GeneSiC er rettet mot lavt tilstandsspenningsfall på silisiumkarbid (SiC) strøm enheter med 2-15 kV, 200° C, 20 kHz-rangeringer som en nøkkel som muliggjør teknologi for neste generasjons avansert verktøy og militær maskinvare. Den umiddelbare applikasjonen for slike enheter inkluderer elektrisk verktøy, rettet energi våpensystemer, partikkelakseleratorer for høyenergifysikkeksperimenter, jernbanebiler, medisinsk, og høyeffektive rørbaserte RADAR-systemer.

GeneSiC utvikler seg også 600-3300 V-kraftstransistorer og likeretterprodukter for Aerospace, Hybride elektriske kjøretøy- og oljeboringsapplikasjoner som krever kraftsulten kontroll, kommunikasjon, databehandling, fremdrifts- og helseovervåkningssystemer. Strømkretselementer som kreves for å behandle kraft mellom energiproduksjon / lagringspunkt og forbrukspunkt i disse systemene er:

Temperatur robusthet og strålingsharde egenskaper til GeneSiCs enheter gjør at disse kretselementene kan fungere under ekstreme temperaturer og miljøer med høy stråling. De lave tilstandene og byttetapene til GeneSiC-enhetene gir mye høyere energiomdannelseseffektivitet, mens du tilbyr en rekke funksjoner som beskyttelse mot overbelastning / kortslutning, overspenningsbeskyttelse, synkronisering, beskyttelse mot over temperatur og muligheten til å løpe parallelt mens den gir lav harmonisk forvrengning, støy og EMI-utslipp.

Hos GeneSiC Semiconductor, we collaborate with you in providing custom design services and offer early access to our newest innovations 
in SiC power device and module technology. It's our mission to stretch limits and challenge breakthrough innovations in conceiving ever 
more efficient power devices.

Our custom services also offer system-level optimization to help customers integrate our products in to your system to reach the most 
efficient solution possible!

For tilpassede tjenester, vær så snill kontakt oss.