Energia półprzewodników, Lider w branży układów scalonych mocy z azotku galu, ogłasza nabycie firmy GeneSiC Semiconductor, Pionier z węglika krzemu

 

Drugi, CA., 15 sierpnia, 2022 - Półprzewodnik energetyczny (Nasdaq: NVTS), lider branży azotku galu (GaN) układy scalone mocy, ogłosiło dziś przejęcie GeneSiC Semiconductor, węglik krzemu (SiC) pionier z dużym doświadczeniem w projektowaniu i procesach urządzeń zasilających SiC. Transakcja jest natychmiastowo korzystna dla Navitas, ponieważ GeneSiC jest bardzo opłacalna, z więcej niż 25% Marże EBITDA. Kalendarz 2022 oczekuje się, że przychody wyniosą około $25 milion z wykazanymi rocznymi stopami wzrostu powyżej 60%. Połączona spółka tworzy kompleksową, wiodące w branży portfolio technologii w zakresie półprzewodników mocy nowej generacji – zarówno GaN, jak i SiC – z łącznymi możliwościami rynkowymi szacowanymi na ponad $20 miliardów rocznie przez 2026.

„GeneSiC jest idealnym partnerem dla Navitas, ponieważ koncentruje się i odnosi sukcesy w rozwoju wiodącej w branży technologii SiC,” powiedział Gene Sheridan, CEO i współzałożyciel Navitas. „Navitas ma znaczące inwestycje w globalną sprzedaż, zespoły operacyjne i wsparcia technicznego, wraz z centrami projektowania systemów w EV i data center. Te możliwości są doskonałym uzupełnieniem GeneSiC i jeszcze bardziej przyspieszą ich wzrost zarówno na rynku synergicznym, jak i na nowych rynkach. Dziś, zrobiliśmy ważny krok w misji naszej firmy, aby „zelektryfikować nasz świat™” i napędzać przejście naszej planety z paliw kopalnych na czyste, wydajny, energia elektryczna."

„Ochrona patentowa GeneSiC, zaawansowana technologia i innowacyjność, doświadczony zespół to kluczowe czynniki rozwoju naszej firmy. Nasze tranzystory MOSFET SiC oferują najwyższą wydajność w branży, niezawodność, i wytrzymałość – parametry krytyczne dla powszechnego stosowania pojazdów elektrycznych i związanej z nimi infrastruktury,” powiedział Prezes GeneSiC Dr. Ranbir Singh. „Z prawie 20 lata wiodącej technologii R&re, sprawdzone platformy, koniec 500 różnorodni klienci, oraz rosnące przychody i rentowność, możemy wykorzystać wiedzę Navitas w zakresie masowej produkcji i strategię wejścia na rynek, aby przyspieszyć przychody SiC. Jesteśmy bardzo podekscytowani tym nowym partnerstwem”.

dr. Singh dołącza do Navitas jako wiceprezes wykonawczy ds. GeneSiC, a Navitas spodziewa się zatrzymać wszystkich członków zespołu GeneSiC.

W półprzewodnikach mocy, zarówno GaN, jak i SiC są materiałami lepszymi od starszego krzemu, umożliwienie wyższych prędkości, większa oszczędność energii, szybsze ładowanie, i znacznie zmniejszony rozmiar, waga, i koszt. Razem, te komplementarne, materiały nowej generacji są przeznaczone do szerokiego zakresu zastosowań od ładowarek do smartfonów o mocy 20 W, do ładowarek EV 20kW, do systemów infrastruktury sieciowej 20MW i wszystkiego pomiędzy. Z ponad 500 klienci, przejęcie GeneSiC zapewnia zdywersyfikowane i synergiczne rynki i klientów, i przyspiesza przychody Navitas w obszarze strategicznym, aplikacje o większej mocy:

  • Pojazd elektryczny: Układy scalone Navitas GaN są zoptymalizowane pod kątem systemów EV 400 V, a technologia GeneSiC jest idealna dla systemów EV 800V, z istniejącymi przychodami i klientami deweloperskimi, w tym BYD – światowym #1 Dostawca pojazdów elektrycznych, Land Rover, Mercedes AMG, Geely, Shinry, LG Magna, Saab, i Innowacje, wraz z dziesiątkami innych.
  • Słoneczny & Magazynowanie energii: Układy scalone Navitas GaN obsługują energię słoneczną w budynkach mieszkalnych, podczas gdy GeneSiC ma natychmiastowe przychody w wyższej mocy, komercyjnych klientów zajmujących się magazynowaniem energii słonecznej i energii, w tym APS, Zaawansowana energia, Chint, Sungrow, Growatt, CATL, Exide i wiele innych.
  • Szersze rynki przemysłowe: Produkty wysokiego napięcia GeneSiC przynoszą natychmiastowe przychody na wielu dodatkowych rynkach przemysłowych, w tym na kolei, UPS, wiatr, moc sieci, silniki przemysłowe, i obrazowanie medyczne.

szczegóły transakcji

Oczekuje się, że przejęcie GeneSiC natychmiast zwiększy zyski Navitas na akcję. Całkowite wynagrodzenie składało się z około $100 milion w gotówce, 24.9 milion akcji Navitas i możliwe wypłaty zarobków do $25 milionów pod warunkiem osiągnięcia znaczących celów przychodów dla biznesu GeneSiC w ciągu czterech kwartałów fiskalnych kończących się we wrześniu 30, 2023. Więcej informacji o GeneSiC można znaleźć na stronie ir.navitassemi.com.

Doradcy

Jefferies LLC pełnił funkcję doradcy finansowego Navitas, a Bank of America był doradcą finansowym GeneSiC. Grupa Prawnicza TCF, PLLC działał jako doradca prawny Navitas i Gibson, Dunn & Crutcher LLP działał jako doradca prawny GeneSiC.

Informacje o telekonferencjach i audycjach internetowych

Przejęcie GeneSiC zostanie omówione w ramach Navitas Q2 2022 Zadzwoń do zarobków:

Kiedy: Poniedziałek, Tyrystor SiC 15ten, 2022

Czas: 2:00 po południu. Pacyfik / 5:00 po południu. Wschodni

Bezpłatny numer telefonu: (800) 715-9871 lub (646) 307-1963

Identyfikator konferencji: 6867001

Transmisja na żywo: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

Powtórna rozgrywka: Powtórka wezwania będzie dostępna w sekcji Relacje Inwestorskie na stronie internetowej Spółki pod adresem: https://ir.navitassemi.com/.

Oświadczenie ostrzegawcze dotyczące oświadczeń dotyczących przyszłości

Niniejsza informacja prasowa zawiera „stwierdzenia dotyczące przyszłości” w rozumieniu sekcji 21E ustawy o giełdzie papierów wartościowych z dnia 1934, z poprawkami. Stwierdzenia dotyczące przyszłości mogą być identyfikowane za pomocą słów takich jak „oczekujemy” lub „oczekujemy, że będą," "oszacować," "plan," "projekt," "prognoza," "zamierzać," "przewidywać," "uważać," "szukać,„lub inne podobne wyrażenia, które przewidują lub wskazują przyszłe wydarzenia lub trendy lub które nie są stwierdzeniami dotyczącymi spraw historycznych. Te stwierdzenia dotyczące przyszłości obejmują:, ale nie ograniczają się do, oświadczenia dotyczące szacunków i prognoz innych wskaźników finansowych i wyników oraz prognoz szans rynkowych i udziału w rynku. Stwierdzenia te opierają się na różnych założeniach, niezależnie od tego, czy określono w tym komunikacie prasowym. Stwierdzenia te opierają się również na bieżących oczekiwaniach kierownictwa Navitas i nie są przewidywaniami faktycznych wyników. Takie stwierdzenia dotyczące przyszłości mają wyłącznie charakter ilustracyjny i nie mają służyć jako:, i nie może na nich polegać żaden inwestor, ponieważ:, Gwarancja, zapewnienie, przewidywanie lub ostateczne stwierdzenie faktu lub prawdopodobieństwa. Rzeczywiste zdarzenia i okoliczności są trudne lub niemożliwe do przewidzenia i będą różnić się od założeń i oczekiwań. Wiele rzeczywistych zdarzeń i okoliczności, które wpływają na wydajność, jest poza kontrolą Navitas. Stwierdzenia dotyczące przyszłości są obarczone szeregiem czynników ryzyka i niepewności, w tym możliwość, że oczekiwany rozwój biznesów Navitas i GeneSiC nie zostanie zrealizowany, lub nie zostaną zrealizowane w oczekiwanych terminach, spowodowany, między innymi, brak udanej integracji GeneSiC z systemami biznesowymi i operacyjnymi Navitas,; wpływ przejęcia na relacje z klientami i dostawcami lub nieutrzymanie i rozszerzenie tych relacji,; sukces lub porażka innych działań na rzecz rozwoju biznesu; Kondycja finansowa i wyniki działalności Navitas; Zdolność Navitas do dokładnego przewidywania przyszłych przychodów w celu odpowiedniego budżetowania i dostosowania wydatków Navitas; Zdolność Navitas do dywersyfikacji bazy klientów i rozwijania relacji na nowych rynkach; Zdolność Navitas do skalowania swojej technologii na nowe rynki i aplikacje; wpływ konkurencji na biznes Navitas, w tym działania konkurentów o ugruntowanej obecności i zasobach na rynkach, które mamy nadzieję penetrować, w tym rynki węglika krzemu; poziom popytu na rynkach końcowych klientów Navitas i GeneSiC, zarówno ogólnie, jak i w odniesieniu do kolejnych generacji produktów lub technologii; Zdolność Navitas do przyciągania, szkolić i utrzymywać kluczowy wykwalifikowany personel; zmiany w polityce handlowej rządu, w tym nakładanie taryf; wpływ pandemii COVID-19 na biznes Navitas, wyniki działalności i kondycja finansowa; wpływ pandemii COVID-19 na światową gospodarkę, w tym między innymi łańcuch dostaw Navitas oraz łańcuchy dostaw klientów i dostawców; zmiany regulacyjne w Stanach Zjednoczonych i za granicą; oraz zdolność Navitas do ochrony swoich praw własności intelektualnej. Te i inne czynniki ryzyka zostały omówione w Sekcja Czynniki Ryzyka zaczynając od p. 11 z naszego raport roczny na formularzu 10-K za rok zakończony w grudniu 31, 2021, które złożyliśmy w Komisji Papierów Wartościowych i Giełd (sekunda") w marcu 31, 2022 i z późniejszymi zmianami, oraz w innych dokumentach składamy w SEC, w tym nasze kwartalne raporty na formularzu 10-Q. Jeśli którekolwiek z tych zagrożeń zmaterializuje się lub nasze założenia okażą się błędne, rzeczywiste wyniki mogą się znacznie różnić od wyników sugerowanych przez te stwierdzenia dotyczące przyszłości. Mogą wystąpić dodatkowe zagrożenia, o których Navitas nie jest świadomy lub które Navitas obecnie uważa za nieistotne, które mogą również spowodować, że rzeczywiste wyniki będą się znacznie różnić od tych zawartych w stwierdzeniach dotyczących przyszłości. Dodatkowo, stwierdzenia dotyczące przyszłości odzwierciedlają oczekiwania Navitas, plany lub prognozy przyszłych wydarzeń i poglądów na dzień publikacji niniejszego komunikatu prasowego. Navitas przewiduje, że kolejne wydarzenia i zmiany spowodują zmianę ocen Navitas. Jednakże, podczas gdy Navitas może zdecydować się na aktualizację tych wypowiedzi prognozujących w pewnym momencie w przyszłości, Navitas w szczególności zrzeka się wszelkich zobowiązań do tego. Te stwierdzenia dotyczące przyszłości nie powinny być traktowane jako reprezentujące oceny Navitas na dzień następujący po dacie niniejszego komunikatu prasowego.

O Navitas

Energia półprzewodników (Nasdaq: NVTS) jest liderem w branży azotku galu (GaN) układy scalone mocy, założony w 2014. Układy scalone zasilania GaNFast™ integrują zasilanie GaN z napędem, kontrola, wykrywanie i ochrona, aby umożliwić szybsze ładowanie, wyższa gęstość mocy i większe oszczędności energii dla urządzeń mobilnych, konsument, Centrum danych, Rynki pojazdów elektrycznych i fotowoltaicznych. Koniec 165 Patenty Navitas zostały wydane lub oczekują na zatwierdzenie. Koniec 50 Dostarczono miliony jednostek z zerową liczbą zgłoszonych awarii pola GaN, a firma Navitas wprowadziła pierwszą i jedyną w branży 20-letnią gwarancję. Navitas jest pierwszą na świecie firmą produkującą półprzewodniki CarbonNeutral®-atestowany.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w dziedzinie węglika krzemu (SiC) technologia. Wiodący światowi producenci polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, bardziej ekonomiczne i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. GeneSiC posiada wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających z szerokim pasmem wzbronionym, rynek, który według prognoz osiągnie ponad $5 miliardów 2025. Nasze główne atuty projektowania, proces i technologia zwiększają wartość produktu końcowego naszych klientów, dzięki miernikom wydajności i kosztów wyznaczającym nowe standardy w branży węglika krzemu.

Informacje kontaktowe

Głoska bezdźwięczna

Graham Robertson, CMO Wielkie Mosty

Graham@GrandBridges.com

Inwestorzy

Stephen Oliver, wiceprezes ds. marketingu korporacyjnego & Relacje Inwestorskie

ir@navitassemi.com

Energia półprzewodników, GaNFast, GaNSense i logo Navitas są znakami towarowymi lub zastrzeżonymi znakami towarowymi firmy Navitas Semiconductor Limited. Wszystkie inne marki, nazwy i znaki produktów są lub mogą być znakami towarowymi lub zastrzeżonymi znakami towarowymi używanymi do identyfikacji produktów lub usług ich odpowiednich właścicieli.

MOSFET G3R™ 750V SiC oferują niezrównaną wydajność i niezawodność Re

750MOSFET V G3R SiC

ĆWICZENIA, VA, Czerwiec 04, 2021 — Nowa generacja tranzystorów MOSFET 750V G3R™SiC firmy GeneSiC zapewni niespotykany dotąd poziom wydajności, solidność i jakość, która przewyższa jej odpowiedniki. Korzyści systemowe obejmują niskie spadki stanu włączenia w temperaturach roboczych, szybsze przełączanie prędkości, zwiększona gęstość mocy, minimalne dzwonienie (niski EMI) i kompaktowy rozmiar systemu. GeneSiC G3R™, oferowane w zoptymalizowanych dyskretnych pakietach o niskiej indukcyjności (SMD i otwór przelotowy), są zoptymalizowane do pracy z najniższymi stratami mocy we wszystkich warunkach pracy i ultraszybkimi prędkościami przełączania switching. Urządzenia te mają znacznie lepsze poziomy wydajności w porównaniu do współczesnych tranzystorów MOSFET SiC.

750MOSFET V G3R SiC

„Wysokosprawne zużycie energii stało się kluczowym elementem w konwerterach mocy nowej generacji, a urządzenia zasilające SiC nadal są kluczowymi komponentami napędzającymi tę rewolucję. Po latach prac rozwojowych nad osiągnięciem najniższej rezystancji w stanie włączenia oraz solidnej wydajności zwarciowej i lawinowej, cieszymy się, że możemy wypuścić na rynek najlepiej działające w branży tranzystory MOSFET 750 V SiC. Nasz G3R™ umożliwia projektantom energoelektroniki sprostanie wymagającej wydajności, Gęstość mocy i cele jakościowe w zastosowaniach takich jak falowniki słoneczne, Ładowarki pokładowe EV i zasilacze serwerowe/telekomunikacyjne. Pewna jakość, wspierane przez szybką realizację i produkcję wielkoseryjną zakwalifikowaną do przemysłu motoryzacyjnego, jeszcze bardziej zwiększa ich propozycję wartości. ” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

funkcje –

  • Najniższa opłata za bramkę w branży (Qsol) i wewnętrzna rezystancja bramy (RG(WEWN))
  • Najniższa RDS(NA) zmiana wraz z temperaturą
  • Niska pojemność wyjściowa (CNAS) i miler pojemności (CGD)
  • 100% lawina (UIL) testowany podczas produkcji
  • Wiodąca w branży odporność na zwarcia
  • Szybka i niezawodna dioda w korpusie o niskim VF i niskie QRR
  • Wysokie i stabilne napięcie progowe bramki (VTH) we wszystkich warunkach temperaturowych i drenażu drenażu
  • Zaawansowana technologia pakowania dla niższej odporności termicznej i niższego dzwonienia
  • Jednorodność wytwarzania RDS(NA), VTH i napięcie przebicia (BV)
  • Kompleksowe portfolio produktów i bezpieczniejszy łańcuch dostaw z produkcją wielkoseryjną zakwalifikowaną do przemysłu motoryzacyjnego

Aplikacje –

  • Słoneczny (PV) Falowniki
  • EV / Ładowarki pokładowe HEV
  • serwer & Zasilacze telekomunikacyjne
  • Zasilacze bezprzerwowe (UPS)
  • Przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe (SMPS)
  • Magazynowanie energii i ładowanie baterii Battery
  • Ogrzewanie indukcyjne

Wszystkie tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC Semiconductor są przeznaczone do zastosowań motoryzacyjnych (AEC-q101) i obsługuje PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handluj SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handluj SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handluj SiC MOSFET

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support

Elektronika Digi-Key

Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

5Diody SiC Schottky MPS ™ generacji 650V zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

ĆWICZENIA, VA, Może 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca węglika krzemu (SiC) półprzewodnikowe urządzenia mocy,, ogłasza dostępność piątej generacji (Seria GE***) Prostowniki SiC Schottky MPS™, które wyznaczają nowy punkt odniesienia dzięki doskonałemu wskaźnikowi ceny do wydajności, wiodąca w branży odporność na prąd udarowy i odporność lawinową, i wysokiej jakości produkcja.

„GeneSiC był jednym z pierwszych producentów SiC, który komercyjnie dostarczył prostowniki Schottky SiC w 2011. Po ponad dekadzie dostarczania w branży wysokowydajnych i wysokiej jakości prostowników SiC, z radością wypuszczamy naszą 5. generację SiC Schottky MPS™ (Połączone-PiN-Schottky) diody, które oferują wiodącą w branży wydajność we wszystkich aspektach, aby spełnić cele wysokiej wydajności i gęstości mocy w zastosowaniach, takich jak zasilacze serwerowe/telekomunikacyjne i ładowarki akumulatorów. Rewolucyjna funkcja, która sprawia, że ​​nasza 5. generacja (Seria GE***) Diody SiC Schottky MPS™ wyróżniają się na tle swoich konkurentów niskim wbudowanym napięciem (znany również jako napięcie kolanowe);umożliwia najniższe straty przewodzenia diody we wszystkich warunkach obciążenia – kluczowe w zastosowaniach wymagających wysokiej wydajności zużycia energii. W przeciwieństwie do innych konkurencyjnych diod SiC, również zaprojektowanych tak, aby zapewniały charakterystykę dolnego kolana, dodatkową cechą naszych projektów diod Gen5 jest to, że nadal utrzymują wysoki poziom lawiny (UIL) wytrzymałość, której nasi klienci oczekują od GeneSiC Gen3 (Seria GC***) i Gen4 (Seria GD***) SiC Schottky MPS ™” powiedział Dr. Siddarth Sundaresan, Wiceprezes ds. Technologii w GeneSiC Semiconductor.

funkcje –

  • Niskie napięcie wbudowane – Najniższe straty przewodzenia we wszystkich warunkach obciążenia
  • Najwyższa Postać Zasługi – Kontrola jakości x VF
  • Optymalna wydajność cenowa
  • Zwiększona zdolność do prądu udarowego
  • 100% Lawina (UIL) Przetestowany
  • Niska rezystancja termiczna do pracy w chłodniejszej .
  • Zerowe odzyskiwanie do przodu i do tyłu
  • Szybkie przełączanie niezależne od temperatury
  • Dodatni współczynnik temperaturowy VF

Aplikacje –

  • Zwiększenie diody w korekcji współczynnika mocy (PFC)
  • Zasilacze serwerowe i telekomunikacyjne
  • Falowniki słoneczne
  • Zasilacze bezprzerwowe (UPS)
  • Ładowarki do akumulatorów
  • Wolnobieg / Dioda przeciwrównoległa w falownikach

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Nowe tranzystory MOSFET SiC trzeciej generacji firmy GeneSiC, charakteryzujące się najlepszymi w branży zaletami

ĆWICZENIA, VA, Luty 12, 2020 — MOSFET GeneSiC Semiconductor nowej generacji 1200 V G3R ™ SiC z RDS(NA) poziomy od 20 mΩ do 350 mΩ zapewniają niespotykane dotąd poziomy wydajności, solidność i jakość, która przewyższa jej odpowiedniki. Zalety systemu obejmują wyższą wydajność, szybsza częstotliwość przełączania, zwiększona gęstość mocy, zmniejszone dzwonienie (EMI) i kompaktowy rozmiar systemu.

GeneSiC ogłasza dostępność swoich wiodących w branży tranzystorów MOSFET z węglika krzemu trzeciej generacji, które charakteryzują się wiodącą w branży wydajnością, solidność i jakość do wykorzystania nigdy wcześniej nie widzianych poziomów wydajności i niezawodności systemu w zastosowaniach motoryzacyjnych i przemysłowych.

Te tranzystory MOSFET SiC G3R ™, oferowane w zoptymalizowanych dyskretnych pakietach o niskiej indukcyjności (SMD i otwór przelotowy), są wysoce zoptymalizowane pod kątem projektów systemów zasilania wymagających podwyższonych poziomów wydajności i ultraszybkich prędkości przełączania. Urządzenia te mają znacznie lepsze poziomy wydajności w porównaniu z konkurencyjnymi produktami. Pewna jakość, wspierane przez szybkie zmiany w produkcji wielkoseryjnej dodatkowo zwiększają ich propozycję wartości.

„Po latach prac rozwojowych nad osiągnięciem najniższej rezystancji w stanie włączenia i zwiększonej wydajności zwarciowej, z niecierpliwością czekamy na wprowadzenie najlepszych w branży tranzystorów MOSFET 1200 V SiC 15+ produkty dyskretne i bez chipa. Jeśli systemy energoelektroniczne nowej generacji mają sprostać wymagającej wydajności, gęstość mocy i cele jakościowe w zastosowaniach takich jak motoryzacja, przemysłowy, energia odnawialna, transport, IT i telekomunikacja, wymagają wtedy znacznie lepszej wydajności i niezawodności urządzenia w porównaniu z obecnie dostępnymi tranzystorami SiC MOSFET” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

funkcje –

  • Superior Qsol x RDS(NA) zasługa – Tranzystory G3R ™ SiC MOSFET charakteryzują się najniższą w branży rezystancją w stanie włączenia przy bardzo niskim ładunku bramki, w wyniku do 20% lepszy wynik finansowy niż jakiekolwiek inne podobne urządzenie konkurencji
  • Niskie straty przewodzenia we wszystkich temperaturach – Tranzystory MOSFET firmy GeneSiC charakteryzują się najłagodniejszą zależnością rezystancji w stanie stanu od temperatury, co zapewnia bardzo niskie straty przewodzenia we wszystkich temperaturach; znacznie lepsze niż jakikolwiek inny kanałowy i planarny MOSFET SiC na rynku
  • 100 % testowany lawinowo – Solidne możliwości UIL są krytycznym wymaganiem w większości zastosowań terenowych. Dyskretny MOSFET SiC 1200 V firmy GeneSiC to 100 % lawina (UIL) testowany podczas produkcji
  • Niski ładunek bramki i niski wewnętrzny opór bramki – Te parametry są krytyczne dla uzyskania ultraszybkiego przełączania i osiągnięcia najwyższej wydajności (niski Eon -Eoff) w szerokim zakresie częstotliwości przełączania aplikacji
  • Stabilna praca przy normalnym wyłączeniu do 175 ° C – Wszystkie tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC są projektowane i wytwarzane przy użyciu najnowocześniejszych procesów, aby dostarczać produkty, które są stabilne i niezawodne we wszystkich warunkach pracy bez ryzyka awarii. Doskonała jakość tlenków bramek tych urządzeń zapobiega powstawaniu jakichkolwiek progów (VTH) dryf
  • Niskie pojemności urządzenia – G3R ™ są zaprojektowane do szybszej i bardziej wydajnej jazdy dzięki niskim pojemnościom urządzeń - Ciss, Coss and Crss
  • Szybka i niezawodna dioda korpusowa o niskim ładunku wewnętrznym – Tranzystory MOSFET firmy GeneSiC charakteryzują się wzorcowym niskim obciążeniem zwrotnym (QRR) we wszystkich temperaturach; 30% lepsze niż inne podobnie oceniane urządzenie konkurencji. Zapewnia to dalsze zmniejszenie strat mocy i zwiększenie częstotliwości roboczych
  • Łatwość użycia – Tranzystory MOSFET SiC G3R ™ są przeznaczone do zasilania napięciem + 15 V. / -5Napęd do bramy V.. Zapewnia to największą kompatybilność z istniejącymi komercyjnymi sterownikami bramek IGBT i SiC MOSFET

Aplikacje –

  • Pojazd elektryczny – Układ napędowy i ładowanie
  • Falownik słoneczny i magazyn energii
  • Przemysłowy napęd silnikowy
  • Nieprzerwana dostawa energii (UPS)
  • Zasilacz impulsowy (SMPS)
  • Dwukierunkowe przetwornice DC-DC
  • Inteligentna sieć i HVDC
  • Nagrzewanie i spawanie indukcyjne
  • Aplikacja zasilania impulsowego

Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support

Elektronika Digi-Key

Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Wszystkie tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC Semiconductor są przeznaczone do zastosowań motoryzacyjnych (AEC-q101) i obsługuje PPAP. Wszystkie urządzenia są oferowane w standardzie przemysłowym D2PAK, Pakiety TO-247 i SOT-227.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Tranzystory MOSFET SiC 3300V i 1700V 1000mΩ firmy GeneSiC rewolucjonizują miniaturyzację dodatkowych zasilaczy

ĆWICZENIA, VA, grudzień 4, 2020 — GeneSiC ogłasza dostępność wiodących w branży dyskretnych tranzystorów MOSFET SiC 3300 V i 1700 V, które są zoptymalizowane pod kątem uzyskania niezrównanej miniaturyzacji, niezawodność i oszczędność energii w przemyśle.

GeneSiC Semiconductor, pionier i globalny dostawca wszechstronnego portfolio węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy, dziś ogłasza natychmiastową dostępność tranzystorów MOSFET SiC 3300 V i 1700 V nowej generacji - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, i G2R1000MT33J. Te tranzystory SiC MOSFET zapewniają najwyższy poziom wydajności, na podstawie flagowych wartości zasługi (FoM) które usprawniają i upraszczają systemy zasilania w magazynach energii, energia odnawialna, silniki przemysłowe, falowniki ogólnego przeznaczenia i oświetlenie przemysłowe. Wydane produkty są:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700 V 1000 mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - MOSFET 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC

G3R450MT17D - 1700 V 450 mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - MOSFET 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC

Nowe tranzystory MOSFET SiC 3300V i 1700V firmy GeneSiC, dostępne w opcjach 1000mΩ i 450mΩ jako dyskretne pakiety SMD i Through-Hole, są wysoce zoptymalizowane pod kątem projektów systemów zasilania wymagających podwyższonych poziomów wydajności i ultraszybkich prędkości przełączania. Urządzenia te mają znacznie lepsze poziomy wydajności w porównaniu z konkurencyjnymi produktami. Pewna jakość, wspierane przez szybkie zmiany w produkcji masowej dodatkowo zwiększają ich ofertę wartości.

„W zastosowaniach takich jak inwertery słoneczne 1500V, tranzystor MOSFET w zasilaczu pomocniczym może być zmuszony do wytrzymania napięć w zakresie 2500 V., w zależności od napięcia wejściowego, przekładnia transformatora i napięcie wyjściowe. Tranzystory MOSFET o wysokim napięciu przebicia eliminują potrzebę stosowania przełączników połączonych szeregowo w technologii Flyback, Przetworniki przyspieszające i do przodu zmniejszają w ten sposób liczbę części i zmniejszają złożoność obwodu. Dyskretne tranzystory MOSFET SiC 3300V i 1700V firmy GeneSiC pozwalają projektantom na stosowanie prostszej topologii opartej na pojedynczym przełączniku, a jednocześnie zapewniają klientom niezawodne, kompaktowy i ekonomiczny system” powiedział Sumit Jadav, Senior Applications Manager w GeneSiC Semiconductor.

funkcje –

  • Doskonały wskaźnik ceny do wydajności
  • Sztandarowy Qsol x RDS(NA) wartość zasługi
  • Niska pojemność wewnętrzna i niski ładunek bramki
  • Niskie straty we wszystkich temperaturach
  • Wysoka odporność na lawiny i zwarcia
  • Wzorcowe napięcie progowe dla normalnie wyłączonej stabilnej pracy do 175 ° C

Aplikacje –

  • Energia odnawialna (falowniki słoneczne) i magazynowanie energii
  • Silniki przemysłowe (i więź)
  • Falowniki ogólnego przeznaczenia
  • Oświetlenie przemysłowe
  • Sterowniki piezo
  • Generatory wiązki jonów

Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Wiodące w branży tranzystory MOSFET 6,5 kV SiC firmy GeneSiC – awangarda nowej fali zastosowań

6.5MOSFETy kV SiC

ĆWICZENIA, VA, Październik 20, 2020 — GeneSiC wypuszcza na rynek tranzystory MOSFET z węglika krzemu 6,5 kV, które są liderem w zapewnianiu niespotykanych dotąd poziomów wydajności, wydajność i niezawodność w zastosowaniach związanych z konwersją mocy średniego napięcia, takich jak trakcja, energia pulsacyjna i infrastruktura inteligentnych sieci.

GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy, dzisiaj ogłasza natychmiastową dostępność gołych układów scalonych 6,5 kV SiC MOSFET - G2R300MT65-CAL i G2R325MS65-CAL. Wkrótce zostaną wydane pełne moduły SiC wykorzystujące tę technologię. Oczekuje się, że aplikacje będą obejmować trakcję, moc pulsacyjna, infrastruktura sieci inteligentnych i inne przetwornice średniego napięcia.

G2R300MT65-CAL - G2R ™ SiC MOSFET 6,5kV 300mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET G2R ™ SiC 6,5 kV 325 mΩ (z Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - G2R ™ SiC MOSFET 6,5kV 100mΩ

Innowacja GeneSiC obejmuje podwójnie implantowany półprzewodnik z tlenku metalu SiC (DMOSFET) konstrukcja urządzenia z barierą połączeniową schottky (JBS) prostownik zintegrowany z ogniwem elementarnym SiC DMOSFET. To najnowocześniejsze urządzenie zasilające może być używane w różnych obwodach konwersji mocy w następnej generacji systemów przetwarzania energii. Inne istotne zalety to bardziej wydajne działanie dwukierunkowe, niezależne od temperatury przełączanie, niskie straty przełączania i przewodzenia, mniejsze wymagania dotyczące chłodzenia, doskonała długoterminowa niezawodność, łatwość łączenia urządzeń równolegle i korzyści finansowe. Technologia GeneSiC zapewnia doskonałą wydajność, a także może zmniejszyć ślad netto materiału SiC w przetwornicach mocy.

“Tranzystory MOSFET SiC 6,5 kV firmy GeneSiC zostały zaprojektowane i wykonane na 6-calowych płytkach w celu uzyskania niskiej rezystancji w stanie włączenia, najwyższa jakość, i doskonały wskaźnik ceny do wydajności. Ta technologia MOSFET nowej generacji zapewnia wzorową wydajność, doskonała wytrzymałość i długoterminowa niezawodność w zastosowaniach związanych z konwersją mocy średniego napięcia.” powiedziany dr. Siddarth Sundaresan, Wiceprezes ds. Technologii w GeneSiC Semiconductor.

Funkcje technologii MOSFET 6,5 kV G2R ™ SiC firmy GeneSiC –

  • Duża lawina (UIS) i odporność na zwarcia
  • Superior Qsol x RDS(NA) wartość zasługi
  • Niezależne od temperatury straty przełączania
  • Niskie pojemności i niski ładunek bramki
  • Niskie straty we wszystkich temperaturach
  • Stabilna praca przy normalnym wyłączeniu do 175 ° C
  • +20 V / -5 Napęd do bramy V.

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Wywiad z GeneSiC na PCIM 2016 w Norymberdze, Niemcy

Wywiady dotyczące projektowania systemów elektroenergetycznych GeneSiC

Norymberga, Niemcy maj 12, 2016 — Prezes GeneSiC Semiconductor udzielił wywiadu Alix Paultre z Power Systems Design (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-their-latest-silicon-carbide-tech/67) na wystawie PCIM w Norymberdze, Niemcy.

 

Tranzystory-diody wykonane w całości z węglika krzemu oferowane w 4 Ołów mini-moduł

Spakowana kombinacja tranzystor-dioda SiC w solidnej, odosobniony, 4-Ołów, opakowanie minimodułu zmniejsza straty energii podczas włączania i umożliwia elastyczne projektowanie obwodów dla przekształtników mocy wysokiej częstotliwości

ĆWICZENIA, VA, Może 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy ogłaszają dziś natychmiastową dostępność 20 mOhm-1200 V SiC Junction Tranzystor-diody w izolowanym, 4-Opakowanie mini-modułu z ołowiem, które umożliwia wyjątkowo niskie straty energii podczas włączania, oferując jednocześnie elastyczność, konstrukcje modułowe w przekształtnikach mocy wysokiej częstotliwości. Zastosowanie wysokiej częstotliwości, Tranzystory i prostowniki SiC o wysokim napięciu i niskiej rezystancji zmniejszą rozmiar/masę/objętość aplikacji elektronicznych wymagających wyższej mocy przy wysokich częstotliwościach roboczych. Urządzenia te są przeznaczone do stosowania w wielu różnych zastosowaniach, w tym nagrzewnicach indukcyjnych, generatory plazmy, szybkie ładowarki, Przetwornice DC-DC, i zasilacze impulsowe.

Tranzystor z węglika krzemu Co-pack Prostownik SOT-227 Izotop

1200 V/20 mOhm Tranzystor z węglika krzemu z prostownikiem - zapakowany w izolowany pakiet SOT-227 zapewniający oddzielne możliwości źródła bramki i zlewu

Spakowane razem tranzystory SiC Junction (SJT)-Prostowniki SiC oferowane przez GeneSiC mają wyjątkowe zastosowanie w zastosowaniach przełączania indukcyjnego, ponieważ SJT są jedynymi przełącznikami szerokopasmowymi >10 mikrosekundowa zdolność powtarzalnego zwarcia;, nawet na 80% napięć znamionowych (na przykład. 960 V jak 1200 Urządzenie V). Oprócz czasów narastania/opadania poniżej 10 nsec i kwadratowego obszaru bezpiecznego działania z polaryzacją wsteczną (RBSOA), terminal Gate Return w nowej konfiguracji znacznie poprawia zdolność do redukcji energii przełączania. Ta nowa klasa produktów oferuje przejściowe straty energii i czasy przełączania, które są niezależne od temperatury złącza. Tranzystory złączowe SiC firmy GeneSiC są wolne od bramek tlenkowych, normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przy niskich napięciach bramki, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC.
Prostowniki SiC Schottky'ego zastosowane w tych minimodułach wykazują niewielkie spadki napięcia w stanie włączenia, dobre wartości prądu udarowego i najniższe w branży prądy upływowe w podwyższonych temperaturach. Niezależne od temperatury, prawie zerowa charakterystyka przełączania z odzyskiem zwrotnym, Prostowniki SiC Schottky'ego są idealnymi kandydatami do stosowania w obwodach o wysokiej sprawności.
“Produkty tranzystorowe i prostownicze firmy GeneSiC SiC są zaprojektowane i wyprodukowane w celu uzyskania niskich strat w stanie załączenia i przełączania. Połączenie tych technologii w innowacyjnym pakiecie zapewnia wzorową wydajność w obwodach mocy wymagających urządzeń opartych na szerokiej przerwie wzbronionej. Opakowanie minimodułu zapewnia dużą elastyczność projektowania do stosowania w różnych obwodach zasilających, takich jak H-Bridge, Falowniki Flyback i wielopoziomowe” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
Produkt wydany dzisiaj zawiera
20 mOhm/1200 V złącze SiC Tranzystor/prostownik w zestawie (GA50SICP12-227):
• Izolowany pakiet SOT-227/mini-blok/izotop
• Wzmocnienie prądu tranzystora (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (ograniczone opakowaniem)
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <10 typowe nanosekundy.

Wszystkie urządzenia są 100% testowane na pełne napięcie/prąd znamionowy. Urządzenia są natychmiast dostępne w GeneSiC Autoryzowani Dystrybutorzy.

Po więcej informacji, Proszę odwiedź: https://192.168.88.14/sic-komercyjny/sic-moduly-copack/

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także moduły diod krzemowych. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, odwierty wiertnicze, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Wysokotemperaturowe tranzystory i prostowniki SiC ogólnego przeznaczenia oferowane po niskich kosztach

Wysoka temperatura (>210OC) Tranzystory połączeniowe i prostowniki w małych obudowach z puszek metalowych oferują rewolucyjne korzyści w zakresie wydajności w różnych zastosowaniach, w tym wzmacnianiu, niskoszumowe obwody i elementy sterujące siłownikiem w odwiercie

ĆWICZENIA, VA, Marsz 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność linii kompaktowych, wysokotemperaturowe tranzystory złączowe SiC oraz linia prostowników w obudowach metalowych TO-46. Te oddzielne komponenty są zaprojektowane i wyprodukowane do pracy w temperaturach otoczenia wyższych niż 215OC. Zastosowanie wysokiej temperatury, tranzystory i prostowniki SiC zdolne do wysokiego napięcia i niskiej rezystancji zmniejszają rozmiar / wagę / objętość aplikacji elektronicznych wymagających obsługi większej mocy w podwyższonych temperaturach. Urządzenia te są przeznaczone do użytku w wielu różnych zastosowaniach, w tym w wielu różnych obwodach wiertniczych, oprzyrządowanie geotermalne, uruchomienie elektromagnesu, wzmocnienie ogólnego przeznaczenia, i zasilacze impulsowe.

Wysokotemperaturowe tranzystory złączowe SiC (SJT) oferowane przez GeneSiC wykazują czasy narastania / opadania poniżej 10 nsek, co umożliwia >10 Przełączanie MHz, a także kwadratowy obszar bezpiecznego działania z polaryzacją wsteczną (RBSOA). Przejściowe straty energii i czasy przełączania są niezależne od temperatury złącza. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i którymi można się kierować 0/+5 Sterowniki bramek V TTL, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Unikalnymi zaletami SJT w porównaniu z innymi przełącznikami SiC jest jego wyższa długoterminowa niezawodność, >20 możliwość zwarcia usec, i doskonałe zdolności lawinowe. Urządzenia te mogą być używane jako wydajne wzmacniacze, ponieważ obiecują znacznie wyższą liniowość niż jakikolwiek inny przełącznik SiC.

Wysokotemperaturowe prostowniki Schottky'ego SiC oferowane przez GeneSiC wykazują niskie spadki napięcia w stanie włączenia, i najniższe w branży prądy upływowe w podwyższonych temperaturach. Niezależne od temperatury, prawie zerowa charakterystyka przełączania z odzyskiem zwrotnym, Prostowniki SiC Schottky są idealnymi kandydatami do zastosowań o wysokiej sprawności, obwody wysokotemperaturowe. Opakowania puszek metalowych TO-46, a także powiązane procesy pakowania stosowane do tworzenia tych produktów, umożliwiają długotrwałe użytkowanie tam, gdzie wysoka niezawodność ma kluczowe znaczenie.

“Produkty tranzystorowe i prostownikowe firmy GeneSiC są projektowane i produkowane od podstaw, aby umożliwić pracę w wysokich temperaturach. Te kompaktowe SJT w obudowie TO-46 zapewniają wysokie zyski prądowe (>110), 0/+5 Kontrola V TTL, i solidna wydajność. Urządzenia te zapewniają niskie straty przewodzenia i wysoką liniowość. Projektujemy naszą linię prostowników „SHT”, oferować niskie prądy upływowe w wysokich temperaturach. Te produkty w metalowych opakowaniach uzupełniają nasze produkty TO-257 i metalowe SMD wprowadzone na rynek w zeszłym roku, oferując niewielkie rozmiary, rozwiązania odporne na wibracje” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

Wśród wydanych dzisiaj produktów są:Diody tranzystorowe SiC TO-46

240 Tranzystory złączowe mOhm SiC:

  • 300 Napięcie blokujące V.. Numer części GA05JT03-46
  • 100 Napięcie blokujące V.. Numer części GA05JT01-46
  • Bieżący zysk (godzFE) >110
  • Tjmax = 210OC
  • Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <10 typowe nanosekundy.

Aż do 4 Amperowe wysokotemperaturowe diody Schottky'ego:

  • 600 Napięcie blokujące V.. Numer części GB02SHT06-46
  • 300 Napięcie blokujące V.. Numer części GB02SHT03-46
  • 100 Napięcie blokujące V.. Numer części GB02SHT01-46
  • Całkowity ładunek pojemnościowy 9 nC
  • Tjmax = 210OC.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnych wartości napięcia / prądu i umieszczone w metalowych puszkach TO-46. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także moduły diod krzemowych. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, odwierty wiertnicze, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, Proszę odwiedź https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; i https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Płytka sterownika bramki i modele SPICE dla tranzystorów złączowych z węglika krzemu (SJT) Wydany

Płytka sterownika bramki zoptymalizowana pod kątem wysokich prędkości przełączania i modeli opartych na zachowaniu umożliwia inżynierom zajmującym się projektowaniem układów energoelektronicznych weryfikację i ilościowe określenie korzyści z SJT w ocenie na poziomie płytki i symulacji obwodów

ĆWICZENIA, V.A., Listopad 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność płytki ewaluacyjnej sterownika bramki i rozszerzyła wsparcie projektowe dla przełączników o najniższych stratach w branży - tranzystora złączowego SiC (SJT) - z w pełni kwalifikowanym modelem LTSPICE IV. Korzystanie z nowej płyty sterownika bramki, Projektanci obwodów konwersji mocy mogą zweryfikować korzyści płynące z poniżej 15 nanosekund, niezależna od temperatury charakterystyka przełączania tranzystorów złączowych SiC, z niskimi stratami mocy sterownika. Zawiera nowe modele SPICE, Projektanci obwodów mogą łatwo ocenić korzyści, jakie zapewniają układy SJT firmy GeneSiC w celu osiągnięcia wyższego poziomu sprawności niż jest to możliwe w przypadku konwencjonalnych krzemowych przełączników mocy dla urządzeń o porównywalnych wartościach znamionowych.

GA03IDDJT30-FR4_image

Karta sterownika bramki GA03IDDJT30-FR4 odpowiednia dla SJT z GeneSiC

Tranzystory złączowe SiC mają znacząco inną charakterystykę niż inne technologie tranzystorów SiC, a także tranzystory krzemowe. Płytki sterownika bramki, które mogą zapewnić niskie straty mocy, jednocześnie oferując wysokie prędkości przełączania, były potrzebne do zapewnienia rozwiązań napędowych wykorzystujących zalety tranzystorów złączowych SiC. GeneSiC jest w pełni izolowany GA03IDDJT30-FR4 Płytka sterownika bramki pobiera sygnał 0 / 12V i TTL, aby optymalnie dopasować przebiegi napięcia / prądu wymagane do zapewnienia małych czasów narastania / opadania, przy jednoczesnym zminimalizowaniu ciągłego zapotrzebowania na prąd do utrzymania normalnie wyłączonego przewodu SJT podczas stanu włączenia. Konfiguracja pinów i współczynniki kształtu są podobne do innych tranzystorów SiC. GeneSiC udostępnił również pliki Gerber i BOM dla użytkowników końcowych, aby umożliwić im uwzględnienie korzyści wynikających z wprowadzonych innowacji projektowych sterowników.

SJT oferują dobrze zachowujące się właściwości stanu włączenia i przełączania, ułatwiając tworzenie modeli SPICE opartych na zachowaniu, które są również bardzo zgodne z podstawowymi modelami opartymi na fizyce. Korzystanie z ugruntowanych i zrozumiałych modeli opartych na fizyce, Parametry SPICE zostały wydane po szeroko zakrojonych testach z zachowaniem urządzenia. Modele SPICE firmy GeneSiC są porównywane z danymi mierzonymi eksperymentalnie we wszystkich arkuszach danych urządzeń i mają zastosowanie do wszystkich 1200 V i 1700 Udostępniono tranzystory złączowe V SiC.
SJT firmy GeneSiC są w stanie dostarczać częstotliwości przełączania, które są większe niż 15 razy wyższy niż rozwiązania oparte na IGBT. Ich wyższe częstotliwości przełączania mogą umożliwić stosowanie mniejszych elementów magnetycznych i pojemnościowych, zmniejszając w ten sposób całkowity rozmiar, waga i koszt układów energoelektronicznych.

Ten model SPICE tranzystora złączowego SiC stanowi uzupełnienie wszechstronnego zestawu narzędzi wspomagających projektowanie firmy GeneSiC, dokumentacja techniczna, i informacje o niezawodności, aby zapewnić inżynierom energoelektroniki zasoby projektowe niezbędne do wdrożenia kompleksowej rodziny tranzystorów i prostowników złączowych SiC firmy GeneSiC w następnej generacji systemów zasilania.

Arkusze danych karty sterownika bramki GeneSiC oraz modele SJT SPICE można pobrać z witryny https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/