Kategori: Pressemeldinger

SiC-svitsjer med laveste ledningstap og overlegen kortslutningsevne frigitt for høyfrekvente strømkretser

Dulles, Virginia., Okt 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av en familie med lav-motstand 1700V og 1200 V SiC Junction Transistorer i TO-247-pakker. Bruk av høyspenning, høy frekvens, SiC Junction-transistorer med høy temperatur og lav motstand vil øke konverteringseffektiviteten og redusere størrelsen/vekten/volumet til kraftelektronikkapplikasjoner som krever høyere bussspenninger. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke applikasjoner, inkludert DC-mikronett, Hurtigladere for kjøretøy, server, strømforsyninger for telekom og nettverk, avbruddsfri strømforsyning, solomformere, Vindkraftsystemer, og industrielle motorkontrollsystemer.

SiC Junction Transistorer (SJT) tilbudt av GeneSiC viser ultrarask svitsjingsevne (ligner på SiC MOSFET-er), et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å bli kjørt av kommersielle portdrivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Unike fordeler med SJT i motsetning til andre SiC-svitsjer er dens høyere langsiktige pålitelighet, >10 usec kortslutningsevne, og overlegen snøskredevne

“Disse forbedrede SJT-ene tilbyr mye høyere strømgevinster (>100), svært stabil og robust ytelse sammenlignet med andre SiC-svitsjer. GeneSiCs SJT-er tilbyr ekstremt lave ledningstap ved nominelle strømmer som overlegne avslåingstap i strømkretser. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjoner, GeneSiCs transistorprodukter hjelper designere med å oppnå en mer robust løsning,” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

1700 V SiC Junction Transistor utgitt

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• Nåværende gevinst (h_FE) >90
• T_jmax = 175^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <30 nanosekunder typisk.

1200 V SiC Junction Transistor utgitt

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• Nåværende gevinst (h_FE) >90
• T_jmax = 175^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <30 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS-kompatible TO-247-pakker. Enhetene er umiddelbart tilgjengelig fra GeneSiCs autoriserte distributører.

For mer informasjon, vennligst besøk https://192.168.88.14/kommersielle-sic/sic-junction-transistors/

GeneSiCs SiC-transistor og likerettere gir betydelige fordeler for å nå målene til Little Box Challenge

State-of-the-art. Silisiumkarbid krafttransistorer & Likerettere. Tilgjengelig. Nå!

GeneSiC har en bred portefølje av produkter tilgjengelig akkurat nå over hele verden fra toppdistributører

Bare Die Chip form for SiC-enheter tilgjengelig direkte fra fabrikk (vennligst fyll ut skjemaet nedenfor)

Diskret SJTs og Likerettere i kommersielle temperaturklassifiseringer (175°C)

Diskret HiT SJTs og HiT likerettere i høy temperatur (opptil 250°C)

GeneSiC offers the widest variety of SiC products – in packaged products as well as bare-die format to allow greater design flexibility and innovation. GeneSiC is continuously striving to stay ahead by introducing new, innovative produkter. If you don’t see the exact product you are looking for today, du kan se det i nær fremtid.

Løftet om høy temperatur i SiC-transistorer realisert gjennom kompatible industristandardpakker vil kritisk forbedre nedihulls- og romfartsaktuatorer og strømforsyninger

Dulles, Virginia., Des 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten gjennom sine distributører og direkte en familie høytemperaturpakke 600 V SiC Junction Transistorer (SJT) i 3-50 Ampere strømverdier i JEDEC industristandard gjennom hull og overflatemonteringspakker. Inkorporerer disse høye temperaturene, lav motstand, høyfrekvente SiC-transistorer i hermetiske pakker, høytemperaturloddemetall og innkapsling vil øke konverteringseffektiviteten og redusere størrelsen/vekten/volumet til høytemperatureffektkonverteringsapplikasjoner.

Moderne strømforsyning med høy temperatur, motorkontroll- og aktuatorkretser som brukes i olje/gass/nedihulls- og romfartsapplikasjoner lider av mangel på tilgjengelighet av en levedyktig høytemperatur silisiumkarbidløsning. Silisiumtransistorer lider av lav kretseffektivitet og store størrelser fordi de lider av høye lekkasjestrømmer og lave dårlige svitsjeegenskaper. Begge disse parameterne blir dårligere ved høyere krysstemperaturer. Med termisk begrensede miljøer, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Hermetisk pakkede SiC-transistorer tilbyr unike egenskaper som lover å revolusjonere evnen til nedihulls- og romfartsapplikasjoner. GeneSiC 650 V/3-50 A SiC Junction Transistorer har nesten null koblingstider som ikke endres med temperaturen. De 210^DeC-krysset temperaturklassifiserte enheter tilbyr relativt store temperaturmarginer for applikasjoner som opererer under ekstreme miljøer.

Junction Transistorer som tilbys av GeneSiC viser ultrarask svitsjingsevne, et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives av kommersielle, vanlig tilgjengelig 15 V IGBT-portdrivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Samtidig som den tilbyr kompatibilitet med SiC JFET-drivere, SiC Junction Transistorer kan lett parallellkobles på grunn av deres matchende transientegenskaper.

“Mens designere av applikasjoner nedihulls og romfart fortsetter å presse grensene for driftsfrekvens, mens de fortsatt krever høy kretseffektivitet, de trenger SiC-svitsjer som kan tilby en ytelsesstandard, pålitelighet og enhetlig produksjon. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjoner, GeneSiCs SJT-produkter hjelper designere med å oppnå alt dette i en mer robust løsning. Disse produktene utfyller den hermetiske pakkede SiC-likeretteren utgitt i fjor av GeneSiC, og bare die-produktene utgitt tidligere i år, samtidig som det baner vei for at vi kan tilby høy temperatur, lav induktans, strømmoduler i nær fremtid ” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

Isolert TO-257 med 600 I SJTs:

• 65 mOhm/20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7637-GA); og 425 mOhms/4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.
• Tilsvarende Bare Die GA20JT06-CAL (i 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (i 2N7637-GA); og GA05JT06-CAL (i 2N7635-GA)

Ikke-isolert TO-258 Prototypepakke med 600 SJTs

• 25 mOhm/50 Amp (GA50JT06-258 prototypepakke)
• T_jmax = 210^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.
• Tilsvarende Bare Die GA50JT06-CAL (i GA50JT06-258)

Overflatefeste TO-276 (SMD0,5) med 600 SJTs

• 65 mOhm/20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhm/8 Amp (2N7638-GA); og 425 mOhms/4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <50 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% tested to full voltage/current ratings and housed in hermetic packages. Teknisk støtte og SPICE-kretsmodeller tilbys. Enhetene er umiddelbart tilgjengelig fra GeneSiC direkte og/eller gjennom dets autoriserte distributører.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, besøk gjerne https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Høyspenning, Omvendt gjenopprettingsfrie SiC Schottky-dioder for å muliggjøre solcellevekselrettere og høyspenningsenheter ved å tilby overflatemontering med minste formfaktor

Dulles, Virginia., Nov 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av en familie med industristandard SMB (JEDEC DO-214AA) pakket SiC Likerettere i 650 – 3300 V rekkevidde. Inkorporerer disse høyspenningene, reverseringsfri, høyfrekvente og høytemperaturkompatible SiC-dioder vil øke konverteringseffektiviteten og redusere størrelsen/vekten/volum av multi-kV-enheter. Disse produktene er rettet mot mikrosolar-vekselrettere så vel som spenningsmultiplikatorkretser som brukes i et bredt spekter av røntgenstråler, Laser og partikkelgenerator strømforsyninger.

Moderne mikro-solenergi-omformere og spenningsmultiplikatorkretser kan lide av lav kretseffektivitet og store størrelser fordi de omvendte gjenvinningsstrømmene fra silisium-likerettere. Ved høyere likeretterkrysstemperaturer, denne situasjonen blir verre fordi den omvendte gjenvinningsstrømmen i silisiumlikerettere øker med temperaturen. Med termiske begrensninger høyspenningsenheter, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. Høyspente SiC-likerettere tilbyr unike egenskaper som lover å revolusjonere mikro-solenergiomformere og høyspenningsenheter. GeneSiC 650 V/1 A; 1200 V/2 A og 3300 V/0.3 A Schottky-likerettere har null reverseringsstrøm som ikke endres med temperaturen. De 3300 V-rated devices offer relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, through use of higher AC input voltages. The near-ideal switching characteristics allow the elimination/dramatic reduction of voltage balancing networks and snubber circuits. The SMB (DO-214AA) overmolded package features industry-standard form factor for surface mount assemblies.

“These product offerings come from years of sustained development efforts at GeneSiC towards offering compelling devices and packages. We believe the SMB form factor is a key differentiator for the Micro Solar Inverter and Voltage Multiplier market, and will allow significant benefits to our customers. GeneSiC’s low VF, SiC Schottky-likerettere med lav kapasitans og forbedrede SMB-pakker muliggjør dette banebrytende produktet” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

1200 V/2 A SMB SiC Schottky Diode (GB02SLT12-214) Tekniske høydepunkter

• Typisk VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^DeC
• Reverse Recover Charge = 14 nC.

3300 V/0.3 A SMB SiC Schottky Diode (GAP3SLT33-214) Tekniske høydepunkter

• Typisk VF = 1.7 V
• T_jmax = 175^DeC
• Reverse Recover Charge = 52 nC.

650 V/1 A SMB SiC Schottky Diode (GB01SLT06-214) Tekniske høydepunkter

• Typisk VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^DeC
• Reverse Recover Charge = 7 nC.

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS-kompatibel SMB (DO-214AA) pakker. Teknisk støtte og SPICE-kretsmodeller tilbys. Enhetene er umiddelbart tilgjengelig fra GeneSiCs autoriserte distributører.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, vennligst besøk https://192.168.88.14/index.php/sic-products/schottky

High Voltage assemblies to benefit from these low capacitance rectifiers offering temperature-independent zero reverse recovery currents in isolated packages

Thief River Falls/Dulles, Virginia., Kan 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors announce the immediate availability of 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – the GAP3SLT33-220FP. This unique product represents the highest voltage SiC rectifier on the market, and is specifically targeted towards voltage multiplier circuits and high voltage assemblies used in a wide range of X-Ray, Laser og partikkelgenerator strømforsyninger.

Contemporary voltage multiplier circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Ved høyere likeretterkrysstemperaturer, denne situasjonen blir verre fordi den omvendte gjenvinningsstrømmen i silisiumlikerettere øker med temperaturen. Med termiske begrensninger høyspenningsenheter, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC 3300 V/0.3 A Schottky-likerettere har null reverseringsstrøm som ikke endres med temperaturen. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, through use of higher AC input voltages. The near-ideal switching characteristics allow the elimination/dramatic reduction of voltage balancing networks and snubber circuits. The TO-220 Full Pack overmolded isolated package features industry-standard form factor with increased pin spacing in through hole assemblies.

“This product offering comes from years of sustained efforts at GeneSiC. We believe the 3300 V rating is a key differentiator for the high voltage generator market, and will allow significant benefits to our customers. GeneSiC’s low VF, low capacitance SiC Schottky Rectifiers enables this breakthrough product” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

3300 V/0.3 A SiC Rectifier Technical Highlights

• On-state Drop of 1.7 V at 0.3 EN
• Positive temperature coefficient on VF
• T_jmax = 175^DeC
• Capacitive charge 52 nC (typical).

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Full Pack) pakker. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributor, Digikey.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, please visit www.genesicsemi.com

High Voltage circuits and assemblies to benefit from SiC chips that offer unprecedented voltage ratings and ultra-high speed switching

Dulles, Virginia., Nov 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors announce the immediate availability of 8000 V SiC PiN Rectifiers; 8000 V SiC Schottky Rectifiers, 3300 V SiC Schottky Rectifiers and 6500 V SiC Thyristors in bare die format. These unique products represents the highest voltage SiC devices on the market, and is specifically targeted towards oil and gas instrumentation, voltage multiplier circuits and high voltage assemblies.

Contemporary ultra-high voltage circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Ved høyere likeretterkrysstemperaturer, this situation worsens further since the reverse recovery current in Silicon rectifiers increases with temperature. Med termiske begrensninger høyspenningsenheter, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC 8000 V og 3300 V Schottky rectifiers feature zero reverse recovery current that does not change with temperature. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, through use of higher AC input voltages. The near-ideal switching characteristics allow the elimination/dramatic reduction of voltage balancing networks and snubber circuits. 8000 V PiN Rectifiers offer higher current levels and higher operating temperatures. 6500 V SiC Thyristor chips are also available to accelerate R&D of new systems.

“These products showcase GeneSiC’s strong lead in the development of SiC chips in the multi-kV ratings. We believe the 8000 V rating goes beyond what Silicon devices can offer at rated temperatures, and will allow significant benefits to our customers. GeneSiC’s low VF, low capacitance SiC Rectifiers and Thyristors will enable system level benefits not possible before” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Technical Highlights

• T_jmax = 210^DeC
• Reverse Leakage Currents < 50 uA at 175^DeC
• Reverse Recovery Charge 558 nC (typical).

8000 V/50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Technical Highlights

• Total Capacitance 25 pF (typical, at -1 V, 25^DeC).
• Positive temperature coefficient on VF
• T_jmax = 175^DeC

6500 V SiC Thyristor Bare Die Technical Highlights

• Tre tilbud – 80 Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Amperes (GA060TH65-CAU); og 40 Amperes (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^DeC

3300 V/0.3 A SiC Bare Die Rectifier Technical Highlights

• On-state Drop of 1.7 V at 0.3 EN
• Positive temperature coefficient on VF
• T_jmax = 175^DeC
• Capacitive charge 52 nC (typical).

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

For mer informasjon, besøk gjerne https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie