversa quase zero, Os retificadores SiC Schottky são candidatos ideais para uso em circuitos de alta eficiência.
“Os produtos de transistor e retificador SiC da GeneSiC são projetados e fabricados para obter baixas perdas de estado e comutação. Uma combinação dessas tecnologias em um pacote inovador promete desempenho exemplar em circuitos de energia que exigem dispositivos baseados em banda larga. A embalagem do minimódulo oferece grande flexibilidade de design para uso em uma variedade de circuitos de energia como H-Bridge, Flyback e inversores multinível” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
O produto lançado hoje inclui
20 mOhm/1200 V SiC Junção Transistor/Retificador Co-pack (GA50SICP12-227):
• Pacote SOT-227/mini-bloco/Isotop isolado
• Ganho de corrente do transistor (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitado pela embalagem)
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <10 nanossegundos típicos.

Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão/corrente total. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis no GeneSiC's Distribuidores Autorizados.

Para maiores informações, por favor visite: https://192.168.88.14/comercial-sic/sic-modules-copack/

Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como módulos de diodo de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo de fundo de poço, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Temperatura alta (>210^oC) Transistores de junção e retificadores em pacotes de lata de metal de fator de forma pequeno oferecem benefícios de desempenho revolucionários para uma variedade de aplicações, incluindo amplificação, circuitos de baixo ruído e controles de atuador de fundo de poço

DULLES, VA, Março 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anuncia hoje a disponibilidade imediata de uma linha de compactos, Transistores de junção de SiC de alta temperatura, bem como uma linha de retificadores em pacotes de latas de metal TO-46. Esses componentes discretos são projetados e fabricados para operar em temperaturas ambientes superiores a 215^oC. O uso de alta temperatura, Transistores e retificadores de SiC com capacidade para alta tensão e baixa resistência reduzirão o tamanho / peso / volume das aplicações eletrônicas que requerem maior manuseio de energia em temperaturas elevadas. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicações, incluindo uma grande variedade de circuitos de fundo de poço, instrumentação geotérmica, atuação solenóide, amplificação de propósito geral, e fontes de alimentação comutadas.

Transistores de junção SiC de alta temperatura (SJT) oferecido por GeneSiC exibem tempos de subida / descida sub-10 nsec, permitindo >10 Comutação de MHz, bem como uma área de operação segura com polarização reversa quadrada (RBSOA). As perdas de energia transitórias e os tempos de comutação são independentes da temperatura da junção. DULLES, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, e são capazes de ser dirigidos por 0/+5 Drivers de portão V TTL, ao contrário de outros switches SiC. As vantagens exclusivas do SJT em comparação com outras chaves SiC é sua maior confiabilidade de longo prazo, >20 capacidade de curto-circuito usec, e capacidade de avalanche superior. Esses dispositivos podem ser usados ​​como amplificadores eficientes, pois prometem uma linearidade muito maior do que qualquer outro switch SiC.

Os retificadores Schottky de alta temperatura SiC oferecidos pela GeneSiC mostram baixas quedas de tensão no estado, e as correntes de fuga mais baixas da indústria em temperaturas elevadas. Com temperatura independente, características de comutação de recuperação reversa quase zero, Os retificadores SiC Schottky são candidatos ideais para uso em alta eficiência, circuitos de alta temperatura. Os pacotes de latas de metal TO-46, bem como os processos de embalagem associados usados ​​para criar esses produtos, permitem o uso de longo prazo onde a alta confiabilidade é crítica.

“Os produtos de transistor e retificador da GeneSiC são projetados e fabricados a partir do solo para permitir a operação em alta temperatura. Esses SJTs compactos TO-46 oferecem altos ganhos de corrente (>110), 0/+5 Controle V TTL, e desempenho robusto. Esses dispositivos oferecem baixas perdas de condução e alta linearidade. Nós projetamos nossa linha “SHT” de retificadores, para oferecer correntes de fuga baixas em altas temperaturas. Esses produtos embalados em latas de metal aumentam nosso TO-257 e produtos SMD de metal lançados no ano passado para oferecer um fator de forma pequeno, soluções resistentes à vibração” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Os produtos lançados hoje incluem:

240 Transistores de junção mOhm SiC:

• 300 Tensão de bloqueio V. Número da peça GA05JT03-46
• 100 Tensão de bloqueio V. Número da peça GA05JT01-46
• Ganho Atual (h_FE) >110
• T_jmax = 210^oC
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <10 nanossegundos típicos.

Até 4 Diodos Schottky de alta temperatura ampere:

• 600 Tensão de bloqueio V. Número da peça GB02SHT06-46
• 300 Tensão de bloqueio V. Número da peça GB02SHT03-46
• 100 Tensão de bloqueio V. Número da peça GB02SHT01-46
• Carga capacitiva total 9 nC
• T_jmax = 210^oC.

Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão / corrente total e alojado em pacotes TO-46 de lata de metal. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis nos Distribuidores Autorizados GeneSiC.

Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como módulos de diodo de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo de fundo de poço, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Para maiores informações, por favor visite https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; e https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Gate Driver Board otimizado para altas velocidades de chaveamento e modelos baseados em comportamento permitem que engenheiros de projetos eletrônicos de energia verifiquem e quantifiquem os benefícios dos SJTs na avaliação de nível de placa e simulação de circuito

DULLES, V.A., Nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) Power semiconductors anuncia hoje a disponibilidade imediata da placa de avaliação Gate Driver e expandiu seu suporte de design para os interruptores de menor perda da indústria - o Transistor de junção SiC (SJT) - com um modelo LTSPICE IV totalmente qualificado. Usando o novo Gate Driver Board, designers de circuitos de conversão de energia podem verificar os benefícios de sub-15 nanossegundos, características de comutação independentes de temperatura dos transistores de junção de SiC, com baixas perdas de potência do driver. Incorporando os novos modelos SPICE, os designers de circuitos podem avaliar facilmente os benefícios que os SJTs do GeneSiC fornecem para atingir um nível mais alto de eficiência do que é possível com dispositivos de comutação de energia de silício convencionais para dispositivos de classificação comparável.

Placa de driver de porta GA03IDDJT30-FR4 aplicável para SJTs de GeneSiC

Os transistores de junção de SiC têm características significativamente diferentes do que outras tecnologias de transistores de SiC, bem como transistores de silício. Placas Gate Driver que podem fornecer baixas perdas de energia, enquanto ainda oferecem altas velocidades de chaveamento, eram necessárias para fornecer soluções de acionamento para utilizar os benefícios dos Transistores de Junção de SiC. GeneSiC totalmente isolado GA03IDDJT30-FR4 A placa do controlador de porta leva em 0 / 12V e um sinal TTL para condicionar de forma ideal as formas de onda de tensão / corrente necessárias para fornecer pequenos tempos de subida / queda, enquanto ainda minimiza o requisito de corrente contínua para manter o SJT normalmente DESLIGADO conduzindo durante o estado ligado. A configuração do pino e os fatores de forma são mantidos semelhantes a outros transistores SiC. GeneSiC também lançou arquivos Gerber e BOMs para o usuário final para permitir que eles incorporem os benefícios das inovações de design de driver realizadas.

SJTs oferecem características de estado e comutação bem comportadas, tornando mais fácil criar modelos SPICE baseados em comportamento que concordam notavelmente bem com os modelos baseados em física subjacentes também. Usando modelos baseados na física bem estabelecidos e compreendidos, Os parâmetros SPICE foram lançados após extensos testes com o comportamento do dispositivo. Os modelos SPICE do GeneSiC são comparados aos dados medidos experimentalmente em todas as planilhas de dados do dispositivo e são aplicáveis ​​a todos 1200 V e 1700 Transistores de junção V SiC lançados.
Os SJTs do GeneSiC são capazes de fornecer frequências de comutação que são mais do que 15 vezes mais do que soluções baseadas em IGBT. Suas frequências de comutação mais altas podem permitir elementos magnéticos e capacitivos menores, diminuindo assim o tamanho geral, peso e custo dos sistemas eletrônicos de potência.

Este modelo SPICE de transistor de junção de SiC adiciona ao conjunto abrangente de ferramentas de suporte de design do GeneSiC, documentação técnica, e informações de confiabilidade para fornecer aos engenheiros de eletrônica de potência os recursos de projeto necessários para implementar a família abrangente de transistores e retificadores de junção de SiC da GeneSiC na próxima geração de sistemas de potência.

As fichas técnicas do Gate Driver Board da GeneSiC e os modelos SJT SPICE podem ser baixados de https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/