Combinação de transistor-diodo SiC co-embalado em um robusto, isolado, 4-Com chumbo, embalagem de mini-módulo reduz as perdas de energia ao ligar e permite projetos de circuitos flexíveis para conversores de energia de alta frequência
DULLES, VA, Posso 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anuncia hoje a disponibilidade imediata de 20 mOhm-1200 V SiC transistor-diodos de junção em um isolado, 4-Embalagem de mini-módulo com chumbo que permite perdas de energia extremamente baixas, oferecendo flexibilidade, projetos modulares em conversores de potência de alta frequência. O uso de alta frequência, Transistores e retificadores de SiC com capacidade de alta tensão e baixa resistência reduzirão o tamanho/peso/volume de aplicações eletrônicas que exigem maior manuseio de energia em altas frequências de operação. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicações, incluindo aquecedores por indução, geradores de plasma, carregadores rápidos, Conversores DC-DC, e fontes de alimentação comutadas.
1200 Retificador de junção de carboneto de silício V/20 mOhm - empacotado em um pacote SOT-227 isolado, fornecendo recursos separados de fonte de porta e coletor
Transistores de junção SiC co-embalados (SJT)-Os retificadores de SiC oferecidos pela GeneSiC são aplicáveis exclusivamente a aplicações de comutação indutiva porque os SJTs são os únicos switches de banda larga que oferecem >10 capacidade de curto-circuito repetitivo microsec, Mesmo em 80% das tensões nominais (por exemplo. 960 V para um 1200 dispositivo V). Além dos tempos de subida/descida abaixo de 10 ns e uma área de operação segura com polarização reversa quadrada (RBSOA), o terminal Gate Return na nova configuração melhora significativamente a capacidade de reduzir as energias de comutação. Esta nova classe de produtos oferece perdas de energia transitórias e tempos de comutação independentes da temperatura da junção. Os transistores de junção SiC da GeneSiC são livres de óxido de porta, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, e são capazes de serem acionados em baixas tensões de Gate, ao contrário de outros switches SiC.
Os retificadores SiC Schottky usados nesses minimódulos mostram baixas quedas de tensão no estado ligado, boas classificações de corrente de surto e as correntes de fuga mais baixas do setor em temperaturas elevadas. Com temperatura independente, características de comutação de recuperação reversa quase zero, Os retificadores SiC Schottky são candidatos ideais para uso em circuitos de alta eficiência.
“Os produtos de transistor e retificador SiC da GeneSiC são projetados e fabricados para obter baixas perdas de estado e comutação. Uma combinação dessas tecnologias em um pacote inovador promete desempenho exemplar em circuitos de energia que exigem dispositivos baseados em banda larga. A embalagem do minimódulo oferece grande flexibilidade de design para uso em uma variedade de circuitos de energia como H-Bridge, Flyback e inversores multinível” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
O produto lançado hoje inclui
20 mOhm/1200 V SiC Junção Transistor/Retificador Co-pack (GA50SICP12-227):
• Pacote SOT-227/mini-bloco/Isotop isolado
• Ganho de corrente do transistor (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitado pela embalagem)
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <10 nanossegundos típicos.
Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão/corrente total. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis no GeneSiC's Distribuidores Autorizados.
Para maiores informações, por favor visite: https://192.168.88.14/comercial-sic/sic-modules-copack/
Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como módulos de diodo de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo de fundo de poço, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.
