Gate Driver Board optimert for høye svitsjehastigheter og atferdsbaserte modeller gjør det mulig for kraftelektroniske designingeniører å verifisere og kvantifisere fordelene med SJT-er i kortnivåevaluering og kretssimulering
DULLES, V.A., Nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av Gate Driver-evalueringskort og har utvidet designstøtten for bransjens brytere med lavest tap – SiC Junction Transistor (SJT) – med en fullt kvalifisert LTSPICE IV-modell. Bruker det nye Gate Driver Board, strømkonverteringskretsdesignere kan verifisere fordelene med under 15 nanosekunder, temperaturuavhengige svitsjekarakteristikk for SiC Junction Transistorer, med lavt sjåførkrafttap. Inkorporerer de nye SPICE-modellene, kretsdesignere kan enkelt evaluere fordelene GeneSiCs SJT-er gir for å oppnå et høyere effektivitetsnivå enn det som er mulig med konvensjonelle silisiumstrømbrytere for sammenlignbare rangerte enheter.
Gate-driverkort GA03IDDJT30-FR4 gjelder for SJT-er fra GeneSiC
SiC Junction Transistorer har vesentlig andre egenskaper enn andre SiC Transistor-teknologier, samt silisiumtransistorer. Gate Driver-kort som kan gi lave strømtap samtidig som de fortsatt tilbyr høye svitsjehastigheter, var nødvendig for å tilby drivløsninger for å utnytte fordelene med SiC Junction Transistors. GeneSiC er fullstendig isolert GA03IDDJT30-FR4 Gatedriverkort tar inn 0/12V og et TTL-signal for å optimalisere spennings-/strømbølgeformene som kreves for å gi små stige-/falltider, samtidig som det kontinuerlige strømkravet for å holde Normally-OFF SJT ledende under på-tilstand. Pinnekonfigurasjonen og formfaktorene holdes lik andre SiC-transistorer. GeneSiC har også gitt ut Gerber-filer og stykklister til sluttbrukere for å sette dem i stand til å innlemme fordelene med driverdesigninnovasjonene som er realisert.
SJT-er tilbyr veloppdragne on-state- og bytteegenskaper, gjør det enkelt å lage atferdsbaserte SPICE-modeller som stemmer bemerkelsesverdig godt med de underliggende fysikkbaserte modellene også. Bruke veletablerte og forståtte fysikkbaserte modeller, SPICE-parametere ble utgitt etter omfattende testing med enhetsatferd. GeneSiCs SPICE-modeller sammenlignes med de eksperimentelt målte dataene på alle enhetsdataark og gjelder for alle 1200 V og 1700 V SiC Junction Transistors utgitt.
GeneSiCs SJT-er er i stand til å levere svitsjefrekvenser som er mer enn 15 ganger høyere enn IGBT-baserte løsninger. Deres høyere svitsjefrekvenser kan muliggjøre mindre magnetiske og kapasitive elementer, og dermed krympe den totale størrelsen, vekt og kostnad for kraftelektronikksystemer.
Denne SiC Junction Transistor SPICE-modellen legger til GeneSiCs omfattende pakke med designstøtteverktøy, teknisk dokumentasjon, og pålitelighetsinformasjon for å gi kraftelektronikkingeniører designressursene som er nødvendige for å implementere GeneSiCs omfattende familie av SiC Junction-transistorer og likerettere i neste generasjon kraftsystemer.
GeneSiCs Gate Driver Board-datablad og SJT SPICE-modeller kan lastes ned fra https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
