Hybrydowe moduły prostownika SiC Schottky'ego / Si IGBT firmy GeneSiC umożliwiają pracę w temperaturze 175 ° C
1200 V Prostowniki Schottky'ego SiC zoptymalizowane pod kątem ≥ 250 °C praca z najniższą w swojej klasie pojemnością złącza
AN-1 1200 Diody V Schottky'ego z niezmiennymi temperaturami wysokościami barier i współczynnikami idealności