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Energia Semicondutora, Líder do setor em CIs de alimentação de nitreto de gálio, Anuncia Aquisição da GeneSiC Semiconductor, Pioneiro de Carboneto de Silício

 

O segundo, CA., 15 de agosto, 2022 - Semicondutor de energia (Nasdaq: NVTS), o líder da indústria em nitreto de gálio (GaN) CIs de alimentação, anunciou hoje a aquisição da GeneSiC Semiconductor, carboneto de silício (SiC) pioneiro com profunda experiência em design e processo de dispositivos de energia SiC. A transação é imediatamente benéfica para a Navitas, pois o GeneSiC é altamente lucrativo, Com mais de 25% margens EBITDA. Calendário 2022 As receitas são estimadas em aproximadamente $25 milhões com taxas de crescimento anuais comprovadas de mais de 60%. A empresa combinada cria um abrangente, portfólio de tecnologia líder do setor em semicondutores de potência de próxima geração - GaN e SiC - com uma oportunidade de mercado agregada estimada em mais de $20 bilhões por ano por 2026.

“A GeneSiC é um parceiro ideal para a Navitas com seu foco e sucesso no desenvolvimento da tecnologia SiC líder do setor,” disse Gene Sheridan, CEO e co-fundador da Navitas. “Navitas tem investimentos significativos em vendas globais, operações e equipes de suporte técnico, juntamente com centros de design de sistemas em EV e data centers. Esses recursos são um complemento perfeito para o GeneSiC e irão acelerar ainda mais seu crescimento em clientes e mercados sinérgicos e novos.. Hoje, demos um passo importante na missão de nossa empresa de 'Eletrificar Nosso Mundo™' e impulsionar a transição de nosso planeta de combustíveis fósseis para fontes limpas, eficiente, energia elétrica."

“Protegido por patente da GeneSiC, tecnologia avançada e inovadora, equipe experiente são fatores críticos no crescimento de nossa empresa. Nossos SiC MOSFETs oferecem o mais alto desempenho do setor, confiabilidade, e robustez – parâmetros críticos para a adoção generalizada de veículos elétricos e infraestrutura associada,” disse o presidente da GeneSiC, Dr.. Ranbir Singh. “Com quase 20 anos de R de ponta&D, plataformas comprovadas, sobre 500 clientes diversos, e crescente receita e lucratividade, podemos aproveitar a experiência de produção em massa e a estratégia de entrada no mercado da Navitas para acelerar as receitas do SiC. Estamos muito entusiasmados com esta nova parceria.”

Dr. Singh junta-se à Navitas como vice-presidente executivo para os negócios GeneSiC e a Navitas espera manter todos os membros da equipe GeneSiC.

Em semicondutores de potência, tanto GaN quanto SiC são materiais superiores ao silício herdado, permitindo velocidades mais altas, maior economia de energia, carregamento mais rápido, e tamanho significativamente reduzido, peso, e custo. Junto, esses complementares, os materiais de última geração atendem a uma ampla gama de aplicações, desde carregadores de smartphones de 20 W, para carregadores EV de 20kW, a sistemas de infraestrutura de rede de 20MW e tudo mais. Com mais 500 clientes, a aquisição da GeneSiC oferece mercados e clientes diversificados e sinérgicos, e acelera a receita da Navitas em estratégias, aplicações de maior potência:

  • Veículo elétrico: Os ICs Navitas GaN são otimizados para sistemas EV de 400V, e a tecnologia GeneSiC é ideal para sistemas EV de 800V, com receita existente e clientes de desenvolvimento que incluem BYD - o #1 fornecedor de VE, Land Rover, Mercedes AMG, Geely, brilhante, LG Magna, Saab, e Inovação, junto com dezenas de outros.
  • Solar & Armazenamento de energia: Navitas GaN ICs atendem energia solar residencial, enquanto GeneSiC tem receita imediata em maior poder, clientes comerciais de armazenamento solar e de energia, incluindo APS, Energia Avançada, chint, sol, Growatt, CATL, Exide e muitos outros.
  • Mercados industriais mais amplos: Os produtos de alta tensão GeneSiC trazem receita imediata em uma ampla gama de mercados industriais adicionais, que incluem ferroviário, UPS, vento, rede elétrica, motores industriais, e imagens médicas.

Detalhes da transação

Espera-se que a aquisição da GeneSiC seja imediatamente um acréscimo ao lucro por ação da Navitas. A consideração total consistiu em aproximadamente $100 milhões em dinheiro, 24.9 milhões de ações da Navitas e possíveis pagamentos de até $25 milhões condicionados ao cumprimento de metas substanciais de receita para o negócio GeneSiC nos quatro trimestres fiscais encerrados em setembro 30, 2023. Mais informações sobre GeneSiC estão disponíveis em ir.navitassemi.com.

Conselheiros

A Jefferies LLC atuou como consultora financeira da Navitas e o Bank of America atuou como consultora financeira da GeneSiC. Grupo Jurídico TCF, A PLLC atuou como consultora jurídica da Navitas e da Gibson, Dunn & Crutcher LLP atuou como consultora jurídica da GeneSiC.

Informações sobre teleconferência e webcast

A aquisição da GeneSiC será discutida como parte do Navitas Q2 2022 chamada de ganhos:

Quando: Segunda-feira, agosto 15º, 2022

Tempo: 2:00 PM. Pacífico / 5:00 PM. Oriental

Discagem Gratuita: (800) 715-9871 ou (646) 307-1963

ID da conferência: 6867001

Webcast ao vivo: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Repetir: Uma reprise da teleconferência estará disponível na seção de Relações com Investidores do site da Empresa em https://ir.navitassemi.com/.

Declaração de advertência sobre declarações prospectivas

Este comunicado à imprensa inclui “declarações prospectivas” de acordo com o significado da Seção 21E do Securities Exchange Act de 1934, conforme alterado. As declarações prospectivas podem ser identificadas pelo uso de palavras como "esperamos" ou "espera-se que sejam," "estimativa," "plano," "projeto," "previsão," "pretende,” “antecipar," "acreditar," "procurar,” ou outras expressões semelhantes que preveem ou indicam eventos ou tendências futuras ou que não são declarações de assuntos históricos. Essas declarações prospectivas incluem, mas não se limitam a, declarações sobre estimativas e previsões de outras métricas financeiras e de desempenho e projeções de oportunidade de mercado e participação de mercado. Essas declarações são baseadas em várias suposições, identificados ou não neste comunicado de imprensa. Essas declarações também são baseadas nas expectativas atuais da administração da Navitas e não são previsões do desempenho real. Tais declarações prospectivas são fornecidas apenas para fins ilustrativos e não se destinam a servir como, e não deve ser invocado por qualquer investidor como, uma garantia, uma garantia, uma previsão ou uma declaração definitiva de fato ou probabilidade. Eventos e circunstâncias reais são difíceis ou impossíveis de prever e serão diferentes das suposições e expectativas. Muitos eventos e circunstâncias reais que afetam o desempenho estão além do controle da Navitas. As declarações prospectivas estão sujeitas a uma série de riscos e incertezas, incluindo a possibilidade de que o crescimento esperado dos negócios da Navitas e da GeneSiC não se concretize, ou não será realizado dentro dos prazos esperados, devido a, entre outras coisas, a falha em integrar com sucesso o GeneSiC aos sistemas operacionais e de negócios da Navitas; o efeito da aquisição nos relacionamentos com clientes e fornecedores ou a falha em reter e expandir esses relacionamentos; o sucesso ou fracasso de outros esforços de desenvolvimento de negócios; Situação financeira e resultados das operações da Navitas; A capacidade da Navitas de prever com precisão as receitas futuras com a finalidade de orçar e ajustar adequadamente as despesas da Navitas; A capacidade da Navitas de diversificar sua base de clientes e desenvolver relacionamentos em novos mercados; A capacidade da Navitas de escalar sua tecnologia para novos mercados e aplicações; os efeitos da concorrência nos negócios da Navitas, incluindo ações de concorrentes com presença e recursos estabelecidos em mercados que esperamos penetrar, incluindo mercados de carboneto de silício; o nível de demanda nos mercados finais dos clientes da Navitas e da GeneSiC, tanto em geral quanto em relação a sucessivas gerações de produtos ou tecnologia; A capacidade da Navitas de atrair, treinar e reter pessoal qualificado chave; mudanças nas políticas comerciais do governo, incluindo a imposição de tarifas; o impacto da pandemia de COVID-19 nos negócios da Navitas, resultados das operações e situação financeira; o impacto da pandemia de COVID-19 na economia global, incluindo, entre outros, a cadeia de suprimentos da Navitas e as cadeias de suprimentos de clientes e fornecedores; desenvolvimentos regulatórios nos Estados Unidos e em outros países; e a capacidade da Navitas de proteger seus direitos de propriedade intelectual. Esses e outros fatores de risco são discutidos no Seção de Fatores de Risco começando em p. 11 nosso relatório anual no Formulário 10-K para o ano encerrado em dezembro 31, 2021, que arquivamos na Comissão de Valores Mobiliários (o segundo") Em março 31, 2022 e conforme posteriormente alterado, e em outros documentos que arquivamos na SEC, incluindo nossos relatórios trimestrais no Formulário 10-Q. Se algum desses riscos se materializar ou nossas suposições se mostrarem incorretas, os resultados reais podem diferir materialmente dos resultados implícitos nessas declarações prospectivas. Pode haver riscos adicionais dos quais a Navitas não esteja ciente ou que a Navitas atualmente acredita serem imateriais, que também podem fazer com que os resultados reais difiram materialmente daqueles contidos nas declarações prospectivas. Além disso, declarações prospectivas refletem as expectativas da Navitas, planos ou previsões de eventos futuros e pontos de vista na data deste comunicado à imprensa. A Navitas antecipa que eventos e desenvolvimentos subsequentes farão com que as avaliações da Navitas mudem. Contudo, enquanto a Navitas pode optar por atualizar essas declarações prospectivas em algum momento no futuro, A Navitas especificamente se isenta de qualquer obrigação de fazê-lo. Essas declarações prospectivas não devem ser consideradas como representando as avaliações da Navitas em qualquer data posterior à data deste comunicado à imprensa.

Sobre a Navitas

Energia Semicondutora (Nasdaq: NVTS) é líder na indústria de nitreto de gálio (GaN) CIs de alimentação, fundado em 2014. Os ICs de energia GaNFast™ integram a energia GaN com o drive, ao controle, detecção e proteção para permitir um carregamento mais rápido, maior densidade de potência e maior economia de energia para dispositivos móveis, consumidor, Centro de dados, Mercados EV e solar. Sobre 165 As patentes da Navitas são emitidas ou pendentes. Sobre 50 milhões de unidades foram enviadas com zero falhas de campo GaN relatadas, e a Navitas apresentou a primeira e única garantia de 20 anos do setor. A Navitas é a primeira empresa de semicondutores do mundo a ser CarbonNeutral®-certificado.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em carboneto de silício (SiC) tecnologia. Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado projetado para atingir mais de $5 bilhões por 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo estabelecendo novos padrões na indústria de carboneto de silício.

Informações de Contato

meios de comunicação

Graham Robertson, CMO Grandes Pontes

Graham@GrandBridges.com

investidores

Stephen Oliver, vice-presidente de marketing corporativo & Relações com Investidores

ir@navitassemi.com

Energia Semicondutora, GaNFast, GaNSense e o logotipo Navitas são marcas comerciais ou marcas registradas da Navitas Semiconductor Limited. Todas as outras marcas, nomes e marcas de produtos são ou podem ser marcas comerciais ou marcas registradas usadas para identificar produtos ou serviços de seus respectivos proprietários.

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Os MOSFETs G3R ™ 750V SiC oferecem desempenho e confiabilidade incomparáveis

750MOSFET V G3R SiC

DULLES, VA, Junho 04, 2021 — Os MOSFETs de próxima geração de 750V G3R ™ SiC da GeneSiC oferecerão níveis de desempenho sem precedentes, robustez e qualidade que supera suas contrapartes. Os benefícios do sistema incluem baixas quedas no estado em temperaturas operacionais, velocidades de comutação mais rápidas, densidade de potência aumentada, toque mínimo (baixo EMI) e tamanho compacto do sistema. G3R ™ de GeneSiC, oferecido em pacotes discretos de baixa indutância otimizados (SMD e orifício de passagem), são otimizados para operar com as menores perdas de energia em todas as condições operacionais e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com os SiC MOSFETs contemporâneos.

750MOSFET V G3R SiC

“O uso de energia de alta eficiência tornou-se um produto crítico nos conversores de energia da próxima geração e os dispositivos de energia SiC continuam a ser os principais componentes que impulsionam esta revolução. Após anos de trabalho de desenvolvimento para alcançar a menor resistência no estado e desempenho robusto de curto-circuito e avalanche, estamos entusiasmados em lançar os MOSFETs SiC de 750 V com melhor desempenho da indústria. Nosso G3R ™ permite que os projetistas de eletrônicos de potência atendam ao desafio de eficiência, densidade de energia e objetivos de qualidade em aplicações como inversores solares, Carregadores EV on-board e fontes de alimentação de servidor / telecomunicações. Uma qualidade garantida, apoiado por um rápido retorno e fabricação de alto volume qualificada para automóveis aumenta ainda mais sua proposta de valor. ” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Características –

  • Menor tarifa de portão da indústria (QG) e resistência do portão interno (RG(INT))
  • R mais baixoDS(EM) mudar com a temperatura
  • Baixa capacitância de saída (Cnós) e capacitância miler (CGD)
  • 100% avalanche (UIL) testado durante a produção
  • Capacidade de resistência a curto-circuito líder da indústria
  • Diodo de corpo rápido e confiável com baixo VF e baixo QRR
  • Tensão de limiar de porta alta e estável (Vº) em todas as condições de temperatura e polarização de drenagem
  • Tecnologia de embalagem avançada para menor resistência térmica e menor toque
  • Uniformidade de fabricação de RDS(EM), Vº e tensão de ruptura (BV)
  • Portfólio abrangente de produtos e cadeia de suprimentos mais segura com manufatura de alto volume qualificada para automóveis

Formulários –

  • Solar (PV) Inversores
  • EV / Carregadores HEV Onboard
  • Servidor & Fontes de alimentação de telecomunicações
  • Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
  • Conversores DC-DC
  • Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
  • Armazenamento de energia e carregamento de bateria
  • Aquecimento por indução

Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC Semiconductor são direcionados para aplicações automotivas (AEC-q101) e capaz de PPAP.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&comercializar SiC MOSFET

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Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ ou contato sales@genesicsemi.com

Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Electronics

Elemento Newark Farnell 14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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5Diodos SiC Schottky MPS ™ da geração 650 V para a melhor eficiência da classe

Gen5 650V SiC Schottky MPS ™

DULLES, VA, Posso 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de carboneto de silício (SiC) dispositivos semicondutores de potência, anuncia a disponibilidade da 5ª geração (GE *** series) Retificadores SiC Schottky MPS ™ que estão estabelecendo uma nova referência com seu índice de preço-desempenho superior, Corrente de pico líder da indústria e robustez de avalanche, e fabricação de alta qualidade.

“GeneSiC foi um dos primeiros fabricantes de SiC a fornecer comercialmente retificadores Schottky SiC em 2011. Depois de mais de uma década fornecendo retificadores de SiC de alto desempenho e alta qualidade na indústria, estamos animados para lançar nossa 5ª geração de SiC Schottky MPS ™ (Merged-PiN-Schottky) diodos que oferecem desempenho líder da indústria em todos os aspectos para atender às metas de alta eficiência e densidade de energia em aplicações como fontes de alimentação de servidor / telecomunicações e carregadores de bateria. O recurso revolucionário que torna nossa 5ª geração (GE *** series) Diodos SiC Schottky MPS ™ se destacam entre seus pares é a baixa tensão embutida (também conhecido como tensão do joelho);permite menores perdas de condução de diodo em todas as condições de carga - crucial para aplicações que exigem o uso de energia de alta eficiência. Em contraste com outros diodos de SiC concorrentes, também projetados para oferecer características de joelho baixo, uma característica adicional de nossos projetos de diodo Gen5 é que eles ainda mantêm um alto nível de avalanche (UIL) robustez que nossos clientes esperam do Gen3 da GeneSiC (GC *** series) e Gen4 (GD *** series) SiC Schottky MPS ™” disse o Dr.. Siddarth Sundaresan, Vice-presidente de tecnologia da GeneSiC Semiconductor.

Características –

  • Baixa tensão embutida – Perdas de condução mais baixas para todas as condições de carga
  • Figura Superior de Mérito – QC x VF
  • Desempenho de preço ideal
  • Capacidade aprimorada de corrente de surto
  • 100% Avalanche (UIL) Testado
  • Baixa resistência térmica para operação mais fria
  • Recuperação Zero Forward e Reverse
  • Troca rápida independente de temperatura
  • Coeficiente de temperatura positivo de VF

Formulários –

  • Boost Diode in Power Factor Correction (PFC)
  • Fontes de alimentação de servidor e telecomunicações
  • Inversores Solares
  • Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
  • Carregadores de bateria
  • Freewheeling / Diodo antiparalelo em inversores

GE04MPS06E - 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E - 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E - 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E - 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A - 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A - 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A - 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06A - 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

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Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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Novos MOSFETs SiC de 3ª geração da GeneSiC apresentando as melhores figuras de mérito da indústria

DULLES, VA, Fevereiro 12, 2020 — MOSFETs de próxima geração 1200V G3R ™ SiC da GeneSiC Semiconductor com RDS(EM) níveis que variam de 20 mΩ para 350 mΩ entregar níveis de desempenho sem precedentes, robustez e qualidade que supera suas contrapartes. Os benefícios do sistema incluem maior eficiência, frequência de comutação mais rápida, densidade de potência aumentada, toque reduzido (EMI) e tamanho compacto do sistema.

GeneSiC anuncia a disponibilidade de seus MOSFETs de carboneto de silício de 3ª geração líderes da indústria, que apresentam desempenho líder da indústria, robustez e qualidade para aproveitar níveis nunca antes vistos de eficiência e confiabilidade do sistema em aplicações automotivas e industriais.

Estes MOSFETs G3R ™ SiC, oferecido em pacotes discretos de baixa indutância otimizados (SMD e orifício de passagem), são altamente otimizados para projetos de sistemas de energia que requerem níveis de eficiência elevados e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com produtos concorrentes. Uma qualidade garantida, apoiado por manufatura de alto volume de resposta rápida aumenta ainda mais sua proposta de valor.

“Após anos de trabalho de desenvolvimento para alcançar a menor resistência no estado e desempenho aprimorado de curto-circuito, estamos entusiasmados em lançar os MOSFETs SiC 1200V de melhor desempenho da indústria com mais de 15+ produtos de chip discreto e simples. Se os sistemas eletrônicos de potência de próxima geração devem atender à eficiência desafiadora, densidade de potência e objetivos de qualidade em aplicações como automotiva, industrial, energia renovável, transporte, TI e telecomunicações, então, eles exigem desempenho e confiabilidade do dispositivo significativamente melhorados em comparação com os SiC MOSFETs disponíveis atualmente” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Características –

  • Superior QG x RDS(EM) Figura de mérito – Os MOSFETs G3R ™ SiC apresentam a menor resistência no estado da indústria com uma carga de porta muito baixa, resultando em 20% melhor figura de mérito do que qualquer outro dispositivo concorrente semelhante
  • Baixas perdas de condução em todas as temperaturas – Os MOSFETs do GeneSiC apresentam a dependência de temperatura mais suave da resistência no estado para oferecer perdas de condução muito baixas em todas as temperaturas; significativamente melhor do que qualquer outra vala e SiC MOSFETs planares do mercado
  • 100 % avalanche testada – A capacidade robusta de UIL é um requisito crítico para a maioria das aplicações de campo. GeneSiC 1200V SiC MOSFET discretos são 100 % avalanche (UIL) testado durante a produção
  • Carga de porta baixa e baixa resistência de porta interna – Esses parâmetros são essenciais para realizar a comutação ultrarrápida e alcançar as mais altas eficiências (Eon baixo -Eoff) em uma ampla gama de frequências de comutação de aplicativos
  • Operação normalmente desligada estável até 175 ° C – Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC são projetados e fabricados com processos de última geração para fornecer produtos estáveis ​​e confiáveis ​​em todas as condições operacionais, sem qualquer risco de mau funcionamento. A qualidade superior do óxido de porta desses dispositivos evita qualquer limite (Vº) deriva
  • Capacitâncias baixas do dispositivo – G3R ™ são projetados para conduzir mais rápido e mais eficiente com suas baixas capacitâncias de dispositivo - Ciss, Coss e Crss
  • Diodo corporal rápido e confiável com baixa carga intrínseca – Os MOSFETs do GeneSiC apresentam baixa carga de recuperação reversa de referência (QRR) em todas as temperaturas; 30% melhor do que qualquer dispositivo concorrente com classificação semelhante. Isso oferece mais redução nas perdas de energia e aumenta as frequências de operação
  • Fácil de usar – Os MOSFETs G3R ™ SiC são projetados para serem acionados a + 15V / -5V gate drive. Isso oferece a mais ampla compatibilidade com os drivers de gate IGBT e SiC MOSFET comerciais existentes

Formulários –

  • Veículo elétrico – Trem de força e carregamento
  • Inversor solar e armazenamento de energia
  • Unidade de motor industrial
  • Fonte de energia ininterrupta (UPS)
  • Fonte de alimentação comutada (SMPS)
  • Conversores bidirecionais DC-DC
  • Smart Grid e HVDC
  • Aquecimento por indução e soldagem
  • Aplicação de energia pulsada

Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Electronics

Elemento Newark Farnell 14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet ou contato sales@genesicsemi.com

Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC Semiconductor são direcionados para aplicações automotivas (AEC-q101) e capaz de PPAP. Todos os dispositivos são oferecidos no padrão da indústria D2PAK, Pacotes TO-247 e SOT-227.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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Os MOSFETs SiC 3300V e 1700V 1000mΩ da GeneSiC revolucionam a miniaturização de fontes de alimentação auxiliares

DULLES, VA, dezembro 4, 2020 — GeneSiC anuncia a disponibilidade de MOSFETs SiC discretos de 3300V e 1700V líderes da indústria que são otimizados para alcançar miniaturização incomparável, confiabilidade e economia de energia em energia de limpeza industrial.

GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de um portfólio abrangente de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência, anuncia hoje a disponibilidade imediata de MOSFETs SiC de 3300V e 1700V 1000mΩ de próxima geração - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, e G2R1000MT33J. Esses MOSFETs SiC permitem níveis de desempenho superiores, com base nas principais figuras de mérito (FoM) que melhoram e simplificam os sistemas de energia no armazenamento de energia, energia renovável, motores industriais, inversores de uso geral e iluminação industrial. Produtos lançados são:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

Novos MOSFETs 3300V e 1700V SiC da GeneSiC, disponível em opções de 1000mΩ e 450mΩ como pacotes discretos SMD e Through-Hole, são altamente otimizados para projetos de sistemas de energia que requerem níveis de eficiência elevados e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com produtos concorrentes. Uma qualidade garantida, apoiado por manufatura de alto volume de resposta rápida, aumenta ainda mais sua proposta de valor.

“Em aplicações como inversores solares de 1500V, o MOSFET na fonte de alimentação auxiliar pode ter que suportar tensões na faixa de 2500V, dependendo da tensão de entrada, relação de voltas do transformador e a tensão de saída. MOSFETs de alta tensão de ruptura eliminam a necessidade de interruptores conectados em série no Flyback, Conversores Boost e Forward, reduzindo assim a contagem de peças e reduzindo a complexidade do circuito. Os MOSFETs SiC discretos 3300V e 1700V da GeneSiC permitem que os designers usem uma topologia mais simples baseada em switch único e, ao mesmo tempo, forneçam aos clientes, sistema compacto e de baixo custo” disse Sumit Jadav, Gerente de Aplicativos Sênior na GeneSiC Semiconductor.

Características –

  • Índice superior de preço-desempenho
  • Flagship QG x RDS(EM) Figura de mérito
  • Baixa capacitância intrínseca e baixa carga de porta
  • Baixas perdas em todas as temperaturas
  • Alta avalanche e robustez de curto-circuito
  • Tensão limite de referência para operação estável normalmente desligada até 175 ° C

Formulários –

  • Energia renovável (inversores solares) e armazenamento de energia
  • Motores industriais (e vínculo)
  • Inversores de uso geral
  • Iluminação industrial
  • Drivers piezo
  • Geradores de feixe de íons

Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet ou contato sales@genesicsemi.com

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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MOSFETs de SiC de 6,5 kV líderes da indústria da GeneSiC – a vanguarda para uma nova onda de aplicativos

6.5MOSFETs kV SiC

DULLES, VA, Outubro 20, 2020 — A GeneSiC lança MOSFETs de carboneto de silício de 6,5 kV para liderar na entrega de níveis de desempenho sem precedentes, eficiência e confiabilidade em aplicações de conversão de energia de média tensão, como tração, energia pulsada e infraestrutura de rede inteligente.

GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência, anuncia hoje a disponibilidade imediata de chips nus SiC MOSFET de 6,5 kV - G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL. Módulos SiC completos que utilizam esta tecnologia serão lançados em breve. Os aplicativos devem incluir tração, poder pulsado, infraestrutura de rede inteligente e outros conversores de energia de média tensão.

G2R300MT65-CAL - Chip Bare MOSFET 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC

G2R325MS65-CAL - MOSFET de 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC (com Integrated-Schottky) Chip Bare

G2R100MT65-CAL - Chip Bare do MOSFET de 6,5 kV 100mΩ G2R ™ SiC

A inovação da GeneSiC apresenta um semicondutor de óxido de metal com implantação dupla de SiC (DMOSFET) estrutura do dispositivo com uma barreira de junção schottky (JBS) retificador integrado na célula unitária SiC DMOSFET. Este dispositivo de energia de ponta pode ser usado em uma variedade de circuitos de conversão de energia na próxima geração de sistemas de conversão de energia. Outras vantagens significativas incluem desempenho bidirecional mais eficiente, comutação independente de temperatura, baixas perdas de comutação e condução, requisitos de resfriamento reduzidos, confiabilidade superior de longo prazo, facilidade de dispositivos paralelos e benefícios de custo. A tecnologia GeneSiC oferece desempenho superior e também tem o potencial de reduzir a pegada de material de SiC líquido em conversores de energia.

“Os MOSFETs de SiC de 6,5 kV do GeneSiC são projetados e fabricados em wafers de 6 polegadas para obter baixa resistência no estado, mais alta qualidade, e índice de desempenho de preço superior. Esta tecnologia de MOSFETs de última geração promete desempenho exemplar, robustez superior e confiabilidade de longo prazo em aplicações de conversão de energia de média tensão.” disse Dr. Siddarth Sundaresan, VP de tecnologia da GeneSiC Semiconductor.

Recursos da tecnologia MOSFET de 6.5kV G2R ™ SiC do GeneSiC –

  • Alta avalanche (UIS) e robustez de curto-circuito
  • Superior QG x RDS(EM) Figura de mérito
  • Perdas de comutação independentes de temperatura
  • Capacitâncias baixas e carga de porta baixa
  • Baixas perdas em todas as temperaturas
  • Operação normalmente desligada estável até 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip ou contato sales@genesicsemi.com

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC

DULLES, VA, dezembro 5, 2019 — R&D Magazine selecionou GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como destinatário do prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio para o desenvolvimento de chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, um dos principais inovadores nos dispositivos de energia à base de carboneto de silício foi homenageado com o anúncio de que recebeu o prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio. Este prêmio reconhece GeneSiC por apresentar um dos mais importantes, avanços recentes de pesquisa e desenvolvimento entre várias disciplinas durante 2018. R&A D Magazine reconheceu a tecnologia de dispositivo de energia SiC de média tensão da GeneSiC por sua capacidade de integrar monoliticamente o MOSFET e o retificador Schottky em um único chip. Esses recursos alcançados pelo dispositivo GeneSiC permitem que os pesquisadores de eletrônica de potência desenvolvam sistemas eletrônicos de potência de última geração, como inversores e conversores DC-DC.. Isso permitirá o desenvolvimento de produtos em veículos elétricos, infraestrutura de carregamento, indústrias de energia renovável e armazenamento de energia. GeneSiC registrou pedidos de vários clientes para a demonstração de hardware de eletrônica de potência avançada usando esses dispositivos e continua a desenvolver sua família de produtos MOSFET de carboneto de silício. O R&D na versão inicial para aplicações de conversão de energia foram desenvolvidas através do Departamento dos EUA. de Energia e colaboração com Sandia National Laboratories.

A competição anual de tecnologia conduzida por R&A D Magazine avaliou entradas de várias empresas e participantes da indústria, organizações de pesquisa e universidades em todo o mundo. Os editores da revista e um painel de especialistas externos atuaram como juízes, avaliando cada entrada em termos de sua importância para o mundo da ciência e da pesquisa.

De acordo com R&D Magazine, ganhando um R&D 100 Prêmio fornece uma marca de excelência conhecida pela indústria, governo, e a academia como prova de que o produto é uma das ideias mais inovadoras do ano. Este prêmio reconhece GeneSiC como líder global na criação de produtos baseados em tecnologia que fazem a diferença em como trabalhamos e vivemos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandoDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.