Halvlederenergi, Bransjeleder innen galliumnitrid-strømkretser, Kunngjør oppkjøp av GeneSiC Semiconductor, Silisiumkarbid Pioneer
Den andre, CA., 15. august, 2022 - Energi halvleder (Nasdaq: NVTS), bransjeledende innen galliumnitrid (GaN) strøm ICer, kunngjorde i dag kjøpet av GeneSiC Semiconductor, et silisiumkarbid (SiC) pioneer…
G3R ™ 750V SiC MOSFETs tilbyr enestående ytelse og pålitelighet
DULLES, VA, juni 04, 2021 — GeneSiCs neste generasjon 750V G3R ™ SiC MOSFETer vil levere ytelse uten sidestykke, robusthet og kvalitet som overstiger dets kolleger. Systemfordelene inkluderer lave fall i staten…
5Generasjon 650V SiC Schottky MPS ™ -dioder for best effektivitet i klassen
DULLES, VA, Kan 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av silisiumkarbid (SiC) krafthalvlederenheter, kunngjør tilgjengeligheten av 5. generasjon (GE***-serien) SiC Schottky…
GeneSiCs nye 3. generasjons SiC MOSFET med bransjens beste fortjeneste
DULLES, VA, februar 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors neste generasjon 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer som spenner fra 20 mΩ til 350 mΩ gir enestående ytelsesnivåer, robusthet og kvalitet…
GeneSiCs 3300V og 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs revolusjonerer miniatyriseringen av hjelpestrømforsyninger
DULLES, VA, desember 4, 2020 — GeneSiC kunngjør tilgjengeligheten av bransjeledende 3300V og 1700V diskrete SiC MOSFETer som er optimalisert for å oppnå enestående miniatyrisering, pålitelighet og energisparing i industrien…
